|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние морфологии подложек InP на шероховатость интерфейсов и дефектность гетероструктур квантово-каскадных лазеров
Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025), 439–444
-
Перестройка частоты излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона
Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 13–15
-
Перестраиваемый квантово-каскадный лазер для определения концентрации метана
Письма в ЖТФ, 51:22 (2025), 66–70
-
Аналитическое описание температурного коэффициента показателя преломления III–V полупроводников с использованием теории нормальной дисперсии
Письма в ЖТФ, 51:12 (2025), 15–18
-
Одночастотная генерация на радиальных модах в квантово-каскадных лазерах на основе селективного кольцевого резонатора
Письма в ЖТФ, 51:11 (2025), 52–56
-
Влияние длительности импульса накачки и фактора заполнения на мощностные характеристики квантово-каскадных лазеров
Письма в ЖТФ, 51:4 (2025), 54–58
-
Мощный перестраиваемый квантово-каскадный лазер
Письма в ЖТФ, 50:22 (2024), 65–68
-
Квантово-каскадные лазеры на основе активной области с малой чувствительностью к флуктуации толщины слоев
Письма в ЖТФ, 50:16 (2024), 18–21
-
Нагрев квантового каскадного лазера при импульсной накачке: теория и эксперимент
Письма в ЖТФ, 50:7 (2024), 3–7
-
Перестройка частоты излучения арочных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона
Письма в ЖТФ, 50:5 (2024), 23–27
-
Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями
Квантовая электроника, 54:2 (2024), 100–103
-
Особенности эпитаксиального роста методом МПЭ тонких сильно напряженных слоев InGaAs/InAlAs на подложках InP
ЖТФ, 93:8 (2023), 1166–1172
-
Генерация случайных последовательностей за счет переключения поперечных мод в квантовом каскадном лазере
Письма в ЖТФ, 49:22 (2023), 35–38
-
Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4–5 мкм
Квантовая электроника, 53:8 (2023), 641–644
-
Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм
Квантовая электроника, 53:5 (2023), 370–373
-
Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой, сформированной методом прямой ионной литографии
Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 908–914
-
Исследование пространственных характеристик излучения поверхностно-излучающих квантово-каскадных лазеров с кольцевым резонатором
Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 601–606
-
Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой
Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1081–1085
-
Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии
Письма в ЖТФ, 47:24 (2021), 46–50
-
Период капельного квазибесселева пучка, генерируемого аксиконом со скругленной вершиной
Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 48–51
-
Динамика спектров квантово-каскадных лазеров, генерирующих частотные гребенки в длинноволновом инфракрасном диапазоне
ЖТФ, 90:8 (2020), 1333–1336
-
Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров
Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020), 1165–1170
-
Исследование пространственных характеристик излучения квантовых каскадных лазеров для спектрального диапазона 8 $\mu$m
Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 51–54
-
Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров спектрального диапазона 4.6 $\mu$m для реализации непрерывного режима генерации
Письма в ЖТФ, 46:9 (2020), 35–38
-
Разработка и исследование мощных квантово-каскадных лазеров для спектрального диапазона 4.5–4.6 мкм
Квантовая электроника, 50:11 (2020), 989–994
-
Квантово-каскадные лазеры мощностью 10 Вт для спектральной области 4.6 мкм
Квантовая электроника, 50:8 (2020), 720–721
-
Мощные (более 1 Вт) квантовые каскадные лазеры для длинноволнового ИК диапазона при комнатной температуре
Квантовая электроника, 50:2 (2020), 141–142
-
Генерация капельных квазибесселевых пучков при помощи полупроводникового лазера
Оптика и спектроскопия, 127:5 (2019), 781–786
-
Влияние разогрева активной области на динамические и мощностные характеристики квантовых каскадных лазеров, излучающих на длине волны 4.8 $\mu$m при комнатной температуре
Оптика и спектроскопия, 127:3 (2019), 445–448
-
Генерация частотных гребенок квантово-каскадными лазерами спектрального диапазона 8 $\mu$m
Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 18–21
-
Мощные квантово-каскадные лазеры с длиной волны генерации 8 $\mu$m
Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 48–51
-
Одночастотная генерация арочных квантово-каскадных лазеров при комнатной температуре
Письма в ЖТФ, 45:8 (2019), 31–33
-
Перестраиваемый источник одночастотного излучения на основе массива РОС-лазеров для спектрального диапазона 1.55 мкм
Квантовая электроника, 49:12 (2019), 1158–1162
-
РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм
Квантовая электроника, 49:9 (2019), 801–803
-
Высокотемпературная лазерная генерация квантово-каскадных лазеров в спектральной области 8 $\mu$m
Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2251–2254
-
Динамика включения квантово-каскадных лазеров с длиной волны генерации 8100 nm при комнатной температуре
ЖТФ, 88:11 (2018), 1708–1710
-
Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m
ЖТФ, 88:10 (2018), 1559–1563
-
Метаматериал для генерации разностной частоты в терагерцовом диапазоне
Оптика и спектроскопия, 125:4 (2018), 560–563
-
Двухчастотная генерация в квантово-каскадных лазерах спектрального диапазона 8 $\mu$m
Оптика и спектроскопия, 125:3 (2018), 387–390
-
Генерация капельных бесселевых пучков при помощи полупроводникового лазера
Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 72–78
-
Генерация второй гармоники в гребенчатых волноводах в периодически поляризованном ниобате лития
Квантовая электроника, 48:8 (2018), 717–719
-
Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники
Физика твердого тела, 59:9 (2017), 1680–1683
-
Получение ультракоротких мощных оптических импульсов от полупроводниковых лазеров за счет управления параметрами токовой накачки
ЖТФ, 87:12 (2017), 1887–1891
-
Обострение оптических импульсов в вертикально-излучающих лазерах с активной областью на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs
Письма в ЖТФ, 43:24 (2017), 17–23
-
Генерация мощных ультракоротких оптических импульсов полупроводниковыми лазерами
Письма в ЖТФ, 42:24 (2016), 1–8
-
Метаматериал для эффективной генерации второй гармоники
Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 40–48
-
Манипулирование микрочастицами при помощи бесселевых пучков, полученных от полупроводниковых лазеров
Письма в ЖТФ, 40:11 (2014), 53–59
-
Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2–2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2–5 ГГц
Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1109–1115
-
Влияние характеристик аксикона и параметра качества пучка $M^2$ на формирование бесселевых пучков излучения полупроводниковых лазеров
Квантовая электроника, 43:5 (2013), 423–427
-
Влияние насыщения усиления на ватт-амперную характеристику полупроводникового лазера
Письма в ЖТФ, 38:13 (2012), 35–40
-
О сверхфокусировке многомодовых полупроводниковых лазеров и светодиодов
Письма в ЖТФ, 38:9 (2012), 8–14
-
Быстродействующие $p$–$i$–$n$-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9–2.4 $\mu$m
Письма в ЖТФ, 36:9 (2010), 43–49
-
Исследование пространственно-инвариантных пучков, полученных от полупроводниковых лазеров с широким полоском с торцевым выводом излучения
Письма в ЖТФ, 36:1 (2010), 22–30
-
Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ
УФН, 194:1 (2024), 98–105
© , 2026