Яблонский Геннадий Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние интенсивности возбуждения и температуры на фотолюминесценцию тонких пленок соединения Cu$_2$ZnSnSe$_4$
   
   Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1699–1707
2. Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu$_2$ZnGeS$_4$
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  498–501
3. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn$_{8}$S$_{12.5}$
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  669–672
4. Спонтанное и стимулированное излучение в тонких пленках твердых растворов Cu(In$_{1-x}$Ga$_{x}$)(S$_{y}$Se$_{1-y}$)$_{2}$ в составе солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1058–1065
5. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn$_{7}$S$_{12}$
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1621–1624
6. Стабильный режим генерации лазерного излучения в микропорошках CdSSe
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  552–555
7. Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  540–544
8. Люминесценция и стимулированное излучение поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$, осажденных методом магнетотронного напыления
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1120–1125
9. Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой
   
   Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  342–348
10. Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра
    
    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  418–422
11. Примесная люминесценция монокристаллов ZnS : O при высоких уровнях фото- и стримерного возбуждения
    
    Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3530–3536
12. Кристаллографическая ориентация и примесное свечение стримерных разрядов в монокристаллах ZnS и ZnSe
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1920–1927
13. Генерация на кристаллах ИАГ:Nd³⁺ и KGdW:Nd³⁺ при накачке полупроводниковыми лазерами
    
    Квантовая электроника, 18:1 (1991),  20–21
14. Стримерное возбуждение генерации в высокочастотном режиме
    
    Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1145–1148
15. Дефектообразование в кристаллах GdS и ZnSe под воздействием излучения азотного и эксимерного лазеров
    
    Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1585–1593
16. Вынужденное излучение стримерных разрядов в монокристаллах ZnO при 300 К
    
    Квантовая электроника, 14:10 (1987),  1983–1985
17. Вынужденное излучение монокристаллов селенида цинка при стримерном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 12:4 (1985),  724–728
18. Образование дефектов решетки в широкозонных полупроводниках A$_{2}$B$_{6}$ под воздействием излучения азотного лазера
    
    Физика твердого тела, 26:4 (1984),  995–1001
19. Влияние дислокаций на спектры люминесценции теллурида цинка
    
    Физика твердого тела, 26:3 (1984),  754–757
20. Лазерный отжиг дефектов решетки в монокристаллах ZnSe
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  918–920
21. Люминесценция и генерация света в монокристаллах ZnSe при одно- и двухфотонном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  898–901
22. Генерация света в монокристаллах ZnTe, ZnSe и CdS при возбуждении пикосекундными импульсами рубинового лазера
    
    Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2229–2232


23. Спонтанное и стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне квантово-размерных гетероструктур на основе AlGaN-соединений, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках $c$-сапфира
    
    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2058–2066