|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние интенсивности возбуждения и температуры на фотолюминесценцию тонких пленок соединения Cu$_2$ZnSnSe$_4$
Физика твердого тела, 66:10 (2024), 1699–1707
-
Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu$_2$ZnGeS$_4$
Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 498–501
-
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn$_{8}$S$_{12.5}$
Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 669–672
-
Спонтанное и стимулированное излучение в тонких пленках твердых растворов Cu(In$_{1-x}$Ga$_{x}$)(S$_{y}$Se$_{1-y}$)$_{2}$ в составе солнечных элементов
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1058–1065
-
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn$_{7}$S$_{12}$
Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1621–1624
-
Люминесценция и стимулированное излучение поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$, осажденных методом магнетотронного напыления
Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1120–1125
-
Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра
Квантовая электроника, 43:5 (2013), 418–422
-
Спонтанное и стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне квантово-размерных гетероструктур на основе AlGaN-соединений, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках $c$-сапфира
Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2058–2066
© , 2026