RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Багаев Тимур Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Быстродействующие токовые ключи на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур тиристоров с толстой $p$-базой (8 мкм)

    Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  629–634
  2. Источники мощных лазерных импульсов субнаносекундной длительности на основе структур тиристорный ключ-лазерный диод для спектрального диапазона 1500 nm

    Письма в ЖТФ, 51:17 (2025),  49–52
  3. Источники мощных лазерных импульсов на длину волны 1550 nm на основе конструкций тиристорный ключ-лазер

    Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  21–25
  4. Компактные источники мощных лазерных импульсов (940 nm) наносекундной длительности на основе вертикальных сборок полупроводниковый лазер–тиристорный ключ

    Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  7–10
  5. Анализ ПЭМ-изображения квантово-каскадной лазерной гетероструктуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  179–184
  6. Гибридные сборки тиристорный ключ-полупроводниковый лазер на основе гетероструктур Al–In–Ga–As–P/InP для мощных импульсных источников лазерного излучения (1400–1500 нм)

    Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  165–170
  7. Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al–In–Ga–As–P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности

    Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  161–164
  8. Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  96–105
  9. Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой

    Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  43–46
  10. Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs

    Квантовая электроника, 54:4 (2024),  218–223
  11. Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  678–683
  12. Исследование динамики включения низковольтных InP-гомотиристоров

    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  295–300
  13. Низковольтные гетеротиристоры InP для генерации импульсов тока длительностью 50–150 ns

    Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  29–32
  14. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа

    Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16
  15. Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  16–19
  16. Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

    Квантовая электроника, 52:2 (2022),  174–178
  17. Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  466–472
  18. Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм

    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  912–914
  19. Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой

    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  905–908
  20. Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур

    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  124–128
  21. Тройной интегрированный лазер-тиристор

    Квантовая электроника, 50:11 (2020),  1001–1003
  22. Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  7–11
  23. Двойной интегрированный лазер-тиристор

    Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013
  24. Исследование поверхностно-излучающего полупроводникового лазера с внешним зеркалом на структуре InGaAs/AlGaAs при накачке электронным пучком

    Квантовая электроника, 49:10 (2019),  909–912
  25. Cуперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 770–790 нм на основе полупроводниковых наноструктур с узкими квантовыми ямами

    Квантовая электроника, 49:9 (2019),  810–813
  26. Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs

    Квантовая электроника, 48:11 (2018),  993–995
  27. Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%

    Квантовая электроника, 47:4 (2017),  291–293
  28. Квантовые точки InAs/GaAs, выращенные капельным методом в условиях мос-гидридной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  66–71
  29. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al0.45Ga0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии

    Квантовая электроника, 46:5 (2016),  447–450
  30. Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм

    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  716–718
  31. Решетки лазерных диодов с повышенной мощностью и яркостью импульсного излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  104–108
  32. Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850 – 870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами

    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  407–409

© МИАН, 2026