RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Ладугин Максим Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Быстродействующие токовые ключи на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур тиристоров с толстой $p$-базой (8 мкм)

    Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  629–634
  2. Перестраиваемый квантово-каскадный лазер для определения концентрации метана

    Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  66–70
  3. Источники мощных лазерных импульсов субнаносекундной длительности на основе структур тиристорный ключ-лазерный диод для спектрального диапазона 1500 nm

    Письма в ЖТФ, 51:17 (2025),  49–52
  4. Источники мощных лазерных импульсов на длину волны 1550 nm на основе конструкций тиристорный ключ-лазер

    Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  21–25
  5. Компактные источники мощных лазерных импульсов (940 nm) наносекундной длительности на основе вертикальных сборок полупроводниковый лазер–тиристорный ключ

    Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  7–10
  6. Анализ ПЭМ-изображения квантово-каскадной лазерной гетероструктуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  179–184
  7. Гибридные сборки тиристорный ключ-полупроводниковый лазер на основе гетероструктур Al–In–Ga–As–P/InP для мощных импульсных источников лазерного излучения (1400–1500 нм)

    Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  165–170
  8. Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al–In–Ga–As–P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности

    Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  161–164
  9. Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  96–105
  10. Мощный перестраиваемый квантово-каскадный лазер

    Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  65–68
  11. Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой

    Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  43–46
  12. Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs

    Квантовая электроника, 54:4 (2024),  218–223
  13. Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями

    Квантовая электроника, 54:2 (2024),  100–103
  14. Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  678–683
  15. Низковольтные гетеротиристоры InP для генерации импульсов тока длительностью 50–150 ns

    Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  29–32
  16. Особенности мощных однозарядных фотодиодов на основе гетероструктур InGaAs/InP

    Квантовая электроника, 53:11 (2023),  883–886
  17. Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs

    Квантовая электроника, 53:8 (2023),  667–671
  18. Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4–5 мкм

    Квантовая электроника, 53:8 (2023),  641–644
  19. Новые оптические передающие модули высокой надежности на основе мощных суперлюминесцентных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм

    Квантовая электроника, 53:7 (2023),  561–564
  20. Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм

    Квантовая электроника, 53:5 (2023),  370–373
  21. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа

    Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16
  22. Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  16–19
  23. Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками

    Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1079–1087
  24. Перестраиваемый одночастотный полупроводниковый лазерный модуль с длиной волны излучения 1064 нм

    Квантовая электроника, 52:9 (2022),  775–778
  25. Pin-фотодиод на основе InGaAs/InP для фотоприемных устройств систем импульсной лазерной дальнометрии

    Квантовая электроника, 52:7 (2022),  671–675
  26. Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов

    Квантовая электроника, 52:6 (2022),  577–579
  27. Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом

    Квантовая электроника, 52:2 (2022),  179–181
  28. Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

    Квантовая электроника, 52:2 (2022),  174–178
  29. Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  466–472
  30. Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  46–50
  31. Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм

    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  912–914
  32. Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом

    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  909–911
  33. Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой

    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  905–908
  34. Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов

    Квантовая электроника, 51:4 (2021),  283–286
  35. Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом

    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  133–136
  36. Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур

    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  124–128
  37. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером

    Квантовая электроника, 50:12 (2020),  1123–1125
  38. Тройной интегрированный лазер-тиристор

    Квантовая электроника, 50:11 (2020),  1001–1003
  39. Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP

    Квантовая электроника, 50:9 (2020),  830–833
  40. Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм

    Квантовая электроника, 50:6 (2020),  600–602
  41. Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs

    Квантовая электроника, 50:5 (2020),  489–492
  42. Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм

    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  143–146
  43. Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  7–11
  44. Двойной интегрированный лазер-тиристор

    Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013
  45. Суперлюминесцентные диоды на основе двухслойных асимметричных наногетероструктур

    Квантовая электроника, 49:10 (2019),  931–935
  46. Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

    Квантовая электроника, 49:10 (2019),  905–908
  47. Cуперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 770–790 нм на основе полупроводниковых наноструктур с узкими квантовыми ямами

    Квантовая электроника, 49:9 (2019),  810–813
  48. Влияние параметров квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на пороговую плотность тока лазерных диодов

    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  529–534
  49. Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером

    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  519–521
  50. Импульсный лазерный модуль спектрального диапазона 1500–1600 нм на основе мощного полупроводникового лазера

    Квантовая электроника, 49:5 (2019),  488–492
  51. THz stimulated emission from simple superlattice in positive differential conductivity region

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  463
  52. Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs

    Квантовая электроника, 48:11 (2018),  993–995
  53. Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм

    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  197–200
  54. Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%

    Квантовая электроника, 47:8 (2017),  693–695
  55. Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%

    Квантовая электроника, 47:4 (2017),  291–293
  56. Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами

    Квантовая электроника, 47:3 (2017),  272–274
  57. Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al0.45Ga0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии

    Квантовая электроника, 46:5 (2016),  447–450
  58. Стимулированные излучения при переходах между лестницами Ванье–Штарка в полупроводниковых сверхрешетках

    Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015),  235–239
  59. Полупроводниковые лазеры с полосой непрерывной перестройки более 100 нм в "ближайшем" ИК диапазоне спектра

    Квантовая электроника, 45:8 (2015),  697–700
  60. Исследование условий формирования массивов квантовых точек капельным методом в системе InAs/GaAs при МОС-гидридной эпитаксии

    ЖТФ, 84:1 (2014),  79–85
  61. Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм

    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  716–718
  62. Лазерные излучатели ($\lambda$ = 808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  120–124
  63. Решетки лазерных диодов с повышенной мощностью и яркостью импульсного излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  104–108
  64. Широкополосные полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 – 1100 нм

    Квантовая электроника, 43:11 (2013),  994–998
  65. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью

    Квантовая электроника, 43:10 (2013),  895–897
  66. Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP

    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  822–823
  67. Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм

    Квантовая электроника, 43:9 (2013),  819–821
  68. Широкополосные суперлюминесцентные диоды диапазона 800 – 900 нм с колоколообразной формой спектра

    Квантовая электроника, 43:8 (2013),  751–756
  69. Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм

    Квантовая электроника, 43:6 (2013),  509–511
  70. Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850 – 870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами

    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  407–409
  71. Суперлюминесцентные диоды "ближайшего" ИК диапазона с шириной спектра 100 нм

    Квантовая электроника, 42:11 (2012),  961–963
  72. Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений

    Квантовая электроника, 42:1 (2012),  15–17
  73. Лазерные диоды с несколькими излучающими областями ($\lambda$ = 800–1100 нм) на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  528–534
  74. Широкополосные суперлюминесцентные диоды и полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 — 800 нм

    Квантовая электроника, 41:8 (2011),  677–680
  75. Температурная зависимость пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 900–920 нм)

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1417–1421
  76. Температурная зависимость внутренних оптических потерь в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 900–920 нм)

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1411–1416
  77. Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  833–836
  78. Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  251–255
  79. Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 36:15 (2010),  82–88
  80. Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур

    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  697–699
  81. Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур

    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  682–684
  82. Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм

    Квантовая электроника, 39:8 (2009),  723–726
  83. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом

    Квантовая электроника, 39:1 (2009),  18–20
  84. Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм

    Квантовая электроника, 38:11 (2008),  989–992

  85. Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ

    УФН, 194:1 (2024),  98–105

© МИАН, 2026