Некоркин Сергей Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС
   
   Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  134–138
2. Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах
   
   ЖТФ, 91:9 (2021),  1409–1414
3. Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1718–1720
4. Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1159–1163
5. Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  345–350
6. Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1460–1463
7. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446
8. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)
   
   Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74
9. Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями
   
   Квантовая электроника, 48:4 (2018),  390–394
10. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582
11. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533
12. Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1443–1446
13. Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1410–1413
14. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  695–698
15. Влияние “объема” активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  75–78
16. Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1576–1582
17. Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1509–1512
18. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  596–599
19. Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1619–1622
20. Полупроводниковый лазер с туннельным $p$–$n$-переходом и выходом излучения через подложку
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1489–1491
21. Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  175–178
22. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  11–14
23. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge
    
    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  72–78
24. Излучательные характеристики лазерных диодов на основе соединений А3В5, выращенных на германиевой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  105–110
25. Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs-лазере на германиевой подложке
    
    Квантовая электроника, 45:3 (2015),  204–206
26. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903
27. Экспериментальное определение оптимального количества квантовых ям в многоямных гетеролазерах с вытеканием излучения через подложку
    
    Письма в ЖТФ, 40:10 (2014),  52–57
28. Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью
    
    Квантовая электроника, 44:4 (2014),  286–288
29. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1486–1488
30. Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb–InGaAs)/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1231–1235
31. Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах
    
    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  401–406
32. Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку
    
    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  931–933
33. Аномальные характеристики лазеров с большим числом квантовых ям
    
    ЖТФ, 81:7 (2011),  149–151
34. Одновременная генерация мод TE$_1$ и TE$_2$ с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  652–656
35. Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1494–1497
36. Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 36:4 (2010),  81–87