Дикарева Наталья Васильевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование вертикального графена на поверхности арсенид-галлиевых структур
   
   Физика твердого тела, 65:4 (2023),  669–675
2. InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17–1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  495–500
3. Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах
   
   ЖТФ, 91:9 (2021),  1409–1414
4. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  868–872
5. Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1718–1720
6. Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1460–1463
7. Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями
   
   Квантовая электроника, 48:4 (2018),  390–394
8. Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb
   
   Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1410–1413
9. Влияние “объема” активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  75–78
10. Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1619–1622
11. Полупроводниковый лазер с туннельным $p$–$n$-переходом и выходом излучения через подложку
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1489–1491
12. Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  175–178
13. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  11–14
14. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge
    
    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  72–78
15. Излучательные характеристики лазерных диодов на основе соединений А3В5, выращенных на германиевой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  105–110
16. Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs-лазере на германиевой подложке
    
    Квантовая электроника, 45:3 (2015),  204–206
17. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903
18. Экспериментальное определение оптимального количества квантовых ям в многоямных гетеролазерах с вытеканием излучения через подложку
    
    Письма в ЖТФ, 40:10 (2014),  52–57
19. Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью
    
    Квантовая электроника, 44:4 (2014),  286–288
20. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1486–1488
21. Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb–InGaAs)/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1231–1235
22. Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах
    
    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  401–406
23. Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку
    
    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  931–933