Гаврищук Евгений Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние процедуры легирования железом CVD-ZnSe с помощью высокотемпературной диффузии на состав и пространственное распределение примесно-дефектных центров
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  695–702
2. Люминесцентные характеристики легированного хромом с помощью высокотемпературной диффузии CVD–ZnSe
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  476–483
3. Применение горячего изостатического прессования для улучшения оптических характеристик поликристаллического сульфида цинка
   
   Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  40–42
4. Влияние атмосферы отжига на люминесцентные характеристики CVD–ZnSe
   
   Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  85–96
5. Изучение многополосного экситонного спектра ZnSe в области 477–490 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  80–84
6. Исследование пространственного распределения люминесценции в диапазоне 0.44–0.75 мкм CVD-ZnSe, легированного алюминием и железом
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  410–419
7. Кинетика затухания люминесценции примесных центров Fe²⁺ в поликристаллическом кристалле ZnSe при возбуждении электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 50:8 (2020),  730–733
8. Оже-эффект тушения свободными электронами возбужденного состояния Fe²⁺ в ZnSe
   
   Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1175–1177
9. Применение ИК микроскопии для прецизионного контроля диффузионных профилей распределения примесей железа и хрома в халькогенидах цинка
   
   ЖТФ, 88:7 (2018),  1110–1115
10. Эффективная генерация Fe²⁺ : ZnSe-лазера при комнатной температуре с накачкой излучением Er : YAG-лазера с пассивной модуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 47:9 (2017),  831–834
11. Импульсно-периодический Fe : ZnSe-лазер со средней мощностью излучения 20 Вт при комнатной температуре поликристаллического активного элемента
    
    Квантовая электроника, 47:4 (2017),  303–307
12. Нелинейное пропускание поликристалла ZnSe : Fe²⁺, легированного диффузионным методом, на длине волны 2940 нм при низкой и комнатной температурах
    
    Квантовая электроника, 47:2 (2017),  111–115
13. Масштабирование энергетических характеристик лазера на поликристалле ZnSe:Fe$^{2+}$ при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 45:9 (2015),  823–827
14. Генерация лазера на поликристаллическом Cr²⁺:ZnSe с нелегированными торцами
    
    Квантовая электроника, 45:1 (2015),  8–10
15. Лазер на ZnSe:Fe²⁺ с большой энергией излучения, работающий при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 44:6 (2014),  505–506
16. Лазерная керамика Yb : (YLa)₂O₃, полученная методом микроволнового спекания
    
    Квантовая электроника, 43:4 (2013),  396–400
17. Генерация на поликристаллическом Cr²⁺:ZnSe c накачкой излучением импульсно-периодического Tm:YLF-лазера
    
    Квантовая электроника, 40:12 (2010),  1109–1111