Михеев Леонид Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Достижение пиковой мощности излучения 40 ТВт лазерной гибридной фемтосекундной системы видимого диапазона
   
   Квантовая электроника, 49:10 (2019),  901–904
2. Роль дисперсии в механизме самосокращения фемтосекундных импульсов в керровских материалах
   
   Квантовая электроника, 49:4 (2019),  302–306
3. Самосокращение фемтосекундных импульсов в керровских средах: роль модуляционной неустойчивости в формировании спектра
   
   Квантовая электроника, 48:4 (2018),  306–312
4. Измерение коэффициента усиления активной среды Xe₂Cl с оптической накачкой
   
   Квантовая электроника, 47:8 (2017),  701–704
5. Формирование и усиление импульсов длительностью 50 пс в гибридной лазерной системе THL-100
   
   Квантовая электроника, 47:3 (2017),  184–187
6. Фазовая самомодуляция в тонком кварце в сходящемся пучке отрицательно чирпированного фемтосекундного излучения
   
   Квантовая электроника, 45:5 (2015),  415–420
7. Гибридные фемтосекундные системы видимого диапазона на основе XeF(C–A)-усилителя: состояние и перспективы
   
   Квантовая электроника, 43:3 (2013),  190–200
8. Явление уширения спектра и самокомпрессии отрицательно чирпированных фемтосекундных импульсов видимого диапазона в кварце
   
   Квантовая электроника, 42:12 (2012),  1097–1099
9. Мультитераваттная фемтосекундная система гибридного типа на основе фотодиссоционного XeF(C — A)-усилителя видимого диапазона
   
   Квантовая электроника, 42:5 (2012),  377–378
10. Усиление коротких световых импульсов со сферическим волновым фронтом
    
    Квантовая электроника, 38:10 (2008),  969–975
11. Оценка перспектив возбуждения активной среды Xe₂Cl лазерным излучением для усиления фемтосекундных импульсов
    
    Квантовая электроника, 35:11 (2005),  984–986
12. Фотохимические лазеры на электронных переходах молекул
    
    Квантовая электроника, 32:12 (2002),  1122–1132
13. Численное моделирование активной среды и исследование источника накачки для разработки фотохимического XeF(C–A)-усилителя фемтосекундных оптических импульсов
    
    Квантовая электроника, 31:7 (2001),  617–622
14. Оптическая накачка химических HF-лазеров на основе смесей NF₃–H₂ и ClF₅–H₂ открытым поверхностным разрядом в режиме волны просветления
    
    Квантовая электроника, 31:7 (2001),  611–616
15. Газовые смеси ксенона с водородом как активные лазерные среды
    
    Квантовая электроника, 15:8 (1988),  1670–1675
16. Измерение абсолютного квантового выхода люминесценции Xe₂Cl* в смесях Cl₂–Xe
    
    Квантовая электроника, 14:7 (1987),  1397–1398
17. Оптическая накачка газовых лазеров на основе ксенона
    
    Квантовая электроника, 14:7 (1987),  1393–1396
18. Лазерная генерация на KrCl при оптическом возбуждении
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2197–2198
19. Лазерная генерация на Xe₂Cl с оптической накачкой
    
    Квантовая электроника, 12:9 (1985),  1954–1955
20. Сравнительный анализ широкополосных эксимерных лазеров с оптической и электронной накачками
    
    Квантовая электроника, 12:1 (1985),  180–183
21. Об эффективности XeF-лазера с оптической накачкой
    
    Квантовая электроника, 11:9 (1984),  1750–1756
22. Фотодиссоционный XeF-лазер с КПД генерации около 1 %
    
    Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1080–1081
23. Измерения абсолютного квантового выхода люминесценции при возбуждении ВУФ-излучением смесей Cl$_2$ с Ar, Kr и Xe
    
    Квантовая электроника, 11:2 (1984),  354–365
24. Об особенностях использования смеси газов H₂–He в качестве активной лазерной среды при оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  197–199
25. Оптические неоднородности в волне просветления активной среды фотохимического Kr₂F-лазера
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1868–1871
26. О допустимом нагреве среды и удельном энергосъёме в УФ J₂-лазере с оптической накачкой
    
    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  904–905
27. О механизме образования эксимера XeJ(B) при фотовозбуждении смеси Xe–J₂
    
    Квантовая электроника, 10:4 (1983),  833–837
28. Сине-зеленая лазерная генерация на JF при широкополосной оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 9:5 (1982),  1064–1065
29. Исследование J₂(D'–A')-лазера с широкополосной оптической накачкой
    
    Квантовая электроника, 9:3 (1982),  573–582
30. Исследование люминесценции в области 420 нм при фотолизе KrF₂ в смесях Ar, Kr, N₂
    
    Квантовая электроника, 8:10 (1981),  2183–2190
31. Определение спектральных зависимостей абсолютных квантовых выходов образования эксимеров XeF(B, C, D) при фотолизе XeF₂
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1945–1952
32. Исследование люминесценции и спектра возбуждения молекулярного йода
    
    Квантовая электроника, 8:5 (1981),  1138–1141
33. Наблюдение генерации на переходе B–X эксимера HeF при фотодиссоциации KrF₂ в смесях с Xe
    
    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  373–375
34. Лазерная генерация на трехатомном эксимере $Kr_2F$ при оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2660–2661
35. Механизм образования люминесценции в синей области при участии эксимеров $ArKrF^*$ и $KrN_2F^*$
    
    Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1562–1563
36. О предельных характеристиках фотохимического $XeO$-лазера
    
    Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1482–1491
37. Импульсно-периодический режим работы йодного УФ лазера с накачкой излучением кварцевых ламп
    
    Квантовая электроника, 6:9 (1979),  2033–2034
38. Энергетические характеристики фотохимического ХеО-лазера
    
    Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1513–1522
39. Определение спектральных зависимостей абсолютных квантовых выходов образования O($^1$S) методом наблюдения люминесценции XeO$^*$. I. Фотолиз CO$_2$ и N$_2$O
    
    Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1430–1441
40. Генерация на связанно-свободном переходе C(3/2) – A(3/2) молекулы XeF при фотодиссоциации XeF₂
    
    Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1074
41. Тушение возбужденного атома йода J (5²P_1/2) на молекулах со связью С–J
    
    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2461–2463
42. Исследование фотохимического лазера на молекуле ХеО
    
    Квантовая электроника, 5:7 (1978),  1456–1464
43. Газовые лазеры с широкополосной оптической накачкой (обзор)
    
    Квантовая электроника, 5:6 (1978),  1189–1220
44. Генерация на переходе B(1/2)–X²Σ⁺ молекулы XeF при фотодиссоциации XeF₂
    
    Квантовая электроника, 4:11 (1977),  2453
45. Лазер на электронном переходе радикалов CN с оптической накачкой излучением открытого сильноточного разряда
    
    Квантовая электроника, 4:9 (1977),  2057–2058
46. УФ лазер на молекулярном йоде с оптической накачкой
    
    Квантовая электроника, 4:3 (1977),  638
47. Лазерная генерация на молекуле ХеО при оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 3:4 (1976),  930–932
48. Фотохимический лазер на электронно-колебательном переходе S₂ ( ¹Σ⁺_g–³Σ^–_g)
    
    Квантовая электроника, 2:4 (1975),  799–806
49. Исследование процессов, сопровождающих фотолиз SPF₃
    
    Квантовая электроника, 1:2 (1974),  394–400


50. Памяти Виталия Сергеевича Зуева
    
    Квантовая электроника, 44:4 (2014),  392
51. Памяти Геннадия Алексеевича Кириллова (25 июля 1933 г. – 22 сентября 2013 г.)
    
    Квантовая электроника, 43:10 (2013),  988
52. К 80-летию В. С. Зуева
    
    Квантовая электроника, 43:7 (2013),  690
53. К семидесятилетию В. С. Зуева
    
    Квантовая электроника, 33:8 (2003),  751
54. Виталий Сергеевич Зуев (к пятидесятилетию со дня рождения)
    
    Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1520