|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Метастабильные состояния электронной подсистемы гетероструктур GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As с квантовыми ямами, применяемых для создания детекторов дальнего инфракрасного диапазона
Письма в ЖТФ, 51:3 (2025), 54–57
-
Одноэлектронный спектр короткопериодной InAs/GaSb сверхрешетки с интерфейсной компенсацией напряжений
Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 354–358
-
Гибридный фотоприемник среднего инфракрасного диапазона на основе полупроводниковых квантовых ям
Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 33–36
-
Влияние интерфейсных эффектов на электронный спектр структур GaAs/AlGaAs, используемых для создания фотоприемных устройств среднего ИК-диапазона
Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 3–6
-
Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучение в GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазона
Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1632–1640
-
Твердый раствор Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Te (0 $\le x \le$ 1) – материал для вертикально-излучающих лазеров в средней инфракрасной области спектра 4–5 мкм
Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 229–235
-
Роль междолинного рассеяния в излучательной рекомбинации твердого раствора Pb$_{1-x}$Eu$_x$Te (0 $\le x\le$ 1)
Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 745–750
-
Уширение и расщепление спектров излучения квантового каскадного лазера на основе GaInAs/AlInAs в квантующем магнитном поле
Квантовая электроника, 43:2 (2013), 144–146
-
Дисперсия показателя преломления эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb$_{1-x}$Eu$_x$Te (0 $\le x\le$ 1) ниже края поглощения
Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011), 1014–1020
-
Зависимость спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb$_{1-x}$Eu$_x$Te (0 $\le x\le$ 0.1) от условий выращивания
Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010), 891–896
-
Квантовый каскадный лазер (λ ~ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии
Квантовая электроника, 40:2 (2010), 95–97
© , 2026