Сычугов Владимир Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности поверхностных фоторефрактивных волн в нелинейном кристалле SBN-75, покрытом металлической пленкой
   
   Квантовая электроника, 43:1 (2013),  14–20
2. Комбинированный волновод на фоторефрактивном кристалле
   
   Квантовая электроника, 41:10 (2011),  924–928
3. Поверхностная фоторефрактивная волна на границе фоторефрактивного кристалла, покрытого металлом
   
   Квантовая электроника, 41:3 (2011),  262–266
4. Нелинейные поверхностные волны на границе фоторефрактивного кристалла
   
   Квантовая электроника, 40:5 (2010),  437–440
5. Моды системы связанных волноводов, лежащие в ее запрещенной зоне
   
   Квантовая электроника, 39:8 (2009),  770–773
6. Поверхностные волны на границе фотонных кристаллов и туннельная связь двух фотонных кристаллов посредством этих волн
   
   Квантовая электроника, 39:1 (2009),  94–97
7. Распространение света в одномерном фотонном кристалле: анализ методом функции Флоке–Блоха
   
   Квантовая электроника, 38:5 (2008),  452–461
8. Поверхностные волны на границе системы связанных волноводов
   
   Квантовая электроника, 37:10 (2007),  981–984
9. Возбуждение мод утечки в системе связанных волноводов
   
   Квантовая электроника, 37:6 (2007),  580–583
10. Узкополосный оптический фильтр на базе интерферометра Фабри–Перо с двумя волноводно-решеточными зеркалами
    
    Квантовая электроника, 37:5 (2007),  475–478
11. Пространственный фурье-анализ мод на выходе однородной ограниченной системы связанных волноводов
    
    Квантовая электроника, 36:7 (2006),  653–655
12. Интегрально-оптический демультиплексор на основе волноводной структуры SiO₂–SiON
    
    Квантовая электроника, 35:12 (2005),  1163–1166
13. Распространение света в цилиндрической системе туннельно связанных волноводов
    
    Квантовая электроника, 35:10 (2005),  917–920
14. Ограниченная однородная система туннельно-связанных волноводов и брэгговская дифракция света в ней
    
    Квантовая электроника, 35:6 (2005),  554–558
15. Интегрально-оптический аналог эшелона Майкельсона, его основные свойства и приложения
    
    Квантовая электроника, 34:8 (2004),  755–760
16. Реализация неоднородной системы связанных волноводов и распространение света в ней
    
    Квантовая электроника, 34:4 (2004),  371–374
17. Узкополосный оптический фильтр на основе интерферометра Фабри–Перо с одним волноводно-решеточным зеркалом
    
    Квантовая электроника, 33:8 (2003),  695–698
18. Распространение света в системе прямолинейных и криволинейных связанных канальных волноводов
    
    Квантовая электроника, 33:4 (2003),  342–348
19. Волны шепчущей галереи в волоконных световодах
    
    Квантовая электроника, 32:8 (2002),  738–742
20. Узкополосный оптический фильтр на основе гофрированного одномерного фотонного кристалла
    
    Квантовая электроника, 32:6 (2002),  531–534
21. Изменение спектрального состава оптических мод шепчущей галереи в квазицилиндрическом микрорезонаторе под действием акустического импульса давления
    
    Квантовая электроника, 32:6 (2002),  471–472
22. Взаимодействие электромагнитных волн типа волн шепчущей галереи с акустическими волнами в конусных кварцевых стержнях
    
    Квантовая электроника, 31:12 (2001),  1089–1094
23. Сканирование частоты лазера с резонатором Литтмана–Меткалфа с помощью электрооптического дефлектора
    
    Квантовая электроника, 31:9 (2001),  825–828
24. Простой метод оптимизации параметров комбинированной дифракционной решетки в схеме скользящего падения
    
    Квантовая электроника, 31:1 (2001),  72–78
25. Перестраиваемый широкоапертурный полупроводниковый лазер с внешним волноводно-решеточным зеркалом
    
    Квантовая электроника, 31:1 (2001),  35–38
26. Автоколлимационные дифракционные решетки на основе волноводов с модами утечки
    
    Квантовая электроника, 30:12 (2000),  1094–1098
27. Волноводы с модами утечки в слоистых диэлектрических решетках
    
    Квантовая электроника, 30:1 (2000),  69–72
28. Коротковолновый (λ = 914 нм) микролазер на кристалле YVO₄:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 30:1 (2000),  13–14
29. Радиационно- и туннельно-связанные поверхностные электромагнитные волны в металлодиэлектрических структурах
    
    Квантовая электроника, 28:3 (1999),  262–266
30. Многослойное волноводно-решеточное зеркало в резонаторе Фабри — Перо твердотельного лазера на основе александрита
    
    Квантовая электроника, 26:2 (1999),  175–178
31. Высокоэффективные дифракционные решетки для работы в схеме Литтмана — Меткалфа
    
    Квантовая электроника, 25:11 (1998),  1009–1012
32. Длиннопробежные плазмоны в асимметричной четырехслойной структуре металл–диэлектрик
    
    Квантовая электроника, 25:7 (1998),  665–669
33. Аномальное отражение света от поверхности тонкой металлической гофрированной пленки
    
    Квантовая электроника, 24:9 (1997),  815–819
34. Отражение ограниченного пучка света на волноводной решетке ограниченных размеров
    
    Квантовая электроника, 24:5 (1997),  457–461
35. Радиационно-связанные волноводы «нового» типа и генерация света в них
    
    Квантовая электроника, 24:4 (1997),  377–380
36. Спектральная селективность систем, состоящих из туннельно-связанных волноводов с сильно различающимися параметрами
    
    Квантовая электроника, 23:6 (1996),  567–570
37. Направленный ответвитель на основе изогнутых канальных К⁺-волноводов в стекле
    
    Квантовая электроника, 23:5 (1996),  469–472
38. Возбуждение гофрированного волновода нормально падающим пучком света
    
    Квантовая электроника, 22:6 (1995),  608–612
39. Линейный волноводный модулятор в диапазоне модуляции оптической мощности более 50%
    
    Квантовая электроника, 22:5 (1995),  503–508
40. Лазерная система из нескольких активных элементов, объединенных одномодовыми разветвителями
    
    Квантовая электроника, 21:12 (1994),  1141–1144
41. Оптимизация решеточного узла ввода–вывода излучения из тонкопленочного волновода, сформированного на кремниевой подложке
    
    Квантовая электроника, 21:11 (1994),  1090–1092
42. Голографические фокусирующие решетки на поверхности оптических волноводов
    
    Квантовая электроника, 21:5 (1994),  481–482
43. Радиационно-связанные гофрированные волноводы
    
    Квантовая электроника, 21:5 (1994),  478–480
44. Голографические антенные решетки на поверхности оптических волноводов
    
    Квантовая электроника, 21:5 (1994),  475–477
45. Распространение света в системе двух радиационно-связанных волноводов
    
    Квантовая электроника, 21:5 (1994),  471–474
46. Стойкие к оптическому излучению дифракционные решетки для использования в лазерных резонаторах
    
    Квантовая электроника, 21:3 (1994),  250–252
47. Узкополосный лазер на основе волокна, легированного Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 21:1 (1994),  21–22
48. Несимметричный Y-ответвитель на основе изогнутых канальных K⁺-волноводов в стекле
    
    Квантовая электроника, 20:1 (1993),  71–75
49. Заглубленные канальные волноводы в фильтрах TE-мод ${\lambda=0.85}$ мкм
    
    ЖТФ, 62:12 (1992),  159–163
50. Метод эффективного возбуждения полупроводникового волновода с помощью одномодового волоконного световода
    
    ЖТФ, 62:10 (1992),  170–174
51. Образование периодических структур с участием волноводных мод при лазерном воздействии на поверхность волновода
    
    ЖТФ, 62:3 (1992),  174–180
52. Генерация света в системе двух радиационно связанных волноводов
    
    Квантовая электроника, 19:11 (1992),  1116–1119
53. Параметры одномодовых ионнообменных Ag⁺-вoлнoводов в стекле
    
    Квантовая электроника, 19:4 (1992),  365–368
54. Неколлинеарная геометрия высокоэффективного возбуждения гофрированного волновода
    
    Квантовая электроника, 19:2 (1992),  188–190
55. Новый способ определения параметров канального волновода
    
    Квантовая электроника, 19:2 (1992),  185–187
56. Эффективные дифракционные элементы для волн $TE$-поляризации
    
    ЖТФ, 61:9 (1991),  124–129
57. Влияние поляризации падающего гауссова пучка света на эффективность возбуждения гофрированного волновода
    
    ЖТФ, 61:9 (1991),  82–86
58. Расчет параметров экситона в напряженных КЯ структурах на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1787–1791
59. Простой метод фокусировки лазерного излучения на поверхность канального волновода
    
    Письма в ЖТФ, 17:20 (1991),  1–5
60. Волоконный расширитель волноводного пучка света
    
    ЖТФ, 60:4 (1990),  195–197
61. Насыщение поглощения поверхностной электромагнитной волны в системе металл$-$поглощающий газ
    
    ЖТФ, 60:2 (1990),  85–90
62. Оптимальная геометрия решеточного элемента ввода света в оптический волновод
    
    Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  81–84
63. Изооптическая селекция молекул гексафторида серы при диффузии через металлизированную пористую мембрану в поле поверхностной электромагнитной волны
    
    Письма в ЖТФ, 16:3 (1990),  32–35
64. Оптическая бистабильность при возбуждении нелинейного гофрированного волновода
    
    Квантовая электроника, 17:7 (1990),  933–937
65. Двухслойные волноводы с гофрированными границами и излучение света из них
    
    ЖТФ, 59:11 (1989),  38–47
66. Оптические волноводы InGaAs/GaAs для ближнего ИК диапазона
    
    ЖТФ, 59:9 (1989),  161–163
67. Поверхностные электромагнитные волны ИК диапазона в составном открытом волноводе
    
    ЖТФ, 59:7 (1989),  153–157
68. Высокоэффективный решеточный элемент связи
    
    ЖТФ, 59:7 (1989),  61–65
69. Фокусирующая решетка на волокне и способ ее изготовления
    
    Письма в ЖТФ, 15:12 (1989),  13–16
70. Аномальное отражение света от поверхности гофрированного волновода с усилением
    
    Квантовая электроника, 16:2 (1989),  351–354
71. Однонаправленный вывод излучения из комбинированного диэлектрического волновода
    
    Квантовая электроника, 16:2 (1989),  338–343
72. Простой метод сочленения (стыковки) волоконных световодов с планарным волноводом в устройствах спектрального уплотнения каналов связи
    
    ЖТФ, 58:9 (1988),  1786–1788
73. Использование УФ-облучения для создания элементов интегральной оптики на ниобате лития
    
    Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  1002–1005
74. О возможности управления ИК отражением хаотически шероховатой поверхности ВеО посредством нанесения резонансных периодических структур
    
    Квантовая электроника, 15:4 (1988),  852–854
75. Источники излучения для ВОЛС со спектральным уплотнением информационных каналов в диапазоне 1,3–1,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 15:4 (1988),  702–704
76. Интерференция волноводных мод при отражении света от поверхности гофрированного волновода
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  575–578
77. Оптимизация характеристик дисперсионного элемента на основе гофрированного волновода
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  569–574
78. Узкополосный брегговский отражающий фильтр на одномодовом волокне
    
    ЖТФ, 57:6 (1987),  1191–1194
79. Отражение ограниченного пучка света от поверхности периодически возмущенного волновода
    
    ЖТФ, 57:2 (1987),  386–389
80. Образование периодического микрорельефа на поверхности волноводной структуры под действием лазерного излучения
    
    ЖТФ, 57:1 (1987),  199–202
81. Одночастотный полупроводниковый лазер с $\lambda=1.3$ мкм c волоконным внешним резонатором
    
    Письма в ЖТФ, 13:14 (1987),  849–854
82. Интегрально-оптический поляризатор на основе заглубленного волновода в стекле
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1151–1152
83. Отражение света от поверхности двусторонне гофрированного волновода и особенности распространения света в нем
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1140–1143
84. Планарные волноводы с модами утечки и определение их параметров
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  884–886
85. Анализ структурных изменений на поверхности слоистой среды, подверженной воздействию лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  67–70
86. Формирование « продольного» микрорельефа на поверхности прозрачных тел под действием лазерного излучения
    
    ЖТФ, 56:8 (1986),  1637–1640
87. Оптико-геометрический подход к задаче о неколлинеарном распространении света в гофрированном волноводе
    
    ЖТФ, 56:3 (1986),  521–526
88. Простой датчик – измеритель узких линий генерации одночастотных лазеров
    
    Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1316–1320
89. Отражение гауссова пучка света от поверхности гофрированного волновода
    
    Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2353–2355
90. Спектральные и лазерные характеристики зеркала с гофрированным волноводом на его поверхности
    
    Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1629–1632
91. Дисперсионный элемент на сполированной оболочке одномодового волоконного световода
    
    Квантовая электроника, 13:2 (1986),  440–442
92. Моды Ценнека–Зоммерфельда на поверхности кристаллического кварца
    
    Физика твердого тела, 27:1 (1985),  198–200
93. Высокоэффективное возбуждение ПЭВ на гофрированной поверхности металла
    
    ЖТФ, 55:6 (1985),  1136–1141
94. О природе приповерхностного излучения ПЭВ на гофрированной поверхности металла
    
    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  979–983
95. Отражение света от поверхности гофрированного волновода
    
    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  971–976
96. К выявлению механизма затухания ПЭВ ИК диапазона на поверхности пленок меди
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  951–953
97. Теплофизический механизм углубления и движения периодических структур на германии
    
    Письма в ЖТФ, 11:10 (1985),  621–627
98. О возможности экспериментального выявления теплофизического механизма образования периодических поверхностных структур
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2377–2379
99. Об использовании ВеО в лазерах среднего ИК диапазона
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2350–2353
100. Полное отражение света от гофрированной поверхности диэлектрического волновода
     
     Квантовая электроника, 12:7 (1985),  1334–1336
101. Движение периодического поверхностного микрорельефа под действием мощного лазерного излучения
     
     Квантовая электроника, 12:3 (1985),  650–652
102. Исследование процесса возбуждения ПЭВ на гофрированной поверхности металла
     
     ЖТФ, 54:11 (1984),  2119–2125
103. Узкополосный интегрально-оптический фильтр
     
     ЖТФ, 54:8 (1984),  1555–1558
104. Влияние жидкого волновода на процесс образования решеток при фототравлении полупроводников
     
     Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2125–2129
105. Периодический микрорельеф на поверхности Ge и теплофизический механизм его образования
     
     Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1333–1339
106. Самоусиление модуляции диэлектрической проницаемости поверхности германия под действием мощной световой волны
     
     Письма в ЖТФ, 10:18 (1984),  1089–1094
107. Приповерхностное излучение ПЭВ при распространении по гофрированной поверхности металла
     
     Письма в ЖТФ, 10:12 (1984),  713–717
108. « Новый вид» поверхностного микрорельефа как следствие возбуждения направляемых волн
     
     Письма в ЖТФ, 10:8 (1984),  491–495
109. Дифракция света на шероховатостях поверхности и ее роль в образовании периодического поверхностного микрорельефа
     
     Квантовая электроника, 11:10 (1984),  2127–2129
110. Формирование периодической структуры на поверхности жидкого металла под действием лазерного излучения
     
     Квантовая электроника, 11:9 (1984),  1850–1851
111. Дифракционный механизм формирования периодических структур при воздействии излучения на поглощающие конденсированные среды
     
     Квантовая электроника, 11:7 (1984),  1447–1454
112. Исследование отражения ПЭВ ИК диапазона на гофрированной поверхности металла
     
     Квантовая электроника, 11:7 (1984),  1411–1416
113. Многоканальный демультиплексор для оптических линий связи
     
     Квантовая электроника, 11:3 (1984),  597–601
114. Волноводный эффект в процессе фототравления полупроводников
     
     Квантовая электроника, 11:3 (1984),  437–438
115. Исследование спектральных и аберрационных характеристик уплотнителя и разуплотнителя каналов оптической связи на основе планарных волноводов
     
     ЖТФ, 53:12 (1983),  2387–2393
116. Временна́я и пространственная эволюция периодических структур, возникающих на поверхности облучаемых лазером твердых тел
     
     ЖТФ, 53:11 (1983),  2283–2286
117. Формирование периодических структур на поверхности германия под действием мощного УФ излучения
     
     Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  705–709
118. Дифракция мощной световой волны на гофрированной границе раздела двух сред
     
     Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  679–682
119. Состояние поверхности германия и ее реакция на воздействие мощного лазерного излучения
     
     Письма в ЖТФ, 9:9 (1983),  541–545
120. Резонансные преобразования ПЭВ на поверхности германия, облучаемого мощным лазерным излучением
     
     Письма в ЖТФ, 9:2 (1983),  65–68
121. Механизмы формирования периодических структур при воздействии излучения на поглощающие конденсированные среды
     
     Квантовая электроника, 10:10 (1983),  2139–2141
122. Особенности формирования периодической структуры при поглощении монохроматического излучения на поверхности твердого тела
     
     Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1039–1040
123. Простой метод расчета коэффициента затухания света в гофрированном волноводе
     
     Квантовая электроника, 10:5 (1983),  944–949
124. Возбуждение и резонансные преобразования поверхностной электромагнитной волны при облучении твердого тела мощным лазерным излучением
     
     Квантовая электроника, 10:5 (1983),  906–912
125. Интерференционные явления при срыве поверхностных электромагнитных волн с края металлической подложки
     
     Квантовая электроника, 10:3 (1983),  611–612
126. Излучение света из полоскового волновода с периодически изменяющимися параметрами
     
     Квантовая электроника, 10:3 (1983),  580–588
127. Распространение и преобразование световых волн в гофрированных волноводных структурах
     
     Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1451–1458
128. Распространение и преобразование световых волн в градиентных плоских волноводах
     
     Квантовая электроника, 9:3 (1982),  634–637
129. Делитель спектрально-уплотненных каналов на световедущей пластинке
     
     Квантовая электроника, 9:2 (1982),  429–432
130. Двумерные периодические структуры в тонкопленочных лазерах
     
     Квантовая электроника, 9:1 (1982),  44–48
131. О методике получения высокоэффективных дифракционных решеток малого периода
     
     Квантовая электроника, 8:10 (1981),  2254–2256
132. Распространение поверхностных электромагнитных волн по гофрированной границе раздела двух сред
     
     Квантовая электроника, 8:10 (1981),  2248–2251
133. Исследование диффузионных полосковых волноводов в стекле
     
     Квантовая электроника, 8:4 (1981),  779–784
134. Резонансное преобразование мод диэлектрического волновода с периодически изменяющимися параметрами
     
     Квантовая электроника, 8:4 (1981),  693–698
135. Делитель спектрально-уплотненных каналов на плоском многомодовом волноводе
     
     Квантовая электроника, 8:2 (1981),  384–386
136. Исследование интерференции света, излучаемого из диффузионного волновода
     
     Квантовая электроника, 8:2 (1981),  322–332
137. Тонкопленочный лазер на основе брегговского волновода
     
     Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2254–2256
138. О восстановлении профиля показателя преломления в диффузионных волноводах
     
     Квантовая электроника, 7:9 (1980),  2028–2031
139. О методике получения фоторезистивных решетчатых масок. Ч. II
     
     Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1785–1789
140. О методике получения фоторезистивных решетчатых масок
     
     Квантовая электроника, 7:4 (1980),  849–854
141. Интегральнооптические полосковые модуляторы на основе $LiNbO_3$
     
     Квантовая электроника, 7:4 (1980),  809–817
142. Метод связанных волн в приложении к излучающим структурам распределенной обратной связи
     
     Квантовая электроника, 7:4 (1980),  734–742
143. Исследование $Ti$-диффузных волноводов в кристаллах $LiNbO_3$ $Z$-среза
     
     Квантовая электроника, 7:3 (1980),  577–582
144. Излучение света в гофрированном диэлектрическом волноводе
     
     Квантовая электроника, 7:2 (1980),  326–331
145. Четырехканальный интегральнооптический разветвитель и уплотнитель частотных каналов
     
     Квантовая электроника, 7:1 (1980),  134–141
146. Исследование процесса формирования дифракционных решеток на поверхности оптических волноводов
     
     Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1095–1097
147. Исследование параметров плоских оптических волноводов, полученных методом ионного обмена в стекле
     
     Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1043–1047
148. Поляризационные эффекты в гофрированных оптических волноводах
     
     Квантовая электроника, 5:10 (1978),  2132–2137
149. Экспериментальное определение эффективной толщины диффузионных волноводов
     
     Квантовая электроника, 5:6 (1978),  1323–1328
150. Дифракционный метод измерения показателя преломления на поверхности материала
     
     Квантовая электроника, 5:6 (1978),  1318–1322
151. Гибридные моды в излучающих структурах распределенной обратной связи
     
     Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1057–1064
152. Асимметричные решетки на поверхности стеклянных волноводов
     
     Квантовая электроника, 5:1 (1978),  218–220
153. Расчет и оптимизация параметров излучающей структуры распределенной обратной связи. Ч. II.
     
     Квантовая электроника, 5:1 (1978),  122–125
154. Расчет и оптимизация параметров излучающей структуры распределенной обратной связи
     
     Квантовая электроника, 4:5 (1977),  989–995
155. Спектральные и генерационные свойства $(\mathrm{Li}-\mathrm{Nd})$-фосфатного стекла
     
     Докл. АН СССР, 227:1 (1976),  75–77
156. О перестройке частоты излучения тонкопленочного лазера
     
     Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2487–2490
157. Физико-химические, спектрально-люминесцентные и генерационные исследования фосфатных стекол с высокой концентрацией неодима
     
     Квантовая электроника, 3:10 (1976),  2243–2247
158. Излучение E- и H-волн на гофрированном участке диффузионного волновода
     
     Квантовая электроника, 3:10 (1976),  2227–2231
159. Диффузионные волноводы в LiNbO₃ и электрооптическая модуляция света в них
     
     Квантовая электроника, 3:9 (1976),  2074–2076
160. Отражение и излучение H и E-волн на гофрированном участке диффузионного волновода
     
     Квантовая электроника, 3:9 (1976),  1941–1947
161. Излучение E-волн на гофрированном участке волновода
     
     Квантовая электроника, 3:5 (1976),  1056–1061
162. Излучение и отражение света на гофрированном участке волновода
     
     Квантовая электроника, 2:11 (1975),  2433–2439
163. Диффузионные волноводы в стеклах и электрооптических кристаллах
     
     Квантовая электроника, 2:10 (1975),  2309–2314
164. Миниатюрный лазер и связь его с тонкопленочным оптическим волноводом
     
     Квантовая электроника, 1:12 (1974),  2576–2579
165. Излучение поверхностных световых волн на гофрированном участке тонкопленочного волновода
     
     Квантовая электроника, 1:7 (1974),  1519–1526
166. Тонкопленочный селектор мод и возможные его применения
     
     Квантовая электроника, 1:2 (1974),  444–447
167. Оптические явления в тонкопленочных волноводах
     
     УФН, 112:2 (1974),  231–273
168. Перестраиваемый тонкопленочный лазер
     
     Квантовая электроника, 1973, № 6(18),  74–78
169. Призменное возбуждающее устройство с параболическим профилем зазора
     
     Квантовая электроника, 1973, № 4(16),  101–103
170. Измерение времени релаксации τ₂₁ в кристалле Y₃Al₅O₁₂–Nd³⁺
     
     Квантовая электроника, 1972, № 5(11),  103–106


171. Поправки к статье: Волны шепчущей галереи в волоконных световодах
     
     Квантовая электроника, 32:11 (2002),  1032
172. Поправки к статье: Расчет и оптимизация параметров излучающей структуры распределенной обратной связи
     
     Квантовая электроника, 4:10 (1977),  2295