|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Люминесцентные характеристики легированного хромом с помощью высокотемпературной диффузии CVD–ZnSe
Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 476–483
-
Особенности концентрационного тушения люминесценции Fe2+ в монокристалле ZnSe
Квантовая электроника, 53:5 (2023), 395–400
-
Влияние атмосферы отжига на люминесцентные характеристики CVD–ZnSe
Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022), 85–96
-
Исследование пространственного распределения люминесценции в диапазоне 0.44–0.75 мкм CVD-ZnSe, легированного алюминием и железом
Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 410–419
-
Влияние отжига в газообразном цинке на люминесценцию в видимом и среднем ИК диапазонах ZnSe : Fe$^{2+}$
Оптика и спектроскопия, 128:11 (2020), 1710–1716
-
Исследование мощности люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров, возбуждаемых с помощью двухфотонного поглощения
Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 48–54
-
Кинетика затухания люминесценции примесных центров Fe2+ в поликристаллическом кристалле ZnSe при возбуждении электронным пучком
Квантовая электроника, 50:8 (2020), 730–733
-
Исследование влияния легирования железом на люминесценцию монокристаллов селенида цинка
Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 5–12
-
Оже-эффект тушения свободными электронами возбужденного состояния Fe2+ в ZnSe
Квантовая электроника, 49:12 (2019), 1175–1177
-
Исследование акустического сигнала при плавлении льда под действием мощного лазерного излучения с длиной волны 2940 нм
Квантовая электроника, 48:6 (2018), 516–520
-
Нелинейное пропускание поликристалла ZnSe : Fe2+, легированного диффузионным методом, на длине волны 2940 нм при низкой и комнатной температурах
Квантовая электроника, 47:2 (2017), 111–115
-
Измерение нелинейного коэффициента отражения лазерного излучения с длиной волны 2940 нм от границ раздела кварцевое стекло – вода и кварцевое стекло – этиловый спирт
Квантовая электроника, 46:7 (2016), 606–608
-
ИК люминесценция монокристаллов ZnSe:Fe2+ при возбуждении электронным пучком
Квантовая электроника, 46:6 (2016), 545–547
-
Спектры поглощения и нелинейное пропускание (на $\lambda=2940$ нм) монокристалла ZnSe:Fe$^{2+}$, легированного диффузионным методом
Квантовая электроника, 45:6 (2015), 521–526
-
Мощный компактный лазер с сегментированной продольной накачкой связанных каналов генерации
Квантовая электроника, 45:6 (2015), 508–510
-
Линейное и нелинейное пропускание кристалла ZnSe, легированного Fe2+, на длине волны 2940 нм в диапазоне температур 20 – 220 °С
Квантовая электроника, 44:3 (2014), 213–216
-
Лазер на кристалле ZnSe:Fe2+ с накачкой излучением нецепного электроразрядного HF-лазера при комнатной температуре
Квантовая электроника, 44:2 (2014), 141–144
-
ЭПР-диагностика лазерных материалов на основе кристаллов ZnSe, активированных переходными элементами
Физика твердого тела, 55:2 (2013), 234–242
-
Пространственное разделение и движение электрических зарядов, возникающих при воздействии на воду мощного лазерного ИК излучения
Квантовая электроника, 43:1 (2013), 47–54
-
О фотоакустическом мониторинге движения фронта лазерного испарения
Квантовая электроника, 40:8 (2010), 659–660
-
Суперлюминесцентный ИК излучатель на кристалле ZnSe:Fe2+, работающий при комнатной температуре
Квантовая электроника, 38:2 (2008), 95–96
-
Особенности взрывного вскипания воды под действием излучения эрбиевого лазера с модулированной добротностью
Квантовая электроника, 37:12 (2007), 1141–1142
-
Пассивная модуляция добротности лазера на стекле с эрбием с помощью кристалла ZnSe:Co2+
Квантовая электроника, 37:10 (2007), 974–980
-
О роли тепловой нелинейности при вырожденных взаимодействиях в насыщенных лазерных средах
Квантовая электроника, 37:9 (2007), 821–826
-
Фотовольтаический эффект в воде при воздействии на нее излучения YSGG:Cr3+:Yb3+:Ho3+-лазера с длиной волны 2.92 мкм
Квантовая электроника, 35:10 (2005), 959–961
-
Исследование фазовой составляющей решетки инверсной населенности в кристалле YAlO3:Nd при ламповой накачке
Квантовая электроника, 35:10 (2005), 938–942
-
Исследование нелинейного пропускания кристаллов ZnSe:Co2+ на длине волны 1.54 мкм
Квантовая электроника, 34:12 (2004), 1169–1172
-
Самосинхронизация мод с помощью пассивного затвора на основе одностенных углеродных нанотрубок в лазере на кристалле LIF : F2-
Квантовая электроника, 34:9 (2004), 785–786
-
Нелинейное пропускание одностенных углеродных нанотрубок в тяжелой воде на длине волны 1.54 мкм; получение режима самосинхронизации мод в лазере на стекле с Er3+ с помощью пассивного затвора на основе этих нанотрубок
Квантовая электроника, 34:6 (2004), 572–574
-
Использование эффекта Тальбота для определения соотношения амплитудной и фазовой составляющих решетки инверсной населенности в кристалле ИАГ:Nd при ламповой накачке
Квантовая электроника, 34:3 (2004), 283–288
-
Оценка плотности энергии насыщения в одночастотном лазере на кристалле YSGG:Cr3+:Yb3+:Ho3+ (λ = 2.92 мкм), работающем в режиме модулированной добротности
Квантовая электроника, 33:4 (2003), 312–314
-
Исследование стойкости поглощающих центров в кристалле CaF2:Pr2+ к воздействию мощного лазерного излучения
Квантовая электроника, 31:7 (2001), 597–598
-
Двухчастотная синхронизованная генерация в моноблочном GGG:Nd3+-лазере с диодной накачкой
Квантовая электроника, 31:4 (2001), 303–304
-
Двухчастотная синхронизованная генерация в YAG:Nd3+-лазере с непрерывной накачкой
Квантовая электроника, 30:9 (2000), 806–808
-
Коэффициент отражения ВРМБ-зеркала
Квантовая электроника, 28:3 (1999), 256–258
-
Модель режима пассивной модуляции добротности с учетом анизотропии нелинейного поглощения в затворе на основе кристалла с фототропными центрами
Квантовая электроника, 25:2 (1998), 155–159
-
Поляризация неодимового лазера с пассивным затвором на основе кристалла YAG:Cr4+
Квантовая электроника, 25:1 (1998), 19–22
-
Пассивная модуляция добротности неодимового лазера с помощью затвора на основе кристалла YAG:Cr4+
Квантовая электроника, 24:11 (1997), 1001–1006
-
Влияние анизотропии нелинейного поглощения в пассивном затворе YAG:Cr4+ на энергетические и поляризационные характеристики неодимового лазера
Квантовая электроника, 24:4 (1997), 307–310
-
Дихроизм кристалла LiF при необратимом пространственно-селективном разрушении $F_2^-$-центров окраски под действием излучения с $\lambda \sim$ 1.06 мкм
Квантовая электроника, 23:3 (1996), 269–272
-
Поляризационные характеристики двухфотонного поглощения в кристалле LiF:$F^-_2$ на длине волны 1.06 мкм
Квантовая электроника, 23:2 (1996), 149–153
-
Анизотропия нелинейного поглощения в кристалле ИАГ : V3+
Квантовая электроника, 22:12 (1995), 1192–1194
-
Экспериментальное исследование связи флуктуаций энергии излучения на основной частоте и частоте второй гармоники одночастотного неодимового лазера с пассивной модуляцией добротности
Квантовая электроника, 21:9 (1994), 835–837
-
Изменение формы и состояния поляризации короткого импульса света (λ ~1.06 мкм) при распространении в кристалле ИАГ:Cr4+
Квантовая электроника, 21:9 (1994), 829–834
-
Феноменологическая модель "поляризационного коллапса" излучения неодимового лазера на стекле с пассивным затвором на LiF:$F_2^-$
Квантовая электроника, 21:7 (1994), 629–632
-
"Поляризационный коллапс" излучения неодимового лазера на стекле с пассивным затвором на кристалле LiF:$F_2^-$
Квантовая электроника, 21:7 (1994), 622–628
-
Одночастотный стабильный лазер на стекле с неодимом с селектором продольных мод на основе кристалла LiF:F2–
Квантовая электроника, 19:6 (1992), 589–592
-
Приближенная теория многопроходного усиления и ее применение для аналитического описания спектральных характеристик усиливаемого излучения
Квантовая электроника, 18:11 (1991), 1386–1390
-
Генерационные исследования новых неодимовых лазерных стекол
Квантовая электроника, 18:11 (1991), 1303–1305
-
Самоиндуцированное изменение поляризации мощного резонансного излучения в кристалле LiF:F2–
Квантовая электроника, 18:8 (1991), 933–937
-
Стабильность выходной энергии импульсных твердотельных лазеров при пассивной модуляции добротности с помощью кристаллов LiF с F2–-ЦО
Квантовая электроника, 18:6 (1991), 689–692
-
Самопроизвольное сужение спектра генерации (спектральный "коллапс") в лазерах на неодиме при модуляции добротности с помощью кристаллов LiF:F2–
Квантовая электроника, 18:4 (1991), 433–436
-
Пассивная модуляция добротности резонатора лазера на 1,3 мкм с помощью ВРМБ-зеркала
Квантовая электроника, 17:11 (1990), 1475–1476
-
Приближенная теория многопроходного усиления в приложении к энергетическим характеристикам усилителя
Квантовая электроника, 17:11 (1990), 1428–1433
-
Относительные измерения эффективного сечения вынужденного излучения в средах с ионами неодима
Квантовая электроника, 17:7 (1990), 883–885
-
Мощный импульсно-периодический твердотельный лазер на неодимовом стекле с активным элементом пластинчатой формы
Квантовая электроника, 17:4 (1990), 398–403
-
Измерение тепловыделения в активных элементах твердотельных лазеров из стекол КНФС, ГЛС24, а также ИАГ:Nd при оптической накачке
Квантовая электроника, 15:12 (1988), 2508–2510
-
Активная синхронизация мод твердотельного лазера на КНФС с помощью модулятора на регулярных доменных структурах
Квантовая электроника, 15:10 (1988), 2010–2012
-
Компактный лазер на основе ГСГГ:Cr3+, Nd3+ с пассивной модуляцией добротности
Квантовая электроника, 14:5 (1987), 905–906
-
Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием
Квантовая электроника, 13:5 (1986), 973–979
-
Влияние температуры LiF(F2–) на моноимпульсный режим работы неодимового лазера на стекле
Квантовая электроника, 12:8 (1985), 1721–1724
-
Сравнительные испытания генерационных характеристик некоторых марок лазерных неодимовых стекол
Квантовая электроника, 12:4 (1985), 694–697
-
Управление параметрами лазера с затвором в составном резонаторе
Квантовая электроника, 12:2 (1985), 446–448
-
Об оптимизации параметров активных элементов в миниатюрных лазерах на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле
Квантовая электроника, 11:8 (1984), 1671–1674
-
Перестраиваемый лазер на кристалле гадолиний-скандий-галлиевого граната, работающий на электронно-колебательном переходе хрома
Квантовая электроника, 10:9 (1983), 1916–1919
-
Об одном способе изменения добротности лазера стеклянной пластинкой
Квантовая электроника, 10:2 (1983), 454–455
-
Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната, активированных ионами неодима и хрома
Квантовая электроника, 10:1 (1983), 140–144
-
Спектральный состав излучения лазера на концентрированном
Li–Nd–La-фосфатном стекле с модулятором добротности на основе кристаллов LiF($F_2^-$)
Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1842–1843
-
Генерация трёхпикосекундных импульсов излучения в лазере на концентрированном неодим-фосфатном стекле
Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1840–1842
-
Лазер с дифракционной расходимостью излучения и модуляцией добротности с помощью ВРМБ
Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1803–1808
-
Генератор лазерных импульсов наносекундной длительности на неодимовом фосфатном стекле с лазерной накачкой
Квантовая электроника, 9:8 (1982), 1733–1735
-
Лазер на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с пассивной модуляцией добротности
Квантовая электроника, 9:8 (1982), 1536–1542
-
Сенсибилизация люминесценции ионов неодима ионами хрома в кристалле Gd3Ga5O12
Квантовая электроника, 9:3 (1982), 568–573
-
Эффективность лазера на Li–Nd–La-фосфатном стекле в диапазоне малых накачек. Свободная генерация
Квантовая электроника, 8:7 (1981), 1598–1601
-
Применение концентрированного Li–Nd–La-фосфатного стекла в лазерах с модуляцией добротности
Квантовая электроника, 8:7 (1981), 1595–1598
-
Высокоэффективный импульсно-периодический лазер на концентрированном неодимовом фосфатном стекле
Квантовая электроника, 7:5 (1980), 1120–1122
-
Повышение эффективности неодимовых лазеров преобразованием излучения накачки в люминесцирующей жидкости
Квантовая электроника, 6:8 (1979), 1795–1798
-
Памяти Вячеслава Петровича Макарова (14 февраля 1938 г. – 6 августа 2019 г.)
Квантовая электроника, 49:9 (2019), 894
-
Поправка к статье: Оценка плотности энергии насыщения в одночастотном лазере на кристалле YSGG:Cr3+:Yb3+:Ho3+ (λ = 2.92 мкм), работающем в режиме модулированной добротности
Квантовая электроника, 33:6 (2003), 541
© , 2026