RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Ильичев Николай Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Люминесцентные характеристики легированного хромом с помощью высокотемпературной диффузии CVD–ZnSe

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  476–483
  2. Особенности концентрационного тушения люминесценции Fe2+ в монокристалле ZnSe

    Квантовая электроника, 53:5 (2023),  395–400
  3. Влияние атмосферы отжига на люминесцентные характеристики CVD–ZnSe

    Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  85–96
  4. Исследование пространственного распределения люминесценции в диапазоне 0.44–0.75 мкм CVD-ZnSe, легированного алюминием и железом

    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  410–419
  5. Влияние отжига в газообразном цинке на люминесценцию в видимом и среднем ИК диапазонах ZnSe : Fe$^{2+}$

    Оптика и спектроскопия, 128:11 (2020),  1710–1716
  6. Исследование мощности люминесценции экситонов и примесно-дефектных центров, возбуждаемых с помощью двухфотонного поглощения

    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  48–54
  7. Кинетика затухания люминесценции примесных центров Fe2+ в поликристаллическом кристалле ZnSe при возбуждении электронным пучком

    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  730–733
  8. Исследование влияния легирования железом на люминесценцию монокристаллов селенида цинка

    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  5–12
  9. Оже-эффект тушения свободными электронами возбужденного состояния Fe2+ в ZnSe

    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1175–1177
  10. Исследование акустического сигнала при плавлении льда под действием мощного лазерного излучения с длиной волны 2940 нм

    Квантовая электроника, 48:6 (2018),  516–520
  11. Нелинейное пропускание поликристалла ZnSe : Fe2+, легированного диффузионным методом, на длине волны 2940 нм при низкой и комнатной температурах

    Квантовая электроника, 47:2 (2017),  111–115
  12. Измерение нелинейного коэффициента отражения лазерного излучения с длиной волны 2940 нм от границ раздела кварцевое стекло – вода и кварцевое стекло – этиловый спирт

    Квантовая электроника, 46:7 (2016),  606–608
  13. ИК люминесценция монокристаллов ZnSe:Fe2+ при возбуждении электронным пучком

    Квантовая электроника, 46:6 (2016),  545–547
  14. Спектры поглощения и нелинейное пропускание (на $\lambda=2940$ нм) монокристалла ZnSe:Fe$^{2+}$, легированного диффузионным методом

    Квантовая электроника, 45:6 (2015),  521–526
  15. Мощный компактный лазер с сегментированной продольной накачкой связанных каналов генерации

    Квантовая электроника, 45:6 (2015),  508–510
  16. Линейное и нелинейное пропускание кристалла ZnSe, легированного Fe2+, на длине волны 2940 нм в диапазоне температур 20 – 220 °С

    Квантовая электроника, 44:3 (2014),  213–216
  17. Лазер на кристалле ZnSe:Fe2+ с накачкой излучением нецепного электроразрядного HF-лазера при комнатной температуре

    Квантовая электроника, 44:2 (2014),  141–144
  18. ЭПР-диагностика лазерных материалов на основе кристаллов ZnSe, активированных переходными элементами

    Физика твердого тела, 55:2 (2013),  234–242
  19. Пространственное разделение и движение электрических зарядов, возникающих при воздействии на воду мощного лазерного ИК излучения

    Квантовая электроника, 43:1 (2013),  47–54
  20. О фотоакустическом мониторинге движения фронта лазерного испарения

    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  659–660
  21. Суперлюминесцентный ИК излучатель на кристалле ZnSe:Fe2+, работающий при комнатной температуре

    Квантовая электроника, 38:2 (2008),  95–96
  22. Особенности взрывного вскипания воды под действием излучения эрбиевого лазера с модулированной добротностью

    Квантовая электроника, 37:12 (2007),  1141–1142
  23. Пассивная модуляция добротности лазера на стекле с эрбием с помощью кристалла ZnSe:Co2+

    Квантовая электроника, 37:10 (2007),  974–980
  24. О роли тепловой нелинейности при вырожденных взаимодействиях в насыщенных лазерных средах

    Квантовая электроника, 37:9 (2007),  821–826
  25. Фотовольтаический эффект в воде при воздействии на нее излучения YSGG:Cr3+:Yb3+:Ho3+-лазера с длиной волны 2.92 мкм

    Квантовая электроника, 35:10 (2005),  959–961
  26. Исследование фазовой составляющей решетки инверсной населенности в кристалле YAlO3:Nd при ламповой накачке

    Квантовая электроника, 35:10 (2005),  938–942
  27. Исследование нелинейного пропускания кристаллов ZnSe:Co2+ на длине волны 1.54 мкм

    Квантовая электроника, 34:12 (2004),  1169–1172
  28. Самосинхронизация мод с помощью пассивного затвора на основе одностенных углеродных нанотрубок в лазере на кристалле LIF : F2-

    Квантовая электроника, 34:9 (2004),  785–786
  29. Нелинейное пропускание одностенных углеродных нанотрубок в тяжелой воде на длине волны 1.54 мкм; получение режима самосинхронизации мод в лазере на стекле с Er3+ с помощью пассивного затвора на основе этих нанотрубок

    Квантовая электроника, 34:6 (2004),  572–574
  30. Использование эффекта Тальбота для определения соотношения амплитудной и фазовой составляющих решетки инверсной населенности в кристалле ИАГ:Nd при ламповой накачке

    Квантовая электроника, 34:3 (2004),  283–288
  31. Оценка плотности энергии насыщения в одночастотном лазере на кристалле YSGG:Cr3+:Yb3+:Ho3+ (λ = 2.92 мкм), работающем в режиме модулированной добротности

    Квантовая электроника, 33:4 (2003),  312–314
  32. Исследование стойкости поглощающих центров в кристалле CaF2:Pr2+ к воздействию мощного лазерного излучения

    Квантовая электроника, 31:7 (2001),  597–598
  33. Двухчастотная синхронизованная генерация в моноблочном GGG:Nd3+-лазере с диодной накачкой

    Квантовая электроника, 31:4 (2001),  303–304
  34. Двухчастотная синхронизованная генерация в YAG:Nd3+-лазере с непрерывной накачкой

    Квантовая электроника, 30:9 (2000),  806–808
  35. Коэффициент отражения ВРМБ-зеркала

    Квантовая электроника, 28:3 (1999),  256–258
  36. Модель режима пассивной модуляции добротности с учетом анизотропии нелинейного поглощения в затворе на основе кристалла с фототропными центрами

    Квантовая электроника, 25:2 (1998),  155–159
  37. Поляризация неодимового лазера с пассивным затвором на основе кристалла YAG:Cr4+

    Квантовая электроника, 25:1 (1998),  19–22
  38. Пассивная модуляция добротности неодимового лазера с помощью затвора на основе кристалла YAG:Cr4+

    Квантовая электроника, 24:11 (1997),  1001–1006
  39. Влияние анизотропии нелинейного поглощения в пассивном затворе YAG:Cr4+ на энергетические и поляризационные характеристики неодимового лазера

    Квантовая электроника, 24:4 (1997),  307–310
  40. Дихроизм кристалла LiF при необратимом пространственно-селективном разрушении $F_2^-$-центров окраски под действием излучения с $\lambda \sim$ 1.06 мкм

    Квантовая электроника, 23:3 (1996),  269–272
  41. Поляризационные характеристики двухфотонного поглощения в кристалле LiF:$F^-_2$ на длине волны 1.06 мкм

    Квантовая электроника, 23:2 (1996),  149–153
  42. Анизотропия нелинейного поглощения в кристалле ИАГ : V3+

    Квантовая электроника, 22:12 (1995),  1192–1194
  43. Экспериментальное исследование связи флуктуаций энергии излучения на основной частоте и частоте второй гармоники одночастотного неодимового лазера с пассивной модуляцией добротности

    Квантовая электроника, 21:9 (1994),  835–837
  44. Изменение формы и состояния поляризации короткого импульса света (λ ~1.06 мкм) при распространении в кристалле ИАГ:Cr4+

    Квантовая электроника, 21:9 (1994),  829–834
  45. Феноменологическая модель "поляризационного коллапса" излучения неодимового лазера на стекле с пассивным затвором на LiF:$F_2^-$

    Квантовая электроника, 21:7 (1994),  629–632
  46. "Поляризационный коллапс" излучения неодимового лазера на стекле с пассивным затвором на кристалле LiF:$F_2^-$

    Квантовая электроника, 21:7 (1994),  622–628
  47. Одночастотный стабильный лазер на стекле с неодимом с селектором продольных мод на основе кристалла LiF:F2

    Квантовая электроника, 19:6 (1992),  589–592
  48. Приближенная теория многопроходного усиления и ее применение для аналитического описания спектральных характеристик усиливаемого излучения

    Квантовая электроника, 18:11 (1991),  1386–1390
  49. Генерационные исследования новых неодимовых лазерных стекол

    Квантовая электроника, 18:11 (1991),  1303–1305
  50. Самоиндуцированное изменение поляризации мощного резонансного излучения в кристалле LiF:F2

    Квантовая электроника, 18:8 (1991),  933–937
  51. Стабильность выходной энергии импульсных твердотельных лазеров при пассивной модуляции добротности с помощью кристаллов LiF с F2-ЦО

    Квантовая электроника, 18:6 (1991),  689–692
  52. Самопроизвольное сужение спектра генерации (спектральный "коллапс") в лазерах на неодиме при модуляции добротности с помощью кристаллов LiF:F2

    Квантовая электроника, 18:4 (1991),  433–436
  53. Пассивная модуляция добротности резонатора лазера на 1,3 мкм с помощью ВРМБ-зеркала

    Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1475–1476
  54. Приближенная теория многопроходного усиления в приложении к энергетическим характеристикам усилителя

    Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1428–1433
  55. Относительные измерения эффективного сечения вынужденного излучения в средах с ионами неодима

    Квантовая электроника, 17:7 (1990),  883–885
  56. Мощный импульсно-периодический твердотельный лазер на неодимовом стекле с активным элементом пластинчатой формы

    Квантовая электроника, 17:4 (1990),  398–403
  57. Измерение тепловыделения в активных элементах твердотельных лазеров из стекол КНФС, ГЛС24, а также ИАГ:Nd при оптической накачке

    Квантовая электроника, 15:12 (1988),  2508–2510
  58. Активная синхронизация мод твердотельного лазера на КНФС с помощью модулятора на регулярных доменных структурах

    Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2010–2012
  59. Компактный лазер на основе ГСГГ:Cr3+, Nd3+ с пассивной модуляцией добротности

    Квантовая электроника, 14:5 (1987),  905–906
  60. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием

    Квантовая электроника, 13:5 (1986),  973–979
  61. Влияние температуры LiF(F2) на моноимпульсный режим работы неодимового лазера на стекле

    Квантовая электроника, 12:8 (1985),  1721–1724
  62. Сравнительные испытания генерационных характеристик некоторых марок лазерных неодимовых стекол

    Квантовая электроника, 12:4 (1985),  694–697
  63. Управление параметрами лазера с затвором в составном резонаторе

    Квантовая электроника, 12:2 (1985),  446–448
  64. Об оптимизации параметров активных элементов в миниатюрных лазерах на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле

    Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1671–1674
  65. Перестраиваемый лазер на кристалле гадолиний-скандий-галлиевого граната, работающий на электронно-колебательном переходе хрома

    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1916–1919
  66. Об одном способе изменения добротности лазера стеклянной пластинкой

    Квантовая электроника, 10:2 (1983),  454–455
  67. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната, активированных ионами неодима и хрома

    Квантовая электроника, 10:1 (1983),  140–144
  68. Спектральный состав излучения лазера на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с модулятором добротности на основе кристаллов LiF($F_2^-$)

    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1842–1843
  69. Генерация трёхпикосекундных импульсов излучения в лазере на концентрированном неодим-фосфатном стекле

    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1840–1842
  70. Лазер с дифракционной расходимостью излучения и модуляцией добротности с помощью ВРМБ

    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1803–1808
  71. Генератор лазерных импульсов наносекундной длительности на неодимовом фосфатном стекле с лазерной накачкой

    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1733–1735
  72. Лазер на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с пассивной модуляцией добротности

    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1536–1542
  73. Сенсибилизация люминесценции ионов неодима ионами хрома в кристалле Gd3Ga5O12

    Квантовая электроника, 9:3 (1982),  568–573
  74. Эффективность лазера на Li–Nd–La-фосфатном стекле в диапазоне малых накачек. Свободная генерация

    Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1598–1601
  75. Применение концентрированного Li–Nd–La-фосфатного стекла в лазерах с модуляцией добротности

    Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1595–1598
  76. Высокоэффективный импульсно-периодический лазер на концентрированном неодимовом фосфатном стекле

    Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1120–1122
  77. Повышение эффективности неодимовых лазеров преобразованием излучения накачки в люминесцирующей жидкости

    Квантовая электроника, 6:8 (1979),  1795–1798

  78. Памяти Вячеслава Петровича Макарова (14 февраля 1938 г. – 6 августа 2019 г.)

    Квантовая электроника, 49:9 (2019),  894
  79. Поправка к статье: Оценка плотности энергии насыщения в одночастотном лазере на кристалле YSGG:Cr3+:Yb3+:Ho3+ (λ = 2.92 мкм), работающем в режиме модулированной добротности

    Квантовая электроника, 33:6 (2003),  541


© МИАН, 2026