Савельев Артем Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1034–1037
2. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433
3. Выжигание пространственных дыр и стабильность спектра генерации многочастотного лазера с квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1546–1552
4. Тепловое сопротивление дисковых микролазеров сверхмалого диаметра
   
   Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  688–692
5. Лазерная генерация в микродисках сверхмалого диаметра
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1666–1670
6. Спектральная зависимость фактора уширения линии в лазерах на квантовых точках
   
   Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1681–1686
7. Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода
   
   Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1542–1553
8. Влияние динамики носителей заряда и температуры на двухуровневую генерацию в полупроводниковых лазерах на квантовых точках
   
   Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1406–1413
9. Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек
   
   Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1396–1399
10. Оптимизация конструкции и режима работы лазера на квантовых точках для снижения тепловых потерь при переключении
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1102–1108
11. Разработка экспериментального комплекса суперкомпьютерного моделирования на основе кода на языке Matlab
    
    Программные системы: теория и приложения, 4:2 (2013),  21–42
12. Влияние модулированного легирования активной области на одновременную генерацию через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1353–1356
13. Высокотемпературная лазерная генерация в микрокольцевом лазере с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1063–1066
14. Влияние неоднородного уширения и преднамеренно внесенной неупорядоченности на ширину спектра генерации лазеров на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  701–707
15. Особенности одновременной генерации через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  241–246
16. Влияние возбужденного оптического перехода на фактор уширения спектральной линии лазеров на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  235–240
17. Влияние нелинейного насыщения усиления на предельную частоту модуляции в лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  996–1000
18. Температурно-стабильный полупроводниковый лазер на основе составных волноводов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  560–565
19. Ширина спектра лазерной генерации в лазерах на квантовых точках: аналитический подход
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  245–250
20. Анализ механизмов эмиссии носителей в $p$–$i$–$n$-структурах с квантовыми точками In(Ga)As
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1352–1356