|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Метод плотности состояний для расчета магнитных свойств квантовой спиновой цепочки
Физика твердого тела, 67:9 (2025), 1776–1783
-
Механизмы токопрохождения в структуре TiN/Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au
Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024), 662–667
-
Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$
Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024), 443–447
-
Спин-флуктуационный переход в неупорядоченной модели Изинга
Письма в ЖЭТФ, 114:6 (2021), 383–390
-
Многоуровневая запись в тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$
Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 372–375
-
Примесная магнитная восприимчивость полупроводников в случае прямого обменного взаимодействия в модели Изинга
Физика твердого тела, 61:11 (2019), 2036–2039
-
Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1503–1506
-
Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 154–160
-
Влияние кулоновских корреляций на люминесценцию и поглощение в компенсированных полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 905–910
-
Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода
Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1542–1553
-
Разработка экспериментального комплекса суперкомпьютерного моделирования на основе кода на языке Matlab
Программные системы: теория и приложения, 4:2 (2013), 21–42
-
Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Обзор
Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 577–608
© , 2026