RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Богословский Никита Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Метод плотности состояний для расчета магнитных свойств квантовой спиновой цепочки

    Физика твердого тела, 67:9 (2025),  1776–1783
  2. Механизмы токопрохождения в структуре TiN/Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au

    Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  662–667
  3. Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$

    Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  443–447
  4. Спин-флуктуационный переход в неупорядоченной модели Изинга

    Письма в ЖЭТФ, 114:6 (2021),  383–390
  5. Многоуровневая запись в тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$

    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  372–375
  6. Примесная магнитная восприимчивость полупроводников в случае прямого обменного взаимодействия в модели Изинга

    Физика твердого тела, 61:11 (2019),  2036–2039
  7. Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1503–1506
  8. Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  154–160
  9. Влияние кулоновских корреляций на люминесценцию и поглощение в компенсированных полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  905–910
  10. Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1542–1553
  11. Разработка экспериментального комплекса суперкомпьютерного моделирования на основе кода на языке Matlab

    Программные системы: теория и приложения, 4:2 (2013),  21–42
  12. Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Обзор

    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  577–608


© МИАН, 2026