Конников Самуил Гиршевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Определение толщин и визуализация ионообменных волноводов в стеклах методом растровой электронной микроскопии
   
   ЖТФ, 89:3 (2019),  456–459
2. Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  89–92
3. Рентгеновские исследования формирования доменов в горных породах под взрывным воздействием
   
   Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2248–2251
4. Исследование атомной, кристаллической, доменной структуры материалов на основе анализа дифракционных и абсорбционных рентгеновских данных (Обзор)
   
   ЖТФ, 85:11 (2015),  1–29
5. Исследование микрокристаллического кремния методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей
   
   Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1078–1082
6. Исследование структуры композитного материала “фуллерен–квантовые точки” на подложках с прозрачным электродом
   
   Письма в ЖТФ, 41:4 (2015),  33–40
7. Характеризация структуры ультрадисперсного алмаза с помощью методов рентгеновской дифрактометрии и малоуглового рассеяния рентгеновских лучей
   
   Физика твердого тела, 56:11 (2014),  2265–2268
8. Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1640–1645
9. Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1186–1191
10. Доменная структура материала полупроводниковых лазеров на основе GaN/SiC
    
    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2035–2038
11. Исследование структуры и люминесцентных свойств сверхрешеток CdF$_2$–CaF$_2$ : Eu на Si(111)
    
    Физика твердого тела, 55:7 (2013),  1396–1402
12. Комплексная диагностика многослойных периодических систем с наноразмерными слоями на примере структур Mo/Si
    
    Физика твердого тела, 55:3 (2013),  591–601
13. Особенности структуры и дефектных состояний в пленках гидрогенизированного полиморфного кремния
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013),  536–540
14. Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1181–1184
15. Статистический анализ топографических АСМ-изображений самоорганизованных квантовых точек
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  921–926
16. Радиационно-стимулированная деградация поверхности GaAs и транзисторных структур с высокой подвижностью электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  833–844
17. Взаимная синхронизация двух связанных генераторов автоколебаний на основе сверхрешеток GaAs/AlGaAs
    
    ЖТФ, 81:6 (2011),  80–84
18. Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  829–835
19. Электронно-микроскопические исследования ЖФЭ структур InGaAsP/InGaP/GaAs с тонкими (${<10}$ нм) слоями
    
    ЖТФ, 62:2 (1992),  105–111
20. Поляриметрические свойства поверхностно-барьерных структур Ni${-}n{-}$GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  32–37
21. Наведенный фотоплеохроизм гетеропереходов ITO$-$A$^{3}$B$^{5}$ (GaP, GaP$_{x}$As$_{1-x}$)
    
    Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  11–15
22. Определение локальных параметров ($T_{c}$, $\Delta T_{c}$) ВТСП пленок
    
    Письма в ЖТФ, 18:21 (1992),  20–23
23. Поляриметрический эффект в структурах Au${-}n$-GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 18:12 (1992),  39–42
24. Фотоплеохроизм многослойных GaP поверхностно-барьерных структур
    
    Письма в ЖТФ, 18:12 (1992),  11–15
25. Возможности профилирования концентрации тяжелых элементов в тонких ВТСП-пленках на пучках быстрых ионов
    
    Письма в ЖТФ, 18:6 (1992),  91–94
26. Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga$-$Bi
    
    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  338–342
27. Экспериментальное подтверждение модели релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса, предназначенной для создания супертонких слоев $A^{3}B^{5}$
    
    ЖТФ, 60:1 (1990),  165–169
28. Электронно-зондовые исследования деградации непрерывных инжекционных гетеролазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  2010–2016
29. Обнаружение нового метастабильного уровня $DX$-центра в тонких легированных Si слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1978–1982
30. Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1320–1322
31. Определение электрофизических параметров полупроводников методом математического моделирования сигнала индуцированного тока
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  271–275
32. Прямое наблюдение пространственной неоднородности сверхпроводимости ВТСП пленок методом низкотемпературной растровой электронной микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 16:10 (1990),  47–51
33. Бистабильные дефекты в GaAs, выращенном методом жидкофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1689–1691
34. Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
    
    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1416–1419
35. Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (теория)
    
    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1411–1415
36. Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga
    
    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1058–1065
37. Эффект скачкообразного увеличения проводимости стимулированного электронным пучком в легированных стеклообразных полупроводниках
    
    Письма в ЖТФ, 15:13 (1989),  48–51
38. Сверхбыстродействующий $p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм
    
    Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  15–19
39. Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1803–1807
40. Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)
    
    Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1671–1675
41. Твердые растворы в системе Ga$-$Sb$-$Bi
    
    Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1651–1655
42. Изменение состава арсенида галлия вблизи поверхности при бомбардировке Ar$^{+}$-ионами
    
    Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  673–676
43. Многослойные периодические структуры в системе Jn$-$Ga$-$As$-$Р, полученные методом жидкостной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 14:7 (1988),  593–597
44. Жидкофазные AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями толщиной до $\sim20$ Å
    
    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  171–176
45. Дальнее поле излучения гетеролазеров с градиентным волноводом
    
    ЖТФ, 57:4 (1987),  747–754
46. Функция генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ при возбуждении электронным пучком
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2028–2032
47. Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1745–1749
48. Ток, индуцированный электронным зондом в полупроводниковых гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1648–1653
49. Механизм усиления фототока в GaAs$-$AlGaAs-структурах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1327–1329
50. Определение параметров безызлучательной рекомбинации в $p{-}n$-структурах с помощью электронного зонда
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  938–941
51. Информационное сообщение
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  770
52. Пикосекундная растровая электронная микроскопия быстродействующих полупроводниковых приборов
    
    Письма в ЖТФ, 13:19 (1987),  1183–1186
53. Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In\,Ga\,As\,P$, обусловленное упругими напряжениями
    
    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  132–136
54. Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  789–792
55. Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев ${\leqslant20}$ Å
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2206–2211
56. Микрокатодолюминесценция двойных гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1049–1054
57. $Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1089–1093
58. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур $Cd\,Te-Cd_{x}\,Hg_{1-x}\,Te$ (${x\sim0.6-0.7}$)
    
    Письма в ЖТФ, 12:16 (1986),  976–979
59. Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $Al\,Ga\,As$-гетероструктур с субмикронными ($10^{-1}-10^{-2}$ мкм) слоями
    
    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  533–537
60. Рецензия на книгу Б.А. Тхорика и Л.С. Хазана «Пластическая деформация и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах»
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1341–1342
61. Несоответствие периодов решеток и интенсивность фотолюминесценции в гетерокомпозициях $Ga\,In\,Sb\,As/Ga\,Sb$
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  193–197
62. Кристаллизация гетероструктур из переохлажденных растворов–расплавов
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  2077–2079
63. Влияние глубины залегания $p{-}n$ перехода на кривые рентгеновской эдс в условиях брэгговской дифракции
    
    ЖТФ, 54:3 (1984),  655–657
64. Исследование лавинного умножения в карбиде кремния с помощью электронного зонда
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1556–1560
65. Исследования глубоких центров в нелегированном GaAs с помощью электронного зонда
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  383–385
66. Неоднородное умножение в лавинных фотодиодах с несоотвествием периодов решеток на гетерогранице
    
    Письма в ЖТФ, 10:22 (1984),  1360–1364
67. Нарушение псевдоморфного состояния в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P/GaP структурах
    
    Письма в ЖТФ, 10:3 (1984),  149–153
68. Различие коэффициентов термического расширения в гетероструктурах Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P$-$GaP
    
    ЖТФ, 53:2 (1983),  411–412
69. Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2173–2176
70. Мышьяк в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$Sb$_{1-y}$As$_{y}$/GaSb: коэффициент сегрегации и распределение по толщине эпитаксиальных слоев
    
    Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  645–648


71. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения
    
    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894