Берт Николай Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Брэгговский резонанс в системе слоев плазмонных наночастиц Bi в матрице GaAs
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  39–43
2. CsPbBr₃ and Cs₄PbBr₆ perovskite nanoparticles: hidden potential of Cs₄PbBr₆ or ineffective fluorescence?
   
   Mendeleev Commun., 35:2 (2025),  193–195
3. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP$_2$
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  130–135
4. Формирование квазидвумерных слоев наночастиц висмута в эпитаксиальных пленках арсенида галлия
   
   Физика твердого тела, 66:9 (2024),  1514–1519
5. Влияние степени атомного упорядочения на сегнетоэлектрические свойства твердых растворов GaInP$_2$
   
   Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1127–1130
6. Особенности микроструктуры наноразмерных преципитатов AsSb в LT-GaAsSb
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2309–2316
7. Formation of a 10$\mathring{\mathrm{A}}$ phase with halloysite structure under hydrothermal conditions with varying initial chemical composition
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 14:2 (2023),  264–271
8. Влияние промежуточного низкотемпературного нагрева на преципитацию в нестехиометрическом GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  507–512
9. Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb–Al$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As$_{0.97}$Sb$_{0.03}$
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  71–76
10. Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  882–889
11. Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  785–788
12. Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1112–1116
13. Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137
14. The features of GaAs nanowire SEM images
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  510
15. Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200
16. Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1146–1150
17. Сверхрешетки InAs/GaSb, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 42:2 (2016),  79–84
18. Пространственно-коррелированные двумерные массивы полупроводниковых и металлических квантовых точек в гетероструктурах на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1710–1713
19. Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb–AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1635–1639
20. Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1429–1433
21. Влияние локальных дефектов структуры на преципитацию As вблизи квантовых точек InAs в матрице GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1578–1582
22. Особенности структуры и дефектных состояний в пленках гидрогенизированного полиморфного кремния
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013),  536–540
23. Электронная микроскопия структур на основе GaAs с квантовыми точками InAs и As, разделенными барьером AlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1196–1203
24. Упругие поля и физические свойства поверхностных квантовых точек
    
    Физика твердого тела, 53:10 (2011),  1986–1996
25. Электронная микроскопия структур GaAs с квантовыми точками InAs и As
    
    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1642–1645
26. Несоответствие периодов решеток и интенсивность фотолюминесценции в гетерокомпозициях $Ga\,In\,Sb\,As/Ga\,Sb$
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  193–197