RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Кириленко Демид Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние дизайна буферного слоя на фотолюминесценцию InAs квантовых точек, выращенных на подложках GaAs/Si(100)

    Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  16–21
  2. Оптимизация физико-механических свойств ультрамелкозернистого сплава Al–Mg–Zr электротехнического назначения

    Физика твердого тела, 67:3 (2025),  435–443
  3. Synthesis, structure and properties of composite proton-conducting membranes based on a Nafion-type perfluorinated copolymer with Zr$_{1-x}$Y$_x$O$_{2-0.5x}$ nanoparticles

    Наносистемы: физика, химия, математика, 16:6 (2025),  850–864
  4. Ionic conductivity in nanopipettes: experiment and model

    Наносистемы: физика, химия, математика, 16:4 (2025),  441–449
  5. Исследования структурных и электронных свойств слоев InP, сформированных методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения на Si-подложке с подслоем GaP

    Письма в ЖТФ, 51:9 (2025),  18–22
  6. Аномальное изменение механических свойств ультрамелкозернистых сплавов Al–Mg–Zr при низких температурах

    Физика твердого тела, 66:6 (2024),  933–945
  7. Молекулярно-пучковая эпитаксия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в телекоммуникационном диапазоне длин волн

    Письма в ЖЭТФ, 120:9 (2024),  694–700
  8. Магнитные свойства наносвитков состава (Mg$_{1-x}$Co$_{x}$)$_3$Si$_2$O$_5$(OH)$_4$ и нанокомпозитов на их основе

    Письма в ЖЭТФ, 120:4 (2024),  252–259
  9. Intermetallic compounds obtained from $Me_3$Ge$_2$O$_5$(OH)$_4$ ($Me$ = Mg, Ni, Fe, Co) phyllogermanates: synthesis of single-phase precursors

    Наносистемы: физика, химия, математика, 15:6 (2024),  821–836
  10. Полупроводниковые соединения ванадия как темплат для формирования микропористых частиц различной морфологии

    Письма в ЖТФ, 50:3 (2024),  15–19
  11. Correction to the paper “Synthesis and magnetic properties of cobalt ferrite nanoparticles formed under hydro and solvothermal condition”

    Наносистемы: физика, химия, математика, 14:2 (2023),  286–287
  12. Formation of a 10$\mathring{\mathrm{A}}$ phase with halloysite structure under hydrothermal conditions with varying initial chemical composition

    Наносистемы: физика, химия, математика, 14:2 (2023),  264–271
  13. Correction to the paper “Synthesis and magnetic properties of cobalt ferrite nanoparticles formed under hydro and solvothermal condition”

    Наносистемы: физика, химия, математика, 14:1 (2023),  142–143
  14. Плазмохимическое атомно-слоевое осаждение слоев InP и многослойных наноструктур InP/GaP на кремнии

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  406–413
  15. Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb–Al$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As$_{0.97}$Sb$_{0.03}$

    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  71–76
  16. Влияние знака дзета-потенциала наноалмазных частиц на морфологию композитов “графен–детонационный наноалмаз” в виде суспензий и аэрогелей

    ЖТФ, 92:12 (2022),  1853–1868
  17. Белые нанолюминофоры на основе модифицированных ионами европия монодисперсных углеродных наноточек

    Письма в ЖТФ, 48:7 (2022),  28–32
  18. Влияние морфологии буферного слоя AlN на структурное качество полуполярного слоя GaN, выращенного на подложке Si(001), по данным просвечивающей электронной микроскопии

    Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  51–54
  19. Мультипористые наночастицы кремнезема с углеродными наноточками: синтез, оптоэлектронные и биомедицинские применения

    Физика твердого тела, 63:10 (2021),  1680–1686
  20. Synthesis and magnetic properties of cobalt ferrite nanoparticles formed under hydro and solvothermal conditions

    Наносистемы: физика, химия, математика, 12:4 (2021),  492–504
  21. Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  785–788
  22. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  621–624
  23. Темплатный метод синтеза монодисперсных наночастиц MoS$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  475–480
  24. Формирование кремниевых нанокластеров при диспропорционировании моноокиси кремния

    Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021),  373–387
  25. Лазерная генерация коллоидных кремниевых наночастиц, легированных серой и углеродом

    Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  897–901
  26. Формирование наностержней GaN в монодисперсных сферических мезопористых частицах кремнезема

    Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  670–675
  27. Formation of AgInS$_2$/ZnS colloidal nanocrystals and their photoluminescence properties

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2326
  28. Сверхтермостойкие полимерные нанокомпозиты на основе гетероциклических сеток: структура и свойства

    Физика твердого тела, 61:8 (2019),  1542–1549
  29. Светоизлучающие полевые транзисторы на основе композитных пленок полифлуорена и нанокристаллов CsPbBr$_{3}$

    Физика твердого тела, 61:2 (2019),  388–394
  30. Phosphors with different morphology, formed under hydrothermal conditions on the basis of ZrO2:Eu$^{3+}$ nanocrystallites

    Наносистемы: физика, химия, математика, 10:6 (2019),  654–665
  31. Structure and photoluminescent properties of TiO$_2$:Eu$^{3+}$ nanoparticles synthesized under hydro and solvothermal conditions from different precursors

    Наносистемы: физика, химия, математика, 10:3 (2019),  361–373
  32. Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1152–1158
  33. Темплатный синтез монодисперсных сферических нанопористых частиц кремния субмикронного размера

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1068–1073
  34. Новый гибридный материал монолитный биоморфный углерод/наночастицы никеля для устройств накопления энергии

    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  18–22
  35. Получение высокопроводящих и оптически прозрачных пленок со структурой мультиграфена путем карбонизации полиимидных пленок Ленгмюра–Блоджетт

    Письма в ЖТФ, 45:9 (2019),  50–54
  36. Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой

    Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  201–205
  37. Phase composition and photoluminescence correlations in nanocrystalline ZrO$_2$:Eu$^{3+}$ phosphors synthesized under hydrothermal conditions

    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:3 (2018),  378–388
  38. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320
  39. Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307
  40. Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  526
  41. The features of GaAs nanowire SEM images

    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  510
  42. Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия

    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  196–200
  43. Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$

    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  56–62
  44. Монодисперсные частицы со структурой ядро–оболочка из магнетита и функционализированного люминофором мезопористого кремнезема

    Письма в ЖТФ, 43:15 (2017),  65–72
  45. Темплатный синтез монодисперсных углеродных наноточек

    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2454–2458
  46. Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1726
  47. Хлоридная эпитаксия слоев $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках базисной ориентации

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  997–1000
  48. Оптические свойства наночастиц металлов в каналах хризотила

    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  96–102
  49. Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  40–48
  50. Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1429–1433
  51. Пластины кристаллического GaN большой площади

    Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  84–90
  52. Исследование структуры композитного материала “фуллерен–квантовые точки” на подложках с прозрачным электродом

    Письма в ЖТФ, 41:4 (2015),  33–40
  53. Фотонные кристаллы и стекла из заполненных никелем монодисперсных сферических мезопористых частиц кремнезема

    Физика твердого тела, 56:5 (2014),  995–999
  54. Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика

    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1640–1645
  55. Анализ дефектов упаковки в нитриде галлия с использованием преобразования Фурье высокоразрешающих изображений

    Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  60–68
  56. Структура наноалмазов, полученных методом лазерного синтеза

    Физика твердого тела, 55:8 (2013),  1633–1639
  57. Особенности структуры и дефектных состояний в пленках гидрогенизированного полиморфного кремния

    Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013),  536–540
  58. Однослойные пленки оксида графена на поверхности кремния

    ЖТФ, 83:11 (2013),  67–71
  59. Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiH/6H-SiC

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1554–1558
  60. Измерение изгибной жесткости свободного графена с помощью электронной дифракции

    Письма в ЖТФ, 39:7 (2013),  19–25
  61. Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb

    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1379–1385


© МИАН, 2026