|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Adapted MLP-Mixer network based on crossbar arrays of fast and multilevel switching $(\mathrm{Co}-\mathrm{Fe}-\mathrm{B})_x(\mathrm{LiNbO}_3)_{100-x}$ nanocomposite memristors
Nanoscale Horiz., 9 (2024), 238–247
-
Температурно-индуцированный переход между режимами резистивного переключения мемристивных кроссбар-структур на основе парилена
Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023), 355–360
-
Аномальное поведение туннельного магнетосопротивления в нанокомпозитных пленочных структурах (CoFeB)$_x$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$/Si ниже порога перколяции: проявления со-туннельных и обменных эффектов
Письма в ЖЭТФ, 118:1 (2023), 46–54
-
Влияние эффекта перколяции на резистивные переключения структур на базе нанокомпозита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$
Физика твердого тела, 64:11 (2022), 1690–1694
-
Частотно-кодированное управление проводимостью мемристоров на базе наноразмерных слоев LiNbO$_{3}$ и композита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$ в обучаемых импульсных нейроморфных сетях
Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 3–7
-
Мемристоры на основе наноразмерных слоев LiNbO$_{3}$ и композита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$
Физика твердого тела, 62:9 (2020), 1562–1565
-
Наномасштабные тепловые эффекты второго порядка в мемристивных структурах на основе поли-$n$-ксилилена
Письма в ЖЭТФ, 112:6 (2020), 379–386
-
Свойства мемристивных структур на основе нанокомпозита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$, синтезированных на SiO$_{2}$/Si-подложках
ЖТФ, 90:2 (2020), 257–263
-
Квантование проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена
Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 913–917
-
Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра
Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 25–28
-
Мемристоры на основе полипараксилилена на гибких подложках
Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 40–43
-
Адаптивные свойства спайковых нейроморфных сетей с синаптическими связями на основе мемристивных элементов
Письма в ЖТФ, 45:8 (2019), 19–23
-
Прецизионный алгоритм переключения мемристора в состояние с заданным сопротивлением
Письма в ЖТФ, 44:10 (2018), 20–28
-
Влияние толщины слоев TiO$_x$/TiO$_2$ на их мемристорные свойства
ЖТФ, 85:1 (2015), 114–117
-
Изменение структуры пленок аморфного гидрогенизированного кремния и концентрации водорода в них при фемтосекундной лазерной кристаллизации
Письма в ЖТФ, 40:4 (2014), 1–8
-
Особенности структуры и дефектных состояний в пленках
гидрогенизированного полиморфного кремния
Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013), 536–540
-
Влияние условий получения пленок полиморфного кремния на их структурные, электрические и оптические свойства
Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1283–1287
-
Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные, оптические и фотоэлектрические свойства
Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 769–774
-
Фотолюминесцентное исследование структурной эволюции аморфных и кристаллических нанокластеров кремния при термическом отжиге слоев субоксида кремния различной стехиометрии
Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 369–375
© , 2026