RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Гайда Леонид Станиславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Моделирование систем на основе материалов с изменяемыми диэлектрическими параметрами для перестройки характеристик рассеяния оптического и сверхвысокочастотного полей

    ПФМТ, 2025, № 4(65),  20–28
  2. Перемещение и локализация наночастиц в идеальной жидкости под действием градиентной силы светового давления

    ПФМТ, 2024, № 1(58),  44–49
  3. Взаимодействие электромагнитного излучения с сфероидальными металлическими наночастицами в жидкости

    ПФМТ, 2018, № 1(34),  24–28
  4. Моделирование диэлектрических решеток с возможностью управления перераспределением энергии в спектре рассеянного СВЧ и оптического электромагнитных полей

    ПФМТ, 2017, № 2(31),  20–23
  5. Движение серебряных наночастиц в жидкости с различной вязкостью под действием сил светового давления

    ПФМТ, 2016, № 4(29),  7–12
  6. Концентрационная нелинейность суспензии прозрачных микросфер под действием градиентной силы в поле периодически модулированного лазерного излучения

    Квантовая электроника, 46:10 (2016),  891–894
  7. Движение металлической наночастицы вблизи поверхности пузырька воздуха в жидкости под действием силы светового давления

    ПФМТ, 2015, № 3(24),  17–20
  8. О радиационных силах, действующих на прозрачную наночастицу в поле сфокусированного лазерного пучка

    Квантовая электроника, 45:10 (2015),  904–907
  9. Световое давление на сферическую наночастицу с концентрической оболочкой в поле плоской электромагнитной волны

    ПФМТ, 2013, № 2(15),  11–17
  10. Теоретическое исследование силы светового давления, действующей на сферическую диэлектрическую частицу произвольного размера в интерференционном поле двух плоских монохроматических электромагнитных волн

    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1155–1162
  11. Генерация в парах бария в резонансном световом поле

    Квантовая электроника, 15:2 (1988),  259–262

  12. Поправка к статье: Генерация в парах бария в резонансном световом поле

    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  656


© МИАН, 2026