Бобров Александр Игоревич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптимизация параметров кремниевого электрооптического фазовращателя, работающего на эффекте обеднения свободными носителями
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  16–22
2. Исследование влияния маломодовой структуры поля на параметры $Y$-делителей фотонной интегральной схемы
   
   Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  19–22
3. Метаморфный InGaAs-фотодиод на длине волны 1.55 мкм, выращенный на подложке GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  709–713
4. Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха–Цендера
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  833–838
5. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
   
   Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468
6. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления
   
   Письма в ЖТФ, 42:1 (2016),  72–79
7. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1463–1468
8. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла
   
   Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1129–1135
9. Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  160–162
10. Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  98–101
11. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  3–5
12. Формирование нанокристаллов Au$_4$Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота
    
    Письма в ЖТФ, 41:11 (2015),  62–70
13. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией
    
    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  2062–2065
14. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb
    
    Физика твердого тела, 56:3 (2014),  607–610
15. Электронография высокотемпературного алмазоподобного ферромагнетика на основе кремния с самоорганизованным сверхрешеточным распределением примеси марганца
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:11 (2014),  818–823
16. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  212–216
17. Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  44–48
18. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  9–16
19. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния
    
    Физика твердого тела, 55:11 (2013),  2243–2249
20. Исследование гетероструктур с комбинированным слоем квантовых точек/квантовой ямы In(Ga)As/GaAs и $\delta$-слоем Mn
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1617–1620
21. Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1613–1616
22. Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире
    
    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  854–858
23. Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO$_2$
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  460–465
24. Высокотемпературный алмазоподобный ферромагнетик на основе Si с самоорганизованным сверхрешеточным распределением примеси Mn
    
    Письма в ЖЭТФ, 96:11 (2012),  790–793
25. Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации
    
    Письма в ЖТФ, 38:4 (2012),  60–65