Чепурнов Виктор Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. КПД активированных наногетеропереходов на подложках кремния и карбида кремния
   
   Comp. nanotechnol., 10:4 (2023),  91–102
2. Анализ структурного состава пленки карбида кремния, полученной методом высокотемпературного химического осаждения из газовой фазы
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2187–2190
3. Задачи определения эффективности для микроструктур SiC*/Si и контактообразования
   
   Comp. nanotechnol., 8:3 (2021),  59–68
4. Структурные и оптические свойства нанонитей карбида кремния, полученных высокотемпературной карбидизацией кремниевых наноструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  421–425
5. Ассоциаты точечных дефектов различной природы в $\mathrm{SiC}$-фазе полупроводниковой гетероструктуры $\mathrm{SiC//Si}$, полученной методом эндотаксии
   
   Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2014, № 7(118),  145–162
6. Распределение точечных дефектов в Si-фазе, сопряженной с Sic-фазой, сформированной методом эндотаксии полупроводниковых гетероструктур
   
   Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2012, № 9(100),  164–179
7. Особенности наноточечного дефектообразования в структуре por-SiC/Si, полученной по диффузионной технологии для химических датчиков
   
   Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2011, № 2(83),  179–183