RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Антонова Ирина Вениаминовна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Исследование влияния микроводорослей на сенсорные свойства углеродных материалов

    ЖТФ, 95:3 (2025),  633–642
  2. Цепочки композитных наночастиц графен : h-BN и фторированный графен : V$_2$O$_5$ на наноструктурированной поверхности полимера

    Физика твердого тела, 66:3 (2024),  398–407
  3. Гибкие мемристоры, созданные $2D$-печатью из материалов на основе графена

    ЖТФ, 94:8 (2024),  1410–1416
  4. Изменение сопротивления тонких пленок Bi$_2$Se$_3$ и гетероструктур Bi$_2$Se$_3$ на графене при растягивающих деформациях

    ЖТФ, 94:2 (2024),  261–266
  5. Носимые неинвазивные сенсоры глюкозы на основе графена и других углеродных материалов

    УФН, 194:5 (2024),  520–545
  6. Стрейнтроника двумерных неорганических материалов для электронных и оптических приложений

    УФН, 192:6 (2022),  609–641
  7. Исследование свойств двумерных пленок МоS$_{2}$ и WS$_{2}$, синтезированных химическим газофазным методом

    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  376–387
  8. Механизм резистивных переключений в плeнках на основе частично фторированного графена

    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1357–1363
  9. Сравнение элементов флеш-памяти с использованием материалов на основе графена

    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  43–50
  10. Применение материалов на основе графена в 2D печатных технологиях

    УФН, 187:2 (2017),  220–234
  11. Пленки оксида графена, напечатанные на твердых и гибких подложках, для широкого спектра приложений

    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1086–1094
  12. Вертикальные гетероструктуры на основе графена и других монослойных материалов

    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  67–82
  13. Графеновые суспензии для 2D-печати

    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  102–110
  14. Самоформирующиеся латеральные гетероструктуры на основе графена с возможностью модуляции тока на 4–5 порядков

    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  64–72
  15. Сравнение разных способов переноса графена и мультиграфена, выращенных методом химического газофазного осаждения, на изолирующую подложку SiO$_2$/Si

    Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  827–823
  16. Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках

    УФН, 183:10 (2013),  1115–1122
  17. Зарядовая спектроскопия слоев SiO$_2$ с нанокристаллами кремния, модифицированных ионами высоких энергий

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  591–595
  18. Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO$_2$ и Si

    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  550–555
  19. Упорядоченные массивы нанокристаллов кремния в SiO$_2$: структурные, оптические, электронные свойства

    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  501–506


© МИАН, 2026