RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Алешин Андрей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Галогенидные металлоорганические перовскиты, структурированные наноалмазами детонационного синтеза. Элементы модели и возможности ее экспериментальной проверки

    Физика твердого тела, 67:12 (2025),  2308–2317
  2. Влияние введения катиона моноэтаноламмония в пленки гибридных галогенидных перовскитов на характер их низкотемпературной проводимости

    Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1419–1425
  3. Исследование идеального интерфейса гибридный перовскит – золото методом стационарного гриновского оператора

    Физика твердого тела, 67:2 (2025),  302–313
  4. Проявление эффекта экранирования электрического поля в процессе генерации терагерцевого излучения в $p$–$n$-гетероструктурах $a$-Si:H/$a$-SiC:H/$c$-Si при фотовозбуждении ультракороткими лазерными импульсами

    Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  22–26
  5. Импедансная спектроскопия и низкочастотный шум в тонких пленках углеродных квантовых точек

    Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1189–1194
  6. Эффекты резистивного переключения в пленках на основе нанокристаллов неорганических перовскитов CsPbBr$_3$(I$_3$), сопряженного полимера P3HT и [60]PCBM

    Физика твердого тела, 66:4 (2024),  603–607
  7. Механизм резистивного переключения в мемристорах на основе металлоорганических перовскитов

    Физика твердого тела, 66:3 (2024),  377–385
  8. Электрические свойства тандемных солнечных элементов на основе пленок металлоорганических перовскитов, нанесенных на тонкопленочные кремниевые солнечные элементы

    Физика твердого тела, 66:2 (2024),  266–274
  9. Исследование методом импедансной спектроскопии тандемных солнечных элементов на основе $c$-Si с верхним слоем нанокристаллов перовскитов CsPbBr$_3$ и CsPbI$_3$

    ЖТФ, 94:4 (2024),  638–645
  10. Возбуждение терагерцевого излучения в $p$–$n$-гетероструктурах на основе $a$-Si:H/$c$-Si

    Физика твердого тела, 65:5 (2023),  848–852
  11. Архитектоника покрытий из наностержней оксида цинка для адсорбционных газовых сенсоров

    ЖТФ, 93:10 (2023),  1494–1502
  12. Электрические и оптические характеристики пленок нанокристаллов перовскитов галогенида свинца CsPbI$_3$ и CsPbBr$_3$, нанесенных на $c$-Si солнечные элементы для фотовольтаических приложений

    Физика твердого тела, 64:11 (2022),  1695–1700
  13. Особенности низкотемпературной проводимости пленок металлоорганических перовскитов при введении в них частиц оксида графена

    Физика твердого тела, 64:7 (2022),  880–884
  14. Генерация терагерцового излучения при фемтосекундном лазерном возбуждении многослойной структуры на основе a-Si:H/a-SiC:H/c-Si

    Письма в ЖЭТФ, 116:12 (2022),  825–829
  15. Анизотропия терагерцового электромагнитного отклика нитевидных микроструктур композита на основе полипропилена с углеродными нановолокнами

    Письма в ЖЭТФ, 115:1 (2022),  10–14
  16. Сенсибилизация наностержней ZnO коллоидными квантовыми точками AgInS$_2$ для адсорбционных газовых сенсоров с фотоактивацией

    ЖТФ, 92:6 (2022),  845–851
  17. Композитные пленки на основе углеродных квантовых точек в матрице проводящего полимера PEDOT : PSS

    Физика твердого тела, 63:8 (2021),  1183–1188
  18. Эффект резистивного переключения и памяти в композитных пленках на основе оксида графена в матрице металлорганических перовскитов

    Физика твердого тела, 63:4 (2021),  559–563
  19. Фотоэлектрические свойства композитных пленок на основе металлоорганического перовскита CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$ модифицированного смешанным эфиром целлюлозы

    Физика твердого тела, 63:1 (2021),  152–156
  20. Исследование электрофизических свойств композиционных волокон на основе хитозана и полипиррола для тканевой инженерии

    ЖТФ, 91:11 (2021),  1793–1798
  21. Photoluminescence and photoconductivity of lead halide perovskite films modified with mixed cellulose esters

    ЖТФ, 91:6 (2021),  987
  22. Терагерцевые характеристики пленок композита на основе металлоорганического перовскита и оксида графена

    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  7–10
  23. Механизм электролюминесценции в светоизлучающих полевых транзисторах на основе пленок нанокристаллов перовскита в матрице полупроводникового полимера

    Физика твердого тела, 62:8 (2020),  1333–1338
  24. Терагерцевое поглощение в композитных пленках на основе металлоорганического перовскита и смешанного эфира целлюлозы

    Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  51–54
  25. Проводимость композитных пленок на основе проводящего полимера PEDOT : PSS, оксида графена и наночастиц TiO$_{2}$ для контактных слоев перовскитных фотовольтаических структур

    Физика твердого тела, 61:4 (2019),  773–778
  26. Светоизлучающие полевые транзисторы на основе композитных пленок полифлуорена и нанокристаллов CsPbBr$_{3}$

    Физика твердого тела, 61:2 (2019),  388–394
  27. Электрические свойства пленок металлоорганических перовскитов

    Физика твердого тела, 61:2 (2019),  243–247
  28. Терагерцовые колебательные моды в пленках перовскитов CH$_3$NH$_3$PbI$_3$ и CsPbI$_3$

    Письма в ЖЭТФ, 109:1 (2019),  30–35
  29. Особенности вольт-амперных характеристик полевых транзисторов с активными слоями на основе композитных пленок полупроводниковых полимеров с наночастицами неорганических перовскитов

    Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  47–50
  30. Полевые транзисторы с высокой подвижностью и малым гистерезисом передаточных характеристик на основе пленок CH$_{3}$NH$_{3}$PbBr$_{3}$

    Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2457–2461
  31. Влияние поверхностных плазмонов на оптические свойства композитных пленок на основе поли(3-гексилтиофена), производных фуллеренов и наночастиц никеля

    Письма в ЖТФ, 43:15 (2017),  12–18
  32. $S$-образные вольт-амперные характеристики композитных пленок на основе полимеров с частицами графена и оксида графена

    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2476–2481
  33. Полевые транзисторные структуры на основе поли(3-гексилтиофена), производных фуллеренов [60]PCBM, [70]PCBM и наночастиц никеля

    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1818–1825
  34. Модификация терагерцового электромагнитного отклика полупроводникового полимера полифлуорена частицами оксида графена

    Письма в ЖТФ, 42:22 (2016),  56–63
  35. Механизмы излучательной рекомбинации в амбиполярных светоизлучающих полевых транзисторах на основе органических полимеров и неорганических наночастиц

    Письма в ЖТФ, 42:3 (2016),  38–45
  36. Эффекты переключения и памяти в композитных пленках полупроводниковых полимеров с частицами графена и оксида графена

    Физика твердого тела, 57:8 (2015),  1639–1644
  37. Влияние температуры на вольт-амперные характеристики композитных материалов, полученных на основе полипропиленовой матрицы и углеродных наполнителей

    Физика твердого тела, 57:4 (2015),  814–818
  38. Особенности переноса энергии в нанокомпозитных пленках на основе полупроводникового полимера MEH-PPV и наночастиц ZnO

    Физика твердого тела, 57:3 (2015),  603–608
  39. Моделирование электропроводности композитных материалов, полученных на основе полипропилена и технического углерода

    Письма в ЖТФ, 41:2 (2015),  7–14
  40. Эффект накопления и релаксации носителей заряда в активной области полимерных и композитных (полимер–наночастицы золота) полевых транзисторных структур

    Физика твердого тела, 56:5 (2014),  1015–1018
  41. Температурная и концентрационная зависимости фотолюминесценции композитных пленок MEH-PPV с наночастицами ZnO

    Физика твердого тела, 56:2 (2014),  399–405
  42. Органические светодиоды на основе пленок поливинилкарбазола, легированных полимерными наночастицами

    Физика твердого тела, 55:3 (2013),  617–621
  43. Оптическая спектроскопия композитных тонких пленок C$_{60}$ : CdS

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  107–111
  44. Органическая оптоэлектроника на основе композитных (полимер–неорганические наночастицы) материалов

    УФН, 183:6 (2013),  657–664
  45. Электрические и оптические свойства светоизлучающих полевых транзисторов на основе композитных пленок полимера MEH-PPV с наночастицами ZnO

    Физика твердого тела, 54:12 (2012),  2388–2393
  46. Электропроводность полипропиленовых волокон с дисперсными углеродными наполнителями

    Физика твердого тела, 54:10 (2012),  1993–1998
  47. Фоточувствительный полевой транзистор на основе композитной пленки поливинилкарбазола с наночастицами никеля

    Физика твердого тела, 54:8 (2012),  1586–1590
  48. Эффекты памяти в полевых транзисторных структурах на основе композитных пленок полиэпоксипропилкарбазола с наночастицами золота

    Физика твердого тела, 53:11 (2011),  2251–2255
  49. Низкотемпературная проводимость ориентированных пленок легированного иодом полиацетилена

    Физика твердого тела, 33:10 (1991),  2980–2984
  50. Затухание возмущений на ударном фронте при неустойчивости Рихтмайера$-$Мешкова

    Письма в ЖТФ, 17:14 (1991),  1–4
  51. Низкотемпературная проводимость легированного иодом полиацетилена вблизи перехода диэлектрик$-$металл

    Физика твердого тела, 32:10 (1990),  3066–3070
  52. Влияние электрон-электронного взаимодействия на низкотемпературную проводимость облученных ионами пленок полиимида

    Физика твердого тела, 32:6 (1990),  1717–1720
  53. Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в компенсированных кристаллах CdTe : Сl

    Физика твердого тела, 31:11 (1989),  277–280
  54. Электрофизические свойства пленок полиимида ПМ, подвергнутых ионной бомбардировке

    Физика твердого тела, 31:1 (1989),  12–18
  55. Особенности низкотемпературной проводимости и магнитосопротивления аморфных пленок системы германий–хром

    Физика твердого тела, 30:3 (1988),  696–699
  56. Исследование нелинейной и переходной стадии развития неустойчивости Рихтмайера$-$Мешкова

    Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1063–1067
  57. Низкотемпературная проводимость аморфных пленок (As$_{2}$Se$_{3}$)$_{1-x}$Ni$_{x}$ в области перехода металл–диэлектрик

    Физика твердого тела, 29:8 (1987),  2521–2523
  58. Прыжковая проводимость аморфных пленок Ge$_{1-x}$Cu$_{x}$ в промежуточных и сильных электрических полях

    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  466–471
  59. Низкотемпературная проводимость и магнитосопротивление пленок системы германий–медь в области составов, соответствующих переходу металл–диэлектрик

    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  490–494
  60. Низкотемпературная проводимость сильно легированного аморфного кремния

    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1240–1244
  61. Особенности излучательной рекомбинации в эпитаксиальных пленках теллурида свинца

    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1904–1906
  62. Исследование теплообмена при парообразовании на поверхности с пористым покрытием

    ТВТ, 18:5 (1980),  1098–1101

  63. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения

    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894

© МИАН, 2026