|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Краевое легирование в графеновых приборах на подложках SiO$_{2}$
Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1681–1685
-
Магнетотранспортная спектроскопия интерфейсных, квантово-ямных и гибридных состояний в структурах с многочисленными слоями HgTe толщиной 16 нм
Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 947–952
-
Изготовление $p$–$n$-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения
Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 949–953
-
Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 932–936
-
Проявление полуметаллического состояния в циклотронном
резонансе низкосимметричных квантовых ям на основе HgTe
Письма в ЖЭТФ, 97:2 (2013), 108–113
-
Особенности магнетосопротивления монослойного графена
при рассеянии на короткодействующем потенциале
Письма в ЖЭТФ, 96:7 (2012), 519–522
-
Механизм терагерцовой фотопроводимости в полуметаллических квантовых ямах HgTe/CdHgTe
Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 673–676
© , 2026