Евтихиев Вадим Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Одночастотные квантово-каскадные лазеры с переменной глубиной травления штрихов дифракционной решетки
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  23–28
2. Одночастотная генерация на радиальных модах в квантово-каскадных лазерах на основе селективного кольцевого резонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  52–56
3. Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в структуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  552–555
4. Strong coupling of exciton in organic material and plasmonic WGM localized on the surface of silver nanoparticles
   
   Письма в ЖЭТФ, 118:1 (2023),  14–15
5. Enhancement of the basal-plane stacking fault emission in GaN planar nanowire microcavity
   
   Письма в ЖЭТФ, 115:10 (2022),  611–612
6. О влиянии травления сфокусированным пучком ионов Ga$^+$ в диапазоне энергий 12–30 кэВ на люминесцентные свойства гетероструктуры Al$_{0.18}$Ga$_{0.82}$As/GaAs/Al$_{0.18}$Ga$_{0.82}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1120–1124
7. Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой, сформированной методом прямой ионной литографии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  908–914
8. Исследование пространственных характеристик излучения поверхностно-излучающих квантово-каскадных лазеров с кольцевым резонатором
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  601–606
9. Субволновые текстурированные поверхности для вывода излучения из волновода
   
   Письма в ЖТФ, 48:6 (2022),  51–54
10. Квантово-каскадный лазер с выводом излучения через текстурированный слой
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1081–1085
11. Поверхностно-излучающий квантово-каскадный лазер с кольцевым резонатором
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  602–606
12. Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  51–54
13. Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1390
14. Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020),  85–88
15. Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления
    
    Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  8–11
16. GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2333
17. Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1579–1583
18. Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1237–1243
19. Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  816–818
20. Жидкометаллический полевой источник электронов на основе пористого GaP
    
    ЖТФ, 87:9 (2017),  1416–1422
21. Полевая эмиссионная накачка наногетероструктуры ZnSe/CdSe/ZnSe электронами низких энергий через поверхностный потенциальный барьер
    
    Письма в ЖТФ, 41:1 (2015),  102–110
22. Время жизни носителей заряда в квантовых точках при низких температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  24–29
23. Полевая инжекция электронов низких энергий в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe с использованием сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа
    
    Физика твердого тела, 54:6 (2012),  1057–1061
24. Фотоэмиссия из квантовых точек InAs/GaAs, декорированных адатомами цезия
    
    Письма в ЖЭТФ, 96:5 (2012),  363–366
25. К вопросу о точности количественных измерений локального поверхностного потенциала
    
    Письма в ЖТФ, 36:5 (2010),  71–77
26. Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) GaAs и (Al,Ga)As на разориентированных подложках GaAs (100)
    
    Письма в ЖТФ, 18:11 (1992),  72–76
27. Обнаружение нового метастабильного уровня $DX$-центра в тонких легированных Si слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1978–1982
28. Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As
    
    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  845–848
29. Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2105–2110
30. Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  708–712
31. Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1496–1498
32. Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными областями
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1420–1423
33. Расчет пороговых токов для InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  449–455
34. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазер с КПД $17\%$ ($\lambda=1.32$ мкм, $T=290$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1157–1162
35. Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2057–2060
36. Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом жидкостной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2041–2045
37. Люминесцентные и пороговые характеристики InGaAsP/InP ДГС (${0.94<\lambda<1.51}$ мкм) при оптическом возбуждении
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  102–108
38. Форма краевой полосы в InGaAsP/InP ДГС (${\tau= 1.3}$ мкм) при низком и высоком уровне фотовозбуждения
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1652–1655
39. Сравнение краев поглощения в бинарных и многокомпонентных прямозонных соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ на основе системы InGaAsP
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1402–1405
40. Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  714–717