RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Максимов Михаил Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Пространственное распределение тока в полупроводниковых оптических усилителях с гребневым волноводом и активной областью на основе квантовых яма-точек

    Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025),  1063–1067
  2. Спектральные и пространственные характеристики излучения торцевых лазерных диодов на основе квантовых ям InGaAs/GaAs со сверхшироким волноводом

    Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  310–313
  3. Управляемое током и светом переключение длин волн лазерной генерации в лазерах на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs для использования в нейроморфной фотонике

    Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  45–49
  4. Генерация замкнутой моды в мощных суперлюминесцентных диодах со скользящим полосковым волноводом

    Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  18–21
  5. Зависимость коэффициента распространения пучка от конструкции волновода торцевых диодных лазеров

    Оптика и спектроскопия, 132:5 (2024),  520–523
  6. Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010–1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  313–317
  7. Спектральные характеристики оптически связанной пары полосковых лазеров на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  57–60
  8. Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках

    Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  57–60
  9. Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью

    Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  23–27
  10. Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом

    Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1483–1485
  11. Определение температуры и теплового сопротивления полудискового лазерного диода методом измерения импульсных вольт-амперных характеристик

    Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  767–772
  12. Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  301–307
  13. Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  215–220
  14. Исследование $p$–$i$–$n$-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  202–206
  15. Кодирование информации с использованием двухуровневой генерации в лазере на квантовых точках

    Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  18–21
  16. Измерение теплового сопротивления торцевых полупроводниковых лазеров по спектрам спонтанного излучения

    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1148–1153
  17. Связь длины волны и усиления в лазерах на квантовых ямах, точках и яма-точках

    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1144–1147
  18. Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  993–996
  19. Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  922–927
  20. Конструкции блокирующих слоев для подавления паразитной рекомбинации в мощных диодных лазерах с GaAs волноводом

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  363–369
  21. Бимодальность в спектрах электролюминесценции InGaAs квантовых яма-точек

    Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  97–100
  22. Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 $\mu$m

    Письма в ЖТФ, 48:18 (2022),  36–40
  23. Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs

    Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  40–43
  24. Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  32–35
  25. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs

    Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
  26. Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1223–1228
  27. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  820–825
  28. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs

    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
  29. Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров

    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  195–200
  30. Модификация гребневых волноводов полупроводниковых лазеров фокусированным ионным пучком

    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  51–54
  31. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии

    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6
  32. Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды

    Письма в ЖТФ, 47:19 (2021),  30–33
  33. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера

    Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  28–31
  34. Спектроскопия возбуждения фотолюминесценции массивов квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs в температурном диапазоне 20–300 K

    Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  110–117
  35. Предельная температура генерации микродисковых лазеров

    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  570–574
  36. Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями

    Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  296–303
  37. Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  212–216
  38. Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки

    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14
  39. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 46:16 (2020),  3–6
  40. Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек

    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  7–10
  41. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера

    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  3–7
  42. Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As оптического диапазона 900–1050 nm

    Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  3–6
  43. Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)

    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713
  44. Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1520–1526
  45. Полупроводниковая лазерная квазирешетка с фазированными одномодовыми каналами излучения

    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1444–1447
  46. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127
  47. Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал

    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  211–215
  48. Использование микродисковых лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs для биодетектирования

    Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  10–13
  49. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
  50. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками

    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  49–51
  51. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур

    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23
  52. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm

    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45
  53. Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1518–1526
  54. Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1351–1356
  55. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196
  56. Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1131–1136
  57. Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах

    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  260–265
  58. Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  57–62
  59. Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью

    Письма в ЖТФ, 44:15 (2018),  46–51
  60. Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP

    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1382–1386
  61. Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  704–710
  62. Оптические свойства гибридных наноструктур “квантовая яма–точки”, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  372–377
  63. Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  276–280
  64. Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  263–268
  65. Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1425–1428
  66. Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1380–1386
  67. Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1202–1207
  68. Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678
  69. Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм

    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  393–397
  70. Выжигание пространственных дыр и стабильность спектра генерации многочастотного лазера с квантовыми точками

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1546–1552
  71. Влияние бимодальности массива квантовых точек на оптические свойства и пороговые характеристики лазеров на их основе

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1115–1119
  72. Оптимизация асимметричных барьерных слоев в лазерных гетероструктурах InAlGaAs/AlGaAs на подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  956–960
  73. Тепловое сопротивление дисковых микролазеров сверхмалого диаметра

    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  688–692
  74. Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками

    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  86–94
  75. Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на мощностные характеристики лазеров на квантовой яме

    Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  61–70
  76. Лазерная генерация в микродисках сверхмалого диаметра

    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1666–1670
  77. Многослойные массивы квантовых точек высокой объемной плотности

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1487–1491
  78. Лазеры на основе квантовых точек и микрорезонаторов с модами шепчущей галереи

    Квантовая электроника, 44:3 (2014),  189–200
  79. Спектральная зависимость фактора уширения линии в лазерах на квантовых точках

    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1681–1686
  80. Влияние динамики носителей заряда и температуры на двухуровневую генерацию в полупроводниковых лазерах на квантовых точках

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1406–1413
  81. Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1396–1399
  82. Оптимизация конструкции и режима работы лазера на квантовых точках для снижения тепловых потерь при переключении

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1102–1108
  83. Высокочастотные электрические свойства вертикально-излучающего лазера с интегрированным электрооптическим модулятором

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  684–689
  84. Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  87–91
  85. Лазерная генерация в перенесенных на подложку кремния микродисковых резонаторах с квантовыми точками InAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  70–77
  86. Влияние модулированного легирования активной области на одновременную генерацию через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1353–1356
  87. Приборные характеристики длинноволновых лазеров на основе самоорганизующихся квантовых точек. Обзор

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1249–1273
  88. Высокотемпературная лазерная генерация в микрокольцевом лазере с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1063–1066
  89. Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на температурные характеристики лазеров на квантовой яме

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1049–1053
  90. Влияние неоднородного уширения и преднамеренно внесенной неупорядоченности на ширину спектра генерации лазеров на квантовых точках

    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  701–707
  91. Особенности одновременной генерации через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  241–246
  92. Влияние возбужденного оптического перехода на фактор уширения спектральной линии лазеров на квантовых точках

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  235–240
  93. Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей

    Письма в ЖТФ, 38:22 (2012),  43–49
  94. Взаимодействие поляризованного света с гребешковыми металлизированными наноструктурами

    Письма в ЖТФ, 38:4 (2012),  34–40
  95. Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой

    Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  10–16
  96. Синхронизация мод на высших гармониках в лазерах на квантовых точках с туннельно-связанными волноводами

    Письма в ЖТФ, 38:2 (2012),  25–31
  97. Влияние нелинейного насыщения усиления на предельную частоту модуляции в лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  996–1000
  98. Влияние параметров AlGaAs–(AlGa)$_x$O$_y$ пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек

    Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011),  992–995
  99. Быстродействие вертикально-излучающих AlGaAs-лазеров с активной средой на основе субмонослойных внедрений InAs

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  688–693
  100. Температурно-стабильный полупроводниковый лазер на основе составных волноводов

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  560–565
  101. Полупроводниковый лазер с асимметричными барьерными слоями: высокая температурная стабильность

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  540–546
  102. Ширина спектра лазерной генерации в лазерах на квантовых точках: аналитический подход

    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  245–250
  103. Пространственно-одномодовый полупроводниковый лазер на InAs/InGaAs-квантовых точках с дифракционным фильтром оптических мод

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1401–1406
  104. Анализ механизмов эмиссии носителей в $p$–$i$–$n$-структурах с квантовыми точками In(Ga)As

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1352–1356
  105. Оптическая анизотропия InAs квантовых точек

    Письма в ЖТФ, 36:23 (2010),  24–30
  106. Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах

    УФН, 166:4 (1996),  423–428

© МИАН, 2026