Новодворский Олег Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Магнитные свойства пленок InMnSb, полученных методом лазерного осаждения
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  170–174
2. Влияние кристаллической структуры подложки на магнитную анизотропию плeнок Mn$_{x}$Si$_{1-x}$ ($x\approx0.5$)
   
   Физика твердого тела, 63:10 (2021),  1527–1531
3. Влияние температур роста и постростового отжига на магнитные свойства наночастиц Mn$_{1+x}$Sb, внедренных в тонкие пленки GaSb
   
   Физика твердого тела, 62:2 (2020),  203–207
4. Влияние термообработки на дисперсию магнитной анизотропии нановключений MnSb, внедренных в тонкие пленки GaMnSb
   
   Физика твердого тела, 61:4 (2019),  652–658
5. Лазерный отжиг тонких пленок ITO на гибких органических подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  169–173
6. Влияние плотности энергии лазерного пучка на магнитные свойства тонких пленок Mn$_{x}$Si$_{1-x}$ ($x\approx$ 0.5), приготовленных методом импульсного лазерного осаждения
   
   Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2147–2151
7. Модификация ферромагнитных свойств тонких пленок Si$_{1-x}$Mn$_{x}$, синтезируемых методом импульсного лазерного осаждения при изменении давления буферного газа
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1313–1316
8. Люминесцентные свойства тонких пленок Cd$_{x}$Zn$_{1-x}$O
   
   Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  272–275
9. Времяпролетные характеристики лазерного факела при абляции мишени MnSi в атмосфере аргона
   
   Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  103–110
10. Влияние плотности энергии на мишени на свойства пленок SnO$_{2}$ : Sb при использовании скоростного сепаратора частиц
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  426–430
11. Аномальный эффект Холла в поликристаллических пленках Si$_{1-x}$Mn$_{x}$ ($x\approx0.5$) с самоорганизованным распределением кристаллитов по форме и размерам
    
    Письма в ЖЭТФ, 103:7 (2016),  539–546
12. Влияние условий импульсного лазерного осаждения на структурные, электрические и оптические свойства тонких пленок VO$_2$
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  577–583
13. Тонкие плeнки сульфида кадмия для фотовольтаики
    
    Comp. nanotechnol., 2014, № 1,  68–73
14. Влияние энергии факела на характеристики пленок SnО$_2$:Sb при использовании безкапельного метода ИЛО
    
    Comp. nanotechnol., 2014, № 1,  62–67
15. Свойства пленок VO$_2$, полученных методом ИЛО в бескапельном режиме
    
    Comp. nanotechnol., 2014, № 1,  56–61
16. Свойства пленок Zn$_{1-x}$Co$_x$O, полученных методом импульсного лазерного осаждения с использованием скоростной сепарации осаждаемых частиц
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  556–563
17. Высокотемпературный ферромагнетизм нестехиометрических сплавов Si$_{1-x}$Mn$_x$ ($x\approx0.5$)
    
    Письма в ЖЭТФ, 96:4 (2012),  272–280
18. Высокотемпературный ферромагнетизм Si$_{1-x}$Mn$_x$ пленок, полученных лазерным напылением с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1546–1553
19. Импульсное лазерное осаждение тонких пленок ITO и их характеристики
    
    Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  425–429
20. Тройные сплавы Cd$_y$Zn$_{1-y}$O и Mg$_x$Zn$_{1-x}$O – материалы для оптоэлектроники
    
    Физика твердого тела, 53:3 (2011),  438–442
21. Управление энергетическим спектром ионов в модифицированном методе импульсного лазерного напыления на пересекающихся факелах
    
    Письма в ЖТФ, 37:2 (2011),  39–45
22. Электролюминесценция полупроводниковых гетероструктур на основе оксида цинка
    
    Квантовая электроника, 41:1 (2011),  4–7
23. Зондовые исследования лазерного эрозионного факела при абляции кремния в вакууме
    
    ЖТФ, 80:4 (2010),  59–63
24. Эпитаксиальный рост и свойства пленок Mg$_x$Zn$_{1-x}$O, получаемых методом лазерно-плазменного осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  260–264
25. Зондовые исследования эрозионного факела при абляции тантала в вакууме излучением эксимерного лазера с длиной волны 308 нм
    
    Квантовая электроника, 31:2 (2001),  159–163
26. Динамика пробивки канала в стекле и образование структур под действием модулированного излучения технологического СО₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 24:8 (1997),  704–708
27. Влияние турбулентной диффузии на усиление излучения в секционированной разрядной камере быстропроточного СО₂-лазера
    
    Квантовая электроника, 22:5 (1995),  485–487
28. ИК люминесцентная диагностика технологического быстропроточного СО₂-лазера с перекрестной системой электродов
    
    Квантовая электроника, 21:12 (1994),  1151–1156