|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Конструкция источника одиночных фотонов спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с инжекционной накачкой на основе вертикального микрорезонатора с внутрирезонаторными контактами
Письма в ЖТФ, 47:5 (2021), 23–27
-
Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)
Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1708–1713
-
Дизайн и новая функциональность антиволноводных вертикально-излучающих лазеров на длину волны 850 nm
Письма в ЖТФ, 44:1 (2018), 85–94
-
Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода
Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1542–1553
-
Высокочастотные электрические свойства вертикально-излучающего лазера с интегрированным электрооптическим модулятором
Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 684–689
-
Температурно-стабильный полупроводниковый лазер на основе составных волноводов
Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011), 560–565
-
Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур
УФН, 167:5 (1997), 552–555
-
Хвосты плотности состояний в кристаллах с неаналитическим спектром
Физика твердого тела, 28:5 (1986), 1552–1554
-
Плотность состояний и локальные колебания в кристаллах с дирекционной дисперсией фононов
Физика твердого тела, 27:11 (1985), 3406–3412
-
Спектр оптических фононов в кристаллах ZnS с дефектами упаковки
Физика твердого тела, 27:4 (1985), 1017–1026
© , 2026