Осипов Андрей Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Природа стабильных и метастабильных состояний электронной структуры вакансионных нитей на поверхности карбида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 52:5 (2026),  45–49
2. Нано-электромагниты на основе гибридных SiC/Si наноструктур
   
   Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1432–1436
3. Магнитная восприимчивость гибридных структур SiC/Si, синтезированных методом самосогласованного замещения атомов
   
   Физика твердого тела, 67:4 (2025),  624–634
4. Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga$_2$O$_3$ методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110)
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  105–113
5. Построение прогнозных моделей для роста тонких пленок SiC/Si с использованием методов машинного обучения
   
   Письма в ЖТФ, 51:22 (2025),  31–35
6. Андреевские генераторы терагерцевого излучения
   
   Физика твердого тела, 66:11 (2024),  2052–2058
7. Влияние олова на свойства нитрида галлия, выращенного методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1338–1343
8. Эволюция структуры при превращении Si в SiC методом самосогласованного замещения атомов
   
   Физика твердого тела, 66:7 (2024),  1133–1143
9. Взаимодействие кремниевых вакансий в карбиде кремния
   
   Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  19–23
10. Изменение упругих деформаций в пленках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si
    
    Физика твердого тела, 65:1 (2023),  71–75
11. Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок “сверху-вниз”
    
    Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  343–347
12. Фазовые превращения в слоях оксида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 49:17 (2023),  6–9
13. Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 49:15 (2023),  3–6
14. Теплопроводность гибридных подложек SiC/Si для роста светодиодных гетероструктур
    
    Письма в ЖТФ, 49:14 (2023),  19–21
15. Рост пленок SiC, AlN и GaN на кремниевых изделиях произвольной геометрии для микроэлектромеханических применений
    
    Письма в ЖТФ, 49:11 (2023),  3–6
16. Исследование этапов превращения кремния в карбид кремния в процессе атомного замещения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и рентгеновской дифрактомерии
    
    Физика твердого тела, 64:3 (2022),  326–336
17. Режимы роста пленок нитрида алюминия на гибридных подложках SiC/Si(111)
    
    Физика твердого тела, 64:1 (2022),  117–124
18. Фазовые переходы в эпитаксиальных слоях карбида кремния, выращенных на кремниевой подложке методом согласованного замещения атомов
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  715–718
19. Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3$C$-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов
    
    Письма в ЖТФ, 48:20 (2022),  43–46
20. Особенности зарождения и роста нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si методом хлорид-гидридной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  24–28
21. Самоорганизация состава пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  363–369
22. Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1195–1202
23. Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1027–1033
24. Формирование гексагональной фазы германия на поверхности нитевидных нанокристаллов AlGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  621–624
25. Магнитные свойства тонких эпитаксиальных слоев SiC, выращенных методом самосогласованного замещения атомов на поверхностях монокристаллического кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  103–111
26. Механические свойства композитного покрытия SiC на графите, полученного методом замещения атомов
    
    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  7–10
27. Термодинамическая стабильность твердых растворов In$_{x}$Ga$_{1-x}$N
    
    Письма в ЖТФ, 47:19 (2021),  51–54
28. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
29. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
30. Влияние пористости слоя кремния на упругие свойства гибридных подложек SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  25–28
31. Оптические свойства, зонная структура и проводимость межфазной границы раздела гетероструктуры 3$C$-SiC(111)/Si(111), выращенной методом замещения атомов
    
    Письма в ЖТФ, 46:22 (2020),  3–5
32. Низкотемпературный рост кубической фазы CdS методом атомно-слоевого осаждения на гибридных подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  3–6
33. Покрытие наноструктурированной профилированной поверхности Si слоем SiC
    
    Письма в ЖТФ, 46:20 (2020),  19–22
34. Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе
    
    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  28–31
35. Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней
    
    Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  36–38
36. Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  22–25
37. Механизм диффузии монооксидов углерода и кремния в кристалле кубического карбида кремния
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2334–2337
38. Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2313–2315
39. Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2289–2293
40. Пути политипных превращений в карбиде кремния
    
    Физика твердого тела, 61:8 (2019),  1443–1447
41. Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  587–593
42. Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  433–440
43. Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2$H$ и 4$H$ карбида кремния
    
    Физика твердого тела, 61:3 (2019),  422–425
44. Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  190–198
45. Эпитаксиальный рост cульфида цинка методом молекулярного наслаивания на гибридных подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  11–14
46. Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  24–27
47. Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8$^\circ$
    
    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  17–20
48. Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры
    
    Физика твердого тела, 60:10 (2018),  2022–2027
49. Механизм образования углеродно-вакансионных структур в карбиде кремния при его росте методом замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 60:9 (2018),  1841–1846
50. Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$, синтезированных на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 60:5 (2018),  851–856
51. Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
    
    Физика твердого тела, 60:3 (2018),  499–504
52. Влияние химической подготовки поверхности кремния на качество и структуру эпитаксиальных пленок карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  656–663
53. MBE growth and structural properties of InAs and InGaAs nanowires with different mole fraction of In on Si and strongly mismatched SiC/Si(111) substrates
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  522
54. ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния
    
    Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2403–2408
55. Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния
    
    Физика твердого тела, 59:6 (2017),  1214–1217
56. Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов
    
    Физика твердого тела, 59:5 (2017),  986–998
57. Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния
    
    Физика твердого тела, 59:4 (2017),  755–761
58. Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 59:4 (2017),  660–667
59. Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
    
    Физика твердого тела, 59:2 (2017),  385–388
60. Эволюция симметрии промежуточных фаз и их фононных спектров в процессе топохимического превращения кремния в карбид кремния
    
    Физика твердого тела, 59:1 (2017),  30–35
61. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1525–1529
62. Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  651–658
63. Отделение эпитаксиальных гетероструктур III–N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  414–420
64. Эффект Горского при синтезе пленок карбида кремния из кремния методом топохимического замещения атомов
    
    Письма в ЖТФ, 43:13 (2017),  81–88
65. Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика твердого тела, 58:10 (2016),  1886–1889
66. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1812–1817
67. Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1398–1402
68. Упругое взаимодействие точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах
    
    Физика твердого тела, 58:5 (2016),  941–949
69. Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 58:5 (2016),  937–940
70. Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния
    
    Физика твердого тела, 58:4 (2016),  725–729
71. Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии
    
    Физика твердого тела, 58:3 (2016),  612–615
72. Спектроскопия остовного уровня атомов углерода C 1$s$ на поверхности эпитаксиального слоя SiC/Si(111) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC/Si(111) 4$^\circ$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1348–1352
73. Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$
    
    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  51–57
74. Моделирование процесса индентирования наномасштабных пленок на подложках методом молекулярной динамики
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  64–72
75. Определение политипного состава пленок карбида кремния методом ультрафиолетовой эллипсометрии
    
    Письма в ЖТФ, 42:4 (2016),  16–22
76. Инфракрасная спектроскопия слоев карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния
    
    Физика твердого тела, 57:12 (2015),  2469–2474
77. Устойчивость поверхности упругонапряженной многокомпонентной пленки в системе с химическими реакциями
    
    Физика твердого тела, 57:12 (2015),  2451–2457
78. Эффект воздействия $n$- и $p$-типа проводимости подложки Si(100) с буферным слоем SiC на механизм роста и структуру эпитаксиальных слоев полуполярных AlN и GaN
    
    Физика твердого тела, 57:10 (2015),  1916–1921
79. Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN
    
    Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1850–1858
80. Роль упругой энергии в формировании сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире
    
    Физика твердого тела, 57:4 (2015),  796–801
81. Релаксация деформаций несоответствия за счет пор и отслоений и условия образования дислокаций, трещин и гофров в эпитаксиальной гетероструктуре AlN(0001)/SiC/Si(111)
    
    Физика твердого тела, 57:1 (2015),  153–162
82. Равновесное состояние в трехэлементной системе Si–O–C при росте SiC методом химического замещения атомов
    
    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  1–9
83. Критерий морфологической устойчивости сферического фронта кристаллизации в многокомпонентной системе с химическими реакциями
    
    Физика твердого тела, 56:12 (2014),  2440–2445
84. Синтез эпитаксиальных пленок карбида кремния методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния (Обзор)
    
    Физика твердого тела, 56:8 (2014),  1457–1485
85. Фазовый переход первого рода через промежуточное состояние
    
    Физика твердого тела, 56:4 (2014),  761–768
86. Наноиндентирование и деформационные свойства наномасштабных пленок карбида кремния на кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  53–59
87. Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  48–54
88. Эпитаксиальный карбид кремния на 6-дюймовой пластине кремния
    
    Письма в ЖТФ, 40:1 (2014),  71–79
89. Анизотропия твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1575–1579
90. Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования
    
    Письма в ЖТФ, 39:22 (2013),  25–32
91. Подвижность носителей заряда в нелегированных слоях SiC, выращенных новым методом эпитаксии на Si
    
    Письма в ЖТФ, 39:10 (2013),  81–88
92. Эпитаксия GaN в полуполярном направлении на подложке Si(210)
    
    Письма в ЖТФ, 39:6 (2013),  1–8
93. Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  90–95
94. Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев
    
    Письма в ЖТФ, 37:7 (2011),  72–79
95. Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  17–23
96. Процессы конденсации тонких пленок
    
    УФН, 168:10 (1998),  1083–1116
97. Расщепление дисклинаций и трансформация «кристалл$-$стекло» при механическом сплавлении
    
    Физика твердого тела, 34:1 (1992),  288–292