Закревский Дмитрий Эдуардович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Параметрическое исследование CuBr-лазера с субнаносекундным фронтом импульса возбуждения до частоты следования импульсов 100 kHz
   
   Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  3–6
2. Механизм субнаносекундной коммутации в эптроне
   
   Письма в ЖТФ, 51:12 (2025),  33–37
3. Особенности развития тока в начальной стадии пробоя в эптроне
   
   ТВТ, 63:6 (2025),  680–688
4. Исследование электрофизических параметров холодной плазменной струи в гелии и аргоне
   
   ЖТФ, 94:5 (2024),  727–736
5. Параметры стимулированного излучения в Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N : Si/AlN/Al$_2$O$_3$-структуре с планарной геометрией
   
   Оптика и спектроскопия, 132:9 (2024),  911–917
6. Вольт-амперные характеристики и эффективность генерации электронного пучка в высоковольтном аномальном тлеющем разряде
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  3–6
7. Оптическое усиление в сильнолегированных Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N:Si-структурах при непрерывной накачке
   
   Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  39–42
8. Исследование параметров объемного газового разряда высокого давления при частоте следования импульсов до 100 kHz
   
   Письма в ЖТФ, 50:19 (2024),  9–12
9. Механизмы оптического усиления в сильно легированных Al$_x$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах ($x$ = 0.56–1)
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  731–737
10. Лазер с высокой частотой следования на самоограниченных переходах иона кальция
    
    Письма в ЖТФ, 49:19 (2023),  19–22
11. Параметры холодной плазменной струи, генерируемой в потоке гелия при контактном и бесконтактном инициировании
    
    Письма в ЖТФ, 49:11 (2023),  39–42
12. Стимулированная эмиссия в сильно легированных Al$_{0.68}$Ga$_{0.32}$N : Si-структурах с поперечной оптической накачкой при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1125–1131
13. Особенности импульсного инициирования плазменной струи
    
    Письма в ЖТФ, 48:19 (2022),  8–11
14. Особенности пробоя и развития тока в импульсном “открытом” разряде
    
    Письма в ЖТФ, 48:15 (2022),  7–10
15. Электрофизические и тепловые параметры плазменной струи атмосферного давления в гелии при возбуждении синусоидальным и импульсным напряжением
    
    Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  41–44
16. Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах
    
    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  39–42
17. Коммутация высоковольтных импульсов в устройствах на основе открытого разряда в азоте и кислороде
    
    Письма в ЖТФ, 46:20 (2020),  27–30
18. Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si
    
    Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  48–51
19. Частотно-энергетические характеристики Cu – Ne-лазера при различной длительности переднего фронта импульса возбуждения
    
    Квантовая электроника, 49:8 (2019),  749–753
20. Возбуждение ридберговских атомов таллия в электрическом поле
    
    Оптика и спектроскопия, 124:1 (2018),  5–11
21. Особенности вольт-амперных характеристик и механизм высокоэффективной генерации электронного пучка в непрерывном открытом разряде
    
    Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  96–103
22. Усиленная люминесценция сильнолегированных Al_xGa_1-xN-структур при оптическом возбуждении
    
    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  215–221
23. Коммутация 100 kV импульсов в планарном “открытом” разряде с генерацией встречных электронных пучков
    
    Письма в ЖТФ, 43:20 (2017),  37–45
24. Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  5–13
25. Влияние давления рабочего газа на скорость коммутации кивотрона
    
    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  16–24
26. Развитие разряда и минимальное время коммутации в кивотроне
    
    Письма в ЖТФ, 42:7 (2016),  73–80
27. Лазер на парах бромида меди с возбуждением электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 46:9 (2016),  782–786
28. Возбуждение и релаксация метастабильных состояний атомов в активной среде импульсно-периодического лазера на парах меди
    
    Квантовая электроника, 46:2 (2016),  100–105
29. Генерация высоковольтных импульсов с субнаносекундным фронтом нарастания в “открытом разряде”. II Механизм коммутации
    
    ЖТФ, 85:10 (2015),  58–63
30. Генерация высоковольтных импульсов с субнаносекундным фронтом нарастания в “открытом разряде”. I. Конструкции и результаты экспериментальных исследований коммутационных характеристик
    
    ЖТФ, 85:10 (2015),  50–57
31. Коммутация импульсов мощностью 500 MW с субнаносекундным фронтом нарастания на основе открытого разряда
    
    Письма в ЖТФ, 39:17 (2013),  44–52
32. Влияние уменьшения длительности фронта импульса напряжения на частоту следования импульсов генерации лазера на парах меди
    
    Квантовая электроника, 43:8 (2013),  715–719
33. Активированная адсорбцией резонансная фотоэмиссия
    
    Письма в ЖЭТФ, 96:2 (2012),  139–144
34. Коммутация высоковольтных импульсов с субнаносекундным фронтом нарастания с обострителем на основе открытого разряда
    
    Письма в ЖТФ, 38:8 (2012),  63–71
35. Исследование механизма генерации столкновительного лазера на самоограниченном переходе 2¹P₀¹ – 2¹S₀ в атоме гелия
    
    Квантовая электроника, 42:2 (2012),  99–106
36. Сравнительное исследование генерационных характеристик лазера на кристаллах CdS при накачке низкоэнергетическими и высокоэнергетическими пучками электронов
    
    Письма в ЖТФ, 37:17 (2011),  65–74
37. Особенности широкоапертурного разряда в полом катоде в гелии
    
    Письма в ЖТФ, 36:14 (2010),  26–33
38. Столкновительная генерация на самоограниченном переходе атома гелия
    
    Квантовая электроника, 40:12 (2010),  1116–1117
39. Генерация электронного пучка в открытом разряде с катодной полостью и характеристики He — Xe-лазера на линии ксенона с λ = 2.026 мкм
    
    Квантовая электроника, 40:7 (2010),  599–603
40. Исследование газоразрядного лазера на самоограниченном переходе таллия
    
    Квантовая электроника, 39:10 (2009),  911–916
41. Исследование процессов релаксации метастабильного состояния 6р²Р⁰_3/2 в лазере на самоограниченном переходе таллия
    
    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1110–1112
42. Исследование гелиевого лазера при накачке импульсным электронным пучком, генерируемым в открытом разряде
    
    Квантовая электроника, 38:9 (2008),  823–828
43. Селективное фотохимическое «выжигание» изотопа при взаимодействии резонансного лазерного излучения с атомами
    
    Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002),  202–205
44. Влияние согласования генератора накачки с лазерной трубкой и условий накачки на релаксацию метастабильных состояний и частотно-энергетические характеристики лазера на парах меди
    
    Квантовая электроника, 32:7 (2002),  602–608
45. Некоторые новые тенденции в лазерном разделении изотопов в атомарных парах
    
    Квантовая электроника, 32:7 (2002),  570–586
46. Перестраиваемая узкополосная УФ лазерная система с накачкой лазером на парах меди
    
    Квантовая электроника, 31:2 (2001),  132–134
47. Накачка рекомбинационного лазера на ионе стронция в схеме со срезающим тиратроном
    
    Квантовая электроника, 18:8 (1991),  926–928
48. Квазинепрерывная генерация на λ = 585,3 нм в Ne при накачке смеси Ne–H₂пучком низкоэнергетических электронов
    
    Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1110–1115