RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Бохан Петр Артемович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Параметрическое исследование CuBr-лазера с субнаносекундным фронтом импульса возбуждения до частоты следования импульсов 100 kHz

    Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  3–6
  2. Механизм субнаносекундной коммутации в эптроне

    Письма в ЖТФ, 51:12 (2025),  33–37
  3. Особенности развития тока в начальной стадии пробоя в эптроне

    ТВТ, 63:6 (2025),  680–688
  4. Параметры стимулированного излучения в Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N : Si/AlN/Al$_2$O$_3$-структуре с планарной геометрией

    Оптика и спектроскопия, 132:9 (2024),  911–917
  5. Вольт-амперные характеристики и эффективность генерации электронного пучка в высоковольтном аномальном тлеющем разряде

    Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  3–6
  6. Оптическое усиление в сильнолегированных Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N:Si-структурах при непрерывной накачке

    Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  39–42
  7. Исследование параметров объемного газового разряда высокого давления при частоте следования импульсов до 100 kHz

    Письма в ЖТФ, 50:19 (2024),  9–12
  8. Механизмы оптического усиления в сильно легированных Al$_x$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах ($x$ = 0.56–1)

    Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  731–737
  9. Лазер с высокой частотой следования на самоограниченных переходах иона кальция

    Письма в ЖТФ, 49:19 (2023),  19–22
  10. Стимулированная эмиссия в сильно легированных Al$_{0.68}$Ga$_{0.32}$N : Si-структурах с поперечной оптической накачкой при комнатной температуре

    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1125–1131
  11. Особенности пробоя и развития тока в импульсном “открытом” разряде

    Письма в ЖТФ, 48:15 (2022),  7–10
  12. Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах

    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  39–42
  13. Коммутация высоковольтных импульсов в устройствах на основе открытого разряда в азоте и кислороде

    Письма в ЖТФ, 46:20 (2020),  27–30
  14. Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si

    Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  48–51
  15. Частотно-энергетические характеристики Cu – Ne-лазера при различной длительности переднего фронта импульса возбуждения

    Квантовая электроника, 49:8 (2019),  749–753
  16. Возбуждение ридберговских атомов таллия в электрическом поле

    Оптика и спектроскопия, 124:1 (2018),  5–11
  17. Особенности вольт-амперных характеристик и механизм высокоэффективной генерации электронного пучка в непрерывном открытом разряде

    Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  96–103
  18. Усиленная люминесценция сильнолегированных AlxGa1-xN-структур при оптическом возбуждении

    Квантовая электроника, 48:3 (2018),  215–221
  19. О физических процессах в “открытом” разряде

    УФН, 188:12 (2018),  1361–1366
  20. Коммутация 100 kV импульсов в планарном “открытом” разряде с генерацией встречных электронных пучков

    Письма в ЖТФ, 43:20 (2017),  37–45
  21. Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке

    Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  5–13
  22. Влияние давления рабочего газа на скорость коммутации кивотрона

    Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  16–24
  23. Развитие разряда и минимальное время коммутации в кивотроне

    Письма в ЖТФ, 42:7 (2016),  73–80
  24. Лазер на парах бромида меди с возбуждением электронным пучком

    Квантовая электроника, 46:9 (2016),  782–786
  25. Возбуждение и релаксация метастабильных состояний атомов в активной среде импульсно-периодического лазера на парах меди

    Квантовая электроника, 46:2 (2016),  100–105
  26. Генерация высоковольтных импульсов с субнаносекундным фронтом нарастания в “открытом разряде”. II Механизм коммутации

    ЖТФ, 85:10 (2015),  58–63
  27. Генерация высоковольтных импульсов с субнаносекундным фронтом нарастания в “открытом разряде”. I. Конструкции и результаты экспериментальных исследований коммутационных характеристик

    ЖТФ, 85:10 (2015),  50–57
  28. Коммутация импульсов мощностью 500 MW с субнаносекундным фронтом нарастания на основе открытого разряда

    Письма в ЖТФ, 39:17 (2013),  44–52
  29. Влияние уменьшения длительности фронта импульса напряжения на частоту следования импульсов генерации лазера на парах меди

    Квантовая электроника, 43:8 (2013),  715–719
  30. Активированная адсорбцией резонансная фотоэмиссия

    Письма в ЖЭТФ, 96:2 (2012),  139–144
  31. Коммутация высоковольтных импульсов с субнаносекундным фронтом нарастания с обострителем на основе открытого разряда

    Письма в ЖТФ, 38:8 (2012),  63–71
  32. Исследование механизма генерации столкновительного лазера на самоограниченном переходе 21P01 – 21S0 в атоме гелия

    Квантовая электроника, 42:2 (2012),  99–106
  33. Сравнительное исследование генерационных характеристик лазера на кристаллах CdS при накачке низкоэнергетическими и высокоэнергетическими пучками электронов

    Письма в ЖТФ, 37:17 (2011),  65–74
  34. О длительности импульсов генерации лазеров на самоограниченных переходах

    Квантовая электроника, 41:2 (2011),  110–114
  35. Особенности широкоапертурного разряда в полом катоде в гелии

    Письма в ЖТФ, 36:14 (2010),  26–33
  36. Столкновительная генерация на самоограниченном переходе атома гелия

    Квантовая электроника, 40:12 (2010),  1116–1117
  37. Генерация электронного пучка в открытом разряде с катодной полостью и характеристики He — Xe-лазера на линии ксенона с λ = 2.026 мкм

    Квантовая электроника, 40:7 (2010),  599–603
  38. Исследование газоразрядного лазера на самоограниченном переходе таллия

    Квантовая электроника, 39:10 (2009),  911–916
  39. Исследование процессов релаксации метастабильного состояния 6р2Р03/2 в лазере на самоограниченном переходе таллия

    Квантовая электроника, 38:12 (2008),  1110–1112
  40. Исследование гелиевого лазера при накачке импульсным электронным пучком, генерируемым в открытом разряде

    Квантовая электроника, 38:9 (2008),  823–828
  41. Селективное фотохимическое «выжигание» изотопа при взаимодействии резонансного лазерного излучения с атомами

    Письма в ЖЭТФ, 75:4 (2002),  202–205
  42. Влияние согласования генератора накачки с лазерной трубкой и условий накачки на релаксацию метастабильных состояний и частотно-энергетические характеристики лазера на парах меди

    Квантовая электроника, 32:7 (2002),  602–608
  43. Некоторые новые тенденции в лазерном разделении изотопов в атомарных парах

    Квантовая электроника, 32:7 (2002),  570–586
  44. Перестраиваемая узкополосная УФ лазерная система с накачкой лазером на парах меди

    Квантовая электроника, 31:2 (2001),  132–134
  45. Генерация интенсивных пучков убегающих электронов в кюветах большого диаметра и при высоком ускорительном напряжении

    ЖТФ, 61:7 (1991),  187–190
  46. Механизм формирования и генерации интенсивных электронных пучков в открытом разряде

    ЖТФ, 61:6 (1991),  61–68
  47. Газоразрядный гелий$-$европиевый лазер высокого давления

    Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  89–91
  48. Накачка рекомбинационного лазера на ионе стронция в схеме со срезающим тиратроном

    Квантовая электроника, 18:8 (1991),  926–928
  49. Сравнительное исследование частотно-энергетических характеристик лазеров на Са+, Eu, Sr+ при газоразрядном и электронно-пучковом возбуждении

    Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1426–1427
  50. Квазинепрерывная генерация на λ = 585,3 нм в Ne при накачке смеси Ne–H2пучком низкоэнергетических электронов

    Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1110–1115
  51. Механизм ускорения электронов в открытом разряде

    ЖТФ, 57:5 (1987),  978–980
  52. Квазинепрерывная столкновительная генерация в лазере на парах олова

    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  705–706
  53. Столкновительные лазеры на ионах $Ca^{+}$ и $Eu^{+}$ с высокой удельной энергией излучения

    Письма в ЖТФ, 12:3 (1986),  161–164
  54. Процессы релаксации и влияние метастабильных состояний атомов и ионов металлов на механизм генерации и энергетические характеристики лазеров

    Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1837–1847
  55. Механизм ограничения частоты следования импульсов генерации в лазере на парах бария

    Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1595–1602
  56. Формирование электронных пучков в перезарядочном слое при разряде в газах среднего давления

    ЖТФ, 55:6 (1985),  1168–1170
  57. Открытый разряд, генерирующий электронный пучок: механизм, свойства и использование для накачки лазеров среднего давления

    ЖТФ, 55:1 (1985),  88–95
  58. О механизме ограничения оптимальной частоты следования импульсов генерации в лазерах на самоограниченных переходах паров металлов

    Квантовая электроника, 12:5 (1985),  945–952
  59. Возбуждение лазера на парах свинца электронным пучком

    Письма в ЖТФ, 10:10 (1984),  620–623
  60. Непрерывная генерация в столкновительном гелий-европиевом лазере

    Письма в ЖТФ, 10:4 (1984),  210–214
  61. Гелий-европиевый лазер с удельной энергией излучения 5 Дж/л·атм

    Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1683–1685
  62. О механизме ограничения частоты следования импульсов генерации в лазере на парах меди

    Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1264–1269
  63. О механизме генерации на переходах 4d3D1,2–5p3P20 атома стронция

    Квантовая электроника, 6:3 (1979),  623–625
  64. Оптимизация условий возбуждения в лазере на парах меди

    Квантовая электроника, 6:3 (1979),  451–455
  65. Особенности генерации газоразрядного лазера на парах бария, возбуждаемого сдвоенными импульсами

    Квантовая электроника, 6:1 (1979),  134–139
  66. О механизме генерации лазера на парах меди

    Квантовая электроника, 5:10 (1978),  2162–2173
  67. Исследование импульсного лазера на парах меди с поперечным возбуждением

    Квантовая электроника, 5:2 (1978),  381–387
  68. Исследование лазера на парах бария

    Квантовая электроника, 5:2 (1978),  319–324
  69. Исследование энергетических характеристик лазера на парах меди с продольным разрядом

    Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1812–1814
  70. Исследование лазера на самоограничивающихся переходах атома и иона европия

    Квантовая электроника, 4:1 (1977),  152–154
  71. Механизм генерации и энергетические характеристики лазера на парах марганца

    Квантовая электроника, 3:6 (1976),  1239–1244
  72. Отпаянный лазер на парах меди

    Квантовая электроника, 2:1 (1975),  159–162
  73. Аргоновый ОКГ мощностью 500 мВт без водяного охлаждения

    Квантовая электроника, 1:7 (1974),  1664–1666
  74. Столкновительный газоразрядный лазер на ионизированных парах европия II. Механизм возникновения инверсии

    Квантовая электроника, 1:6 (1974),  1370–1374
  75. Столкновительный газоразрядный лазер на ионизированных парах европия I. Наблюдение самоограниченной генерации и переход от циклического режима к квазинепрерывному

    Квантовая электроника, 1:6 (1974),  1365–1369
  76. О механизме генерации ОКГ на парах меди

    Квантовая электроника, 1973, № 6(18),  53–57


© МИАН, 2026