Шерняков Юрий Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Пространственное распределение тока в полупроводниковых оптических усилителях с гребневым волноводом и активной областью на основе квантовых яма-точек
   
   Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025),  1063–1067
2. Спектральные и пространственные характеристики излучения торцевых лазерных диодов на основе квантовых ям InGaAs/GaAs со сверхшироким волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  310–313
3. Управляемое током и светом переключение длин волн лазерной генерации в лазерах на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs для использования в нейроморфной фотонике
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  45–49
4. Генерация замкнутой моды в мощных суперлюминесцентных диодах со скользящим полосковым волноводом
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  18–21
5. Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010–1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  313–317
6. Спектральные характеристики оптически связанной пары полосковых лазеров на квантовых точках InAs/InGaAs/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  57–60
7. Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках
   
   Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  57–60
8. Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью
   
   Письма в ЖТФ, 50:6 (2024),  23–27
9. Определение температуры и теплового сопротивления полудискового лазерного диода методом измерения импульсных вольт-амперных характеристик
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  767–772
10. Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  301–307
11. Кодирование информации с использованием двухуровневой генерации в лазере на квантовых точках
    
    Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  18–21
12. Измерение теплового сопротивления торцевых полупроводниковых лазеров по спектрам спонтанного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1148–1153
13. Связь длины волны и усиления в лазерах на квантовых ямах, точках и яма-точках
    
    Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1144–1147
14. Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  933–939
15. Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек
    
    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  922–927
16. Конструкции блокирующих слоев для подавления паразитной рекомбинации в мощных диодных лазерах с GaAs волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  363–369
17. Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 48:18 (2022),  36–40
18. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
19. Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263
20. Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713
21. Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  211–215
22. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
23. Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур
    
    Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23
24. Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm
    
    Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45
25. Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1351–1356
26. Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196
27. Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  133–137
28. Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью
    
    Письма в ЖТФ, 44:15 (2018),  46–51
29. Усилительные свойства “тонких” упруго напряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1429–1433
30. Влияние бимодальности массива квантовых точек на оптические свойства и пороговые характеристики лазеров на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1115–1119
31. Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на мощностные характеристики лазеров на квантовой яме
    
    Письма в ЖТФ, 41:9 (2015),  61–70
32. Спектральная зависимость фактора уширения линии в лазерах на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1681–1686
33. Оптимизация конструкции и режима работы лазера на квантовых точках для снижения тепловых потерь при переключении
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1102–1108
34. Приготовление полосковой структуры для квантовых каскадных лазеров
    
    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  32–37
35. Влияние модулированного легирования активной области на одновременную генерацию через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1353–1356
36. Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на температурные характеристики лазеров на квантовой яме
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1049–1053
37. Особенности одновременной генерации через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  241–246
38. Влияние возбужденного оптического перехода на фактор уширения спектральной линии лазеров на квантовых точках
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  235–240
39. Пространственно-одномодовый полупроводниковый лазер на InAs/InGaAs-квантовых точках с дифракционным фильтром оптических мод
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1401–1406
40. Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами
    
    УФН, 169:4 (1999),  459–464
41. Фотолюминесценция аморфных пленок $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H
    
    Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  710–716
42. Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2217–2221
43. Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом
    
    Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  664–668
44. Инжекционный ($Ga\,Al\,As\,Sb/Ga\,Sb/Ga\,In\,As\,Sb$) гетеролазер с $2^x$ канальным волноводом (ДГС 2KB $\lambda=2$ мкм), работающий при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  557–561
45. Координатная зависимость разности коэффициентов в варизонной $p{-}n$-структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  502–506
46. Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения в варизонной $p{-}n$-структуре
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  753–755