Воробьёв Леонид Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Спектральные характеристики полукольцевых квантово-каскадных лазеров
   
   Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1165–1170
2. Исследование спектров генерации арочных квантово-каскадных лазеров
   
   Оптика и спектроскопия, 128:6 (2020),  696–700
3. Квантово-каскадные лазеры с распределенным брэгговским отражателем, сформированным методом ионно-лучевого травления
   
   Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  8–11
4. Спектральный сдвиг излучения квантово-каскадного лазера под действием управляющего напряжения
   
   Письма в ЖТФ, 45:22 (2019),  21–23
5. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 9.6 $\mu$m
   
   ЖТФ, 88:10 (2018),  1559–1563
6. Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  812–815
7. Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  63–67
8. Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре
   
   Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  17–23
9. Фазовая модуляция излучения среднего ИК диапазона в структурах с двойными квантовыми ямами в продольном электрическом поле
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  378–382
10. Модуляция межподзонного поглощения света и межзонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1445–1450
11. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1320–1324
12. Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  932–936
13. Оптические и электрические свойства микроструктур на основе GaN : Si с широким диапазоном уровней легирования
    
    Физика твердого тела, 57:4 (2015),  768–774
14. Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6–5.8 мкм при токовой накачке
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1574–1577
15. Влияние поперечного электрического поля и температуры на поглощение света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1473–1477
16. Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  30–34
17. Экситонные спектры и электропроводность эпитаксиальных слоев GaN, легированных кремнием
    
    Физика твердого тела, 55:2 (2013),  260–264
18. Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1599–1603
19. Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1526–1529
20. Спиновая ориентация дырок при протекании тока в теллуре
    
    Физика твердого тела, 54:12 (2012),  2237–2247
21. Динамика фотолюминесценции в наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1581–1586
22. Фотоиндуцированное и равновесное поглощение света в квантовых точках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1566–1570
23. Поляризационная зависимость резонансов Фано в примесной фотопроводимости квантовых ям, легированных мелкими донорами
    
    Физика твердого тела, 53:6 (2011),  1188–1197
24. Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1451–1454
25. Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1443–1446
26. Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в Sb-содержащих лазерных наноструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  53–61
27. Генерация излучения миллиметрового диапазона при пролетном резонансе электронов в фосфиде индия в сильном электрическом поле
    
    Письма в ЖЭТФ, 73:5 (2001),  253–257
28. Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами
    
    УФН, 169:4 (1999),  459–464
29. Спектральная зависимость индуцированной током анизотропии показателя преломления на горячих электронах в $n$-InSb
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  565–567
30. Влияние разогрева и дрейфа электронов на показатель преломления $n$-InSb с учетом межзонных переходов
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  513–518