RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Вавилов Виктор Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV

    УФН, 169:2 (1999),  209–212
  2. Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы

    УФН, 167:4 (1997),  407–412
  3. Алмаз в твердотельной электронике

    УФН, 167:1 (1997),  17–22
  4. Полупроводники в современном мире

    УФН, 165:5 (1995),  591–594
  5. Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения

    УФН, 165:3 (1995),  347–358
  6. Возможности и ограничения ионной имплантации в алмаз и их сопоставление с другими методами введения электрически активных примесей

    УФН, 164:4 (1994),  429–433
  7. Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений

    УФН, 164:3 (1994),  287–296
  8. Люминесценция эпитаксиальных слоев $6H$-SiC, облученных быстрыми электронами

    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  762–766
  9. Исследование спектров катодолюминесценции кристаллов моноклинного дифосфида цинка, легированного медью

    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2132–2135
  10. Взаимодействие имплантированных атомов никеля с дефектами и примесями в природном алмазе (по данным люминесценции)

    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  156–161
  11. Лазерный отжиг имплантрованного GaAs. Роль имплантационных дефектов

    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1563–1568
  12. Катодолюминесценция кристаллов ZnAs$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1447–1450
  13. Стимулированное излучение при электронном возбуждении кристаллов дифосфида цинка моноклинной модификации

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1141–1143
  14. Излучательная рекомбинация одноосно деформированных монокристаллов ZnP$_{2}$ и CdP$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1016–1020
  15. Исследование катодолюминесценции кристаллов ZnSe, термообработанных в вакууме

    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  191–194
  16. Электромодуляционные спектры высокоомного GaAs с V

    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1114–1116
  17. Фотоэлектрические и оптические свойства пленок $a$-Si : H с имплантированными ионами фосфора и бора

    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  818–821
  18. Внутрицентровая электролюминесценция ванадия в GaAs

    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  363–365
  19. Особенности спектров плотности поверхностных состояний структур Si$-$SiO$_{2}$, облученных ионами Ar$^{+}$ различной энергии

    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  682–686
  20. Некоторые физические аспекты ионной имплантации

    УФН, 145:2 (1985),  329–346
  21. Оптические свойства и структура пленок $a$-Si, свободных от подложки

    Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2138–2141
  22. Экспериментальное обнаружение уровней Ваннье в $n$-GaAs, легированном хромом

    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1882–1885
  23. Образование и температурная стабильность дефектов в приповерхностном слое Si структур Si$-$SiO$_{2}$, имплантированных ионами Ti

    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  696–699
  24. Спектральные зависимости фотопроводимости $a$-Si : Н в ИК области спектра

    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1526–1528
  25. О фотопроводимости $a$-Si$-$H в ИК области спектра

    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1311–1313
  26. Локальные энергетические уровни в кремнии, обусловленные имплантацией ионов титана в структуры Si$-$SiO$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  299–304
  27. Полупроводниковые алмазы

    УФН, 118:4 (1976),  611–639
  28. Полупроводниковые алмазы

    УФН, 108:3 (1972),  600–601
  29. Электронно-дырочный переход в алмазе, полученный внедрением ионов бора и фосфора

    Докл. АН СССР, 200:4 (1971),  821–824
  30. Оптический квантовый генератор на теллуриде кадмия с электронным возбуждением

    Докл. АН СССР, 164:1 (1965),  73–74
  31. Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках

    УФН, 84:3 (1964),  431–450
  32. Международная конференция по дефектам кристаллов (Киото, 7–12 сентября 1962 г.)

    УФН, 79:1 (1963),  153–159
  33. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (Вторая Международная конференция по фотопроводимости)

    УФН, 76:4 (1962),  749–758
  34. Процессы радиационной ионизации в кристаллах германия и кремния

    УФН, 75:2 (1961),  263–276
  35. Современная физика полупроводников

    УФН, 69:1 (1959),  149–156
  36. Излучательная рекомбинация в полупроводниках

    УФН, 68:2 (1959),  247–260
  37. Энергия ионизации электронами в кристаллах германия

    Докл. АН СССР, 112:6 (1957),  1020–1022
  38. Кремниевые солнечные батареи как источники электрического питания искусственных спутников Земли

    УФН, 63:1 (1957),  123–129
  39. Полупроводниковые преобразователи энергии излучений

    УФН, 56:1 (1955),  111–130
  40. Ионный микропроектор

    УФН, 47:1 (1952),  141–145
  41. Полупроводниковые триоды без точечных контактов

    УФН, 46:1 (1952),  96–106
  42. “Счётчик Черенкова” для частиц космического излучения

    УФН, 44:3 (1951),  443–446
  43. Осциллограф с бегущей волной

    УФН, 44:2 (1951),  274–277
  44. Наблюдение отдельных молекул с помощью электронного микропроектора

    УФН, 42:4 (1950),  580–583
  45. Рентгеновский микроскоп

    УФН, 42:4 (1950),  577–580
  46. Работа кристаллических триодов в области частот 5–25 Мгц

    УФН, 42:3 (1950),  493–495
  47. Внесение местных центров (уровней) проводимости в полупроводники ядерной бомбардировкой

    УФН, 41:1 (1950),  109–112
  48. Усиление токов высокой частоты кристаллическими германиевыми триодами

    УФН, 40:1 (1950),  120–141
  49. Новая теория возникновения первичных космических лучей

    УФН, 39:4 (1949),  612–619
  50. Опыты по радиолокации Луны

    УФН, 39:3 (1949),  359–370

  51. Настольная книга по проблеме промышленных алмазов и алмазных пленок

    УФН, 168:10 (1998),  1149–1152
  52. Современные сведения о полупроводниках

    УФН, 166:7 (1996),  807–808
  53. Свойства алмазов и алмазных пленок

    УФН, 165:9 (1995),  1102–1103
  54. Свойства природного и синтетического алмаза

    УФН, 163:11 (1993),  99–101
  55. О XX Международной конференции по физике полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1263–1273
  56. Памяти Виктора Леопольдовича Бонч-Бруевича

    УФН, 154:2 (1988),  335–336
  57. Памяти Бенциона Моисеевича Вула

    УФН, 149:2 (1986),  349–350
  58. Распыление твердых тел бомбардировкой частицами

    УФН, 144:3 (1984),  544–545
  59. Ионная имплантация: оборудование и методика

    УФН, 143:2 (1984),  336–337
  60. Техника ионной имплантации

    УФН, 140:4 (1983),  737–738
  61. Бенцион Моисеевич Вул (К восьмидесятилетию со дня рождения)

    УФН, 140:1 (1983),  161–162
  62. Бенцион Моисеевич Вул (К шестидесятилетию со дня рождения)

    УФН, 80:4 (1963),  703–705
  63. Проблема полупроводников

    УФН, 76:4 (1962),  759–761
  64. Сборник “Проблема полупроводников” т. 5

    УФН, 74:4 (1961),  759–761
  65. Проблемы физики полупроводников. Сборник статей

    УФН, 65:3 (1958),  547–548

© МИАН, 2026