Вихарев Анатолий Леонтьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы
   
   ЖТФ, 95:3 (2025),  540–548
2. Исследование фото- и электролюминесценции центров окраски, связанных с азотом, в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:10 (2025),  48–51
3. Электролюминесценция центров окраски германий–вакансия в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде
   
   Письма в ЖТФ, 51:8 (2025),  3–6
4. Невплавные омические контакты с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$- и $n$-типа и их термическая стабильность
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  409–414
5. Переход между законами Мотта и Аррениуса в температурных зависимостях сопротивлений сильно легированных бором дельта-слоев в искусственном алмазе
   
   Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  259–264
6. Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 13:5 (2022),  578–584
7. Исследование влияния содержания водорода на проводимость нанокристаллических алмазных пленок
   
   Письма в ЖТФ, 48:2 (2022),  37–40
8. Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  49–58
9. Формирование многослойных наноструктур NV-центров в монокристаллическом CVD-алмазе
   
   Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  19–23
10. Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  34–38
11. Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа
    
    ЖТФ, 89:12 (2019),  1923–1932
12. Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1386–1390
13. Создание локализованных ансамблей NV-центров в CVD-алмазе с помощью облучения электронным пучком
    
    Письма в ЖТФ, 45:6 (2019),  36–39
14. Контракция микроволнового разряда в реакторе для газофазного осаждения алмаза
    
    Письма в ЖТФ, 45:3 (2019),  30–33
15. Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1151
16. Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1595–1598
17. Монокристаллические слои GaN/AlN на CVD-алмазе
    
    Письма в ЖТФ, 41:19 (2015),  73–80
18. Комбинированные подложки из поли- и монокристаллического CVD-алмаза для алмазной электроники
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  274–277
19. Исследование свойств монокристаллического алмаза, выращенного из газовой фазы на подложках из природного алмаза
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  403–407
20. Искусственная ионизованная область как источник озона в стратосфере
    
    УФН, 170:11 (2000),  1181–1202
21. Исследование процессов разрушения фреона-113 в наносекундном коронном разряде
    
    ТВТ, 35:4 (1997),  524–537
22. Индуцированное УФ излучение наносекундного СВЧ разряда в азоте, возбуждаемого в поле цилиндрической ТЕ-волны
    
    Квантовая электроника, 21:7 (1994),  647–650
23. Прилипательная неустойчивость свободно локализованного СВЧ разряда в открытом резонаторе
    
    ЖТФ, 59:1 (1989),  40–49
24. Азотный лазер, возбуждаемый свободно локализованным СВЧ-разрядом
    
    Письма в ЖТФ, 15:5 (1989),  31–33
25. Кинетические неустойчивости свободно локализованного СВЧ-разряда в молекулярных газах
    
    Докл. АН СССР, 295:2 (1987),  358–362
26. Нагрев азота в импульсном СВЧ разряде в условиях интенсивного возбуждения электронных уровней молекул
    
    Письма в ЖТФ, 13:4 (1987),  223–226
27. Применение коротких ионизующих СВЧ импульсов для изучения распада плазмы
    
    ЖТФ, 54:8 (1984),  1617–1619