Шотов Алексей Петрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О временных задержках генерации излучения в лазерных диодах на основе халькогенидов свинца
   
   Квантовая электроника, 22:12 (1995),  1255–1256
2. О температурной зависимости порогового тока в ДГС-лазерах на PbSe/PbSnSe
   
   Квантовая электроника, 20:4 (1993),  345–348
3. Магнетосопротивление микроконтактов на основе полупроводников типа A$^{4}$B$^{6}$
   
   Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3339–3344
4. Анализ зависимости ширины запрещенной зоны от состава Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{1-y}$Te$_{y}$, изопериодического с PbSe, в рамках $p$-модели
   
   Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  280–283
5. Исследование ВАХ инжекционных лазеров с изопериодическими слоями PbSnSeTe
   
   Квантовая электроника, 19:2 (1992),  128–131
6. Фотостимулированная эпитаксия из паровой фазы при пониженном давлении пленок ZnSe на (100) Si
   
   Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  74–78
7. Измерение ширины линии генерации TEA CO₂-лазера с помощью перестраиваемых диодных лазеров
   
   Квантовая электроника, 17:8 (1990),  1077–1080
8. Автоволны концентрации носителей в инжекционных лазерах на основе PbS$_{1-x}$Se$_x$
   
   Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2426–2432
9. Лазерный эффект в соединениях PbSSe при продольной накачке электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 16:10 (1989),  2020–2022
10. Внутрирезонаторное детектирование поглощения с помощью перестраиваемого полупроводникового лазера среднего ИК диапазона
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  582–589
11. Эффект сверхравновесного заселения возбужденных состояний вырожденных колебательных мод $\mathrm{CO}_2$ в условиях колебательно-поступательной неравновесности
    
    Докл. АН СССР, 297:5 (1987),  1100–1103
12. Логарифмическая релаксация долговременной фотопроводимости в $\mathrm{Pb}_{0,78}\mathrm{Sn}_{0,22}\mathrm{Te}$
    
    Докл. АН СССР, 293:3 (1987),  602–605
13. Измерение поступательной температуры неравновесно возбужденного газа методами диодной лазерной спектроскопии
    
    ЖТФ, 57:6 (1987),  1167–1170
14. Гетеролазеры $Pb\,S/Pb\,S\,Se/Pb\,Sn\,Se$ с раздельным электронным и оптическим ограничением, полученные методом молекулярной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 12:22 (1986),  1386–1389
15. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbS$_{1-x}$Se$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2149–2153
16. Применение спектрометра на диодных лазерах для определения содержания $B\,Cl_3$ в $Ge\,Cl_4$
    
    Письма в ЖТФ, 11:10 (1985),  595–599
17. Измерение параметров частотных флуктуаций диодного импульсно-периодического лазера
    
    Квантовая электроника, 12:2 (1985),  385–387
18. Применение диодных лазеров среднего ИК диапазона в спектральном газоанализе
    
    ЖТФ, 54:8 (1984),  1542–1551
19. Резонансные состояния вблизи дна зоны проводимости в нелегированных кристаллах Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se (${x=0.2{-}0.33}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1583–1587
20. Исследование уширения линий поглощения молекулярных газов методами импульсной диодной лазерной спектроскопии
    
    Квантовая электроника, 11:12 (1984),  2443–2451
21. Пикосекундный параметрический генератор света с усилением излучения перестраиваемого полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 11:1 (1984),  203–205
22. Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев $\mathrm{Pb}_{1-x}\mathrm{Sn}_x\mathrm{Se}_{1-y}\mathrm{Te}_y$
    
    Докл. АН СССР, 272:6 (1983),  1371–1374
23. Pb$_{1-x}$Se$_{x}$ лазеры с контролируемым профилем концентрации носителей, изготовленных методом молекулярной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 9:14 (1983),  881–884
24. Диодный лазер среднего ИК диапазона с внешним резонатором
    
    Квантовая электроника, 10:2 (1983),  445–447
25. Анализ факторов, влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на основе Pb_1–xSn_xSe
    
    Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2140–2150
26. Трассовый измеритель концентрации окиси углерода в атмосфере на основе импульсных диодных лазеров
    
    Квантовая электроника, 9:3 (1982),  531–536
27. Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев $\mathrm{Pb}_{1-x}\mathrm{Sn}_x\mathrm{Se}$
    
    Докл. АН СССР, 259:1 (1981),  83–86
28. Лазерная спектроскопия составного колебания $\nu_2+\nu_4$ молекулы $CF_4$ и перестроечные кривые $CF_4$-лазера
    
    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  1885–1894
29. Колебательно-вращательные спектры полосы $\nu_3$ газа ${}^{192}OsO_4$, полученные с помощью диодного лазера
    
    Квантовая электроника, 7:4 (1980),  908–911
30. Гетеролазеры с оптической накачкой на основе четырехкомпонентных твердых растворов Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se$_{1-y}$Te$_y$ с согласованными решетками на гетерогранице
    
    Квантовая электроника, 5:12 (1978),  2630–2633
31. Перестраиваемый давлением инжекционный лазер непрерывного действия на основе PbSe
    
    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  692–694
32. Многокомпонентные твердые растворы соединений A^IVB^VI
    
    Квантовая электроника, 4:4 (1977),  904–907
33. Конференция по физическим вопросам квантовой электроники в Пуэрто-Рико
    
    УФН, 88:1 (1966),  177–184
34. Полупроводниковый квантовый генератор на $p$–$n$-переходе в $\mathrm{GaAs}$
    
    Докл. АН СССР, 150:2 (1963),  275–278


35. Памяти Виктора Сергеевича Вавилова
    
    УФН, 170:2 (2000),  203–204
36. Исследование распределения молекул CO$_2$ по колебательно-вращательным уровням в тлеющем разряде методом импульсной диодной лазерной спектроскопии
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  851–859
37. Памяти Бенциона Моисеевича Вула
    
    УФН, 149:2 (1986),  349–350
38. Бенцион Моисеевич Вул (К восьмидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 140:1 (1983),  161–162