Шмидт Наталия Михайловна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Радиационная стойкость датчиков МНПВО на основе двойных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs, облученных гамма-квантами
   
   ЖТФ, 96:1 (2026),  112–121
2. Снижение внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов, вызванное перелегированием барьеров кремнием
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  397–401
3. Биосенсоры на основе графена для детектирования маркеров нейродегенеративной деменции
   
   Письма в ЖТФ, 51:3 (2025),  13–16
4. Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  16–19
5. Оптическая диагностика гетероструктур на основе InGaAsP/InP(001)
   
   Письма в ЖТФ, 50:15 (2024),  47–50
6. Исследование рельефа напряжений и распределения деформаций в пленках графена биосенсоров вирусных инфекций
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2216–2219
7. Участие дефектов, локализованных на гетерограницах, и протяженных дефектов в деградации светоизлучающих приборов на основе нитридов
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1499–1501
8. Изменение адсорбционных свойств графена в процессе получения биосенсоров вирусных инфекций
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1137–1143
9. Температурное падение эффективности мощных синих InGaN/GaN-светодиодов
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  45–48
10. Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  555–561
11. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
12. Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  44–50
13. Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm
    
    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  3–9
14. Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1195–1201
15. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
    
    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
16. Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала
    
    Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  80–86
17. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63
18. Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  73–80
19. Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  219–223
20. Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  425–431
21. Частотные и температурные зависимости вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  226–229
22. Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1135–1139
23. Осцилляции в спектрах пороговой фотоэмиссии GaN (0001) с субмонослойными Cs покрытиями
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:5 (2003),  270–274
24. Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы
    
    УФН, 171:8 (2001),  857–858
25. Диффузия Zn в InP и твердые растворы на его основе из полимерных пленочных диффузантов
    
    Письма в ЖТФ, 18:13 (1992),  35–38
26. Исследование влияния химической обработки InP на скорость поверхностной рекомбинации методом комбинационного рассеяния света
    
    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2177–2180
27. Исследование кинетики фотопроводимости в коротких фоторезисторах на основе InP : Fe
    
    Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2167–2171
28. Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической стробирующей установки
    
    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  848–854
29. Барьеры Шоттки и полевые транзисторы на основе InGaAs/InP
    
    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1807–1810
30. Исследование времени жизни неосновных носителей в узкозонной области диодных InGaAsP/InP-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1498–1501
31. Вынос неравновесной плазмы из коротких InP : Fe-фоторезисторов электрическим полем
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  70–74
32. Измерение АЧХ быстродействующих фотоприемников с использованием гомодинной стекловолоконной схемы получения амплитудных биений оптического сигнала
    
    Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1059–1062
33. Формирование областей неоднородной компенсации в процессе получения планарных кремниевых $p{-}n$ переходов
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  2064–2066
34. Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP
    
    ЖТФ, 55:8 (1985),  1566–1569
35. Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  668–673
36. Фототранзистор на основе $N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1294–1297
37. Высокоэффективный фотодетектор для ультрафиолетового излучения
    
    Письма в ЖТФ, 9:24 (1983),  1516–1519