Заварин Евгений Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Управление упругими напряжениями при росте гетероструктур (Al)GaN/SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  315–318
2. Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  41–45
3. Влияние беспорядка на оптические свойства резонансных брэгговских структур на основе III–N
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  594–600
4. Исследование влияния условий роста на легирование GaN углеродом из пропана и метана
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  134–141
5. Анализ механических напряжений в гетероструктурах на основе GaN на кремниевых подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  546–550
6. Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  733–737
7. Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN
   
   Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  3–6
8. Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом
   
   Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  36–39
9. Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
   
   Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  51–58
10. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1599–1604
11. Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1451–1454
12. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
13. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269
14. Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1064–1069
15. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249
16. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
    
    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
17. Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала
    
    Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  80–86
18. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91
19. Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  86–93
20. Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1563–1568
21. Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  6–10
22. Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  74–81
23. МОС-гидридная эпитаксия III–N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса
    
    Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  9–17
24. О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  55–60
25. Резонансная брэгговская структура со сдвоенными квантовыми ямами InGaN
    
    Физика твердого тела, 55:9 (2013),  1706–1708
26. Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  414–419
27. Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1357–1362
28. Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1304–1308
29. Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  90–95
30. Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  22–28
31. Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  274–279
32. Особенности селективной эпитаксии GaN в круглых окнах
    
    Письма в ЖТФ, 37:15 (2011),  95–102
33. Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1615–1623
34. Формирование композитных квантовых точек InGaN/ GaN/InAlN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1382–1386
35. Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  981–985
36. Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  955–961
37. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  837–840
38. Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  126–129
39. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440–470 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  96–100
40. Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе
    
    Письма в ЖТФ, 36:24 (2010),  33–39
41. Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530–560 nm
    
    Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  89–95
42. Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы
    
    УФН, 171:8 (2001),  857–858