Лундин Всеволод Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Управление упругими напряжениями при росте гетероструктур (Al)GaN/SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  315–318
2. Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm
   
   Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  57–60
3. Влияние беспорядка на оптические свойства резонансных брэгговских структур на основе III–N
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  594–600
4. Исследование влияния условий роста на легирование GaN углеродом из пропана и метана
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  134–141
5. Изучение процесса газофазного осаждения Ga$_2$O$_3$ из триметилгаллия и кислорода в широком интервале температур
   
   Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  44–47
6. Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  733–737
7. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
   
   Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
8. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
9. Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1390
10. Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  3–6
11. ПЭМ-исследование многослойных буферных структур AlN–AlGaN–GaN на кремниевых подложках
    
    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  50–54
12. GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2333
13. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
14. Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  36–39
15. Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1237–1243
16. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
17. Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  51–58
18. Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники
    
    Физика твердого тела, 59:9 (2017),  1680–1683
19. Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  101–104
20. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1599–1604
21. Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1451–1454
22. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
23. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269
24. Упругие деформации и делокализованные оптические фононы в сверхрешетках AlN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1064–1069
25. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249
26. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом
    
    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
27. Метаматериал для эффективной генерации второй гармоники
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  40–48
28. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91
29. Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  86–93
30. Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN
    
    Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1850–1858
31. Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1563–1568
32. Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1061–1064
33. Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  6–10
34. Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  74–81
35. МОС-гидридная эпитаксия III–N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса
    
    Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  9–17
36. О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  55–60
37. Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  17–23
38. Свойства гетероструктур InGaN/GaN, сформированных с помощью прерываний роста в различных условиях
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  1–8
39. Синтез светодиодной структуры на гранях $(11\bar20)$ и $(0001)$ мезаполосков, выращенных методом селективной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 40:1 (2014),  37–42
40. Резонансная брэгговская структура со сдвоенными квантовыми ямами InGaN
    
    Физика твердого тела, 55:9 (2013),  1706–1708
41. Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  414–419
42. Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1357–1362
43. Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1304–1308
44. Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  90–95
45. Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  22–28
46. Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  274–279
47. Особенности селективной эпитаксии GaN в круглых окнах
    
    Письма в ЖТФ, 37:15 (2011),  95–102
48. Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1615–1623
49. Формирование композитных квантовых точек InGaN/ GaN/InAlN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1382–1386
50. Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  981–985
51. Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  955–961
52. Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  857–863
53. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  837–840
54. Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  126–129
55. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440–470 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  96–100
56. Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе
    
    Письма в ЖТФ, 36:24 (2010),  33–39
57. Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530–560 nm
    
    Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  89–95
58. Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы
    
    УФН, 171:8 (2001),  857–858