Цацульников Андрей Федорович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Управление упругими напряжениями при росте гетероструктур (Al)GaN/SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  315–318
2. Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  41–45
3. Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm
   
   Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  57–60
4. Влияние беспорядка на оптические свойства резонансных брэгговских структур на основе III–N
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  594–600
5. Гетероструктуры с двумерным электронным газом на основе GaN с InAlN/AlGaN-барьером
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  582–585
6. Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в структуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  552–555
7. Исследование влияния условий роста на легирование GaN углеродом из пропана и метана
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  134–141
8. Анализ механических напряжений в гетероструктурах на основе GaN на кремниевых подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  546–550
9. Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
   
   Письма в ЖТФ, 49:15 (2023),  3–6
10. Изучение процесса газофазного осаждения Ga$_2$O$_3$ из триметилгаллия и кислорода в широком интервале температур
    
    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  44–47
11. Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  733–737
12. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
    
    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
13. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si
    
    Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
14. Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1390
15. Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  3–6
16. GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2333
17. Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом
    
    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  36–39
18. Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1237–1243
19. Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  51–58
20. Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники
    
    Физика твердого тела, 59:9 (2017),  1680–1683
21. Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  101–104
22. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1599–1604
23. Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1451–1454
24. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
25. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269
26. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249
27. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода
    
    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91
28. Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  86–93
29. Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN
    
    Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1850–1858
30. Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1563–1568
31. Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1061–1064
32. Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  6–10
33. Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  74–81
34. МОС-гидридная эпитаксия III–N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса
    
    Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  9–17
35. О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  55–60
36. Свойства гетероструктур InGaN/GaN, сформированных с помощью прерываний роста в различных условиях
    
    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  1–8
37. Резонансная брэгговская структура со сдвоенными квантовыми ямами InGaN
    
    Физика твердого тела, 55:9 (2013),  1706–1708
38. Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  414–419
39. Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  36–47
40. Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1357–1362
41. Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1304–1308
42. Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  90–95
43. Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  22–28
44. Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  274–279
45. Особенности селективной эпитаксии GaN в круглых окнах
    
    Письма в ЖТФ, 37:15 (2011),  95–102
46. Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1615–1623
47. Формирование композитных квантовых точек InGaN/ GaN/InAlN
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1382–1386
48. Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  981–985
49. Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  955–961
50. Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  857–863
51. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  837–840
52. Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  126–129
53. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440–470 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  96–100
54. Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе
    
    Письма в ЖТФ, 36:24 (2010),  33–39
55. Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530–560 nm
    
    Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  89–95
56. Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы
    
    УФН, 171:8 (2001),  857–858
57. Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками
    
    УФН, 171:8 (2001),  855–857
58. Фотолюминесценция, связанная с центрами Au$_{\text{Ga}}$ в GaAs : Au
    
    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  508–512
59. Оценка величины статического искажения и нелинейности ян-теллеровского взаимодействия для глубокого центра Cu$_{Ga}$ в GaAs
    
    Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2667–2676
60. Динамика выстраивания ян-теллеровских центров Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs при давлении вдоль оси [001]
    
    Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1459–1465