RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Сахаров Алексей Валентинович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Управление упругими напряжениями при росте гетероструктур (Al)GaN/SiC

    Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  315–318
  2. Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN

    Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  227–229
  3. Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии

    Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  41–45
  4. Влияние беспорядка на оптические свойства резонансных брэгговских структур на основе III–N

    Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  594–600
  5. Гетероструктуры с двумерным электронным газом на основе GaN с InAlN/AlGaN-барьером

    Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  582–585
  6. Исследование влияния условий роста на легирование GaN углеродом из пропана и метана

    Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  134–141
  7. Влияние протонного и электронного облучения на параметры нитрид-галлиевых диодов Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  49–52
  8. Об успешном опыте гомоэпитаксии слоев $\beta$-Ga$_2$O$_3$ на собственных подложках

    Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  43–46
  9. Анализ механических напряжений в гетероструктурах на основе GaN на кремниевых подложках

    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  546–550
  10. Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si

    Письма в ЖТФ, 49:15 (2023),  3–6
  11. Изучение процесса газофазного осаждения Ga$_2$O$_3$ из триметилгаллия и кислорода в широком интервале температур

    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  44–47
  12. Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  733–737
  13. Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

    Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  3–6
  14. Особенности эпитаксиального роста III – N светодиодных гетероструктур на подложках SiC/Si

    Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  15–18
  15. Влияние давления при эпитаксии на свойства слоев GaN

    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  3–6
  16. ПЭМ-исследование многослойных буферных структур AlN–AlGaN–GaN на кремниевых подложках

    Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  50–54
  17. GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2333
  18. Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом

    Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  36–39
  19. Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии

    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1237–1243
  20. Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы

    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811
  21. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  98–104
  22. Влияние метода формирования высокоомного буферного слоя GaN на свойства гетероструктур InAlN/GaN и AlGaN/GaN с двумерным электронным газом

    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  51–58
  23. Высокоскоростные полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры для оптических систем передачи данных (Обзор)

    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  7–43
  24. Фотонно-кристаллический волновод для генерации второй гармоники

    Физика твердого тела, 59:9 (2017),  1680–1683
  25. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1697
  26. Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины

    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  101–104
  27. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1599–1604
  28. Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1451–1454
  29. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе

    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1401–1407
  30. Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1263–1269
  31. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  245–249
  32. Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом

    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46
  33. Метаматериал для эффективной генерации второй гармоники

    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  40–48
  34. Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала

    Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  80–86
  35. Полуизолирующие эпитаксиальные слои GaN : С, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с использованием пропана как источника углерода

    Письма в ЖТФ, 42:10 (2016),  85–91
  36. Влияние условий выращивания на морфологию поверхности и развитие механических напряжений в слоях Al(Ga)N в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  86–93
  37. Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1563–1568
  38. Вольт-фарадные характеристики МДП структур (Al/Ti)/Al$_2$O$_3$/$n$-GaN

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1061–1064
  39. Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  6–10
  40. Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений

    Письма в ЖТФ, 41:20 (2015),  74–81
  41. МОС-гидридная эпитаксия III–N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса

    Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  9–17
  42. О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  55–60
  43. Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  73–80
  44. Синтез GaN нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированный нанослоем титана

    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  17–23
  45. Свойства гетероструктур InGaN/GaN, сформированных с помощью прерываний роста в различных условиях

    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  1–8
  46. Синтез светодиодной структуры на гранях $(11\bar20)$ и $(0001)$ мезаполосков, выращенных методом селективной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 40:1 (2014),  37–42
  47. Резонансная брэгговская структура со сдвоенными квантовыми ямами InGaN

    Физика твердого тела, 55:9 (2013),  1706–1708
  48. Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1357–1362
  49. Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1304–1308
  50. Двойное перекрестное эпитаксиальное разращивание неполярных эпитаксиальных слоев нитрида галлия

    Письма в ЖТФ, 38:6 (2012),  22–28
  51. Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе

    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  274–279
  52. Исследование туннельного транспорта носителей в структурах с активной областью InGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 44:12 (2010),  1615–1623
  53. Формирование композитных квантовых точек InGaN/ GaN/InAlN

    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1382–1386
  54. Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей

    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  981–985
  55. Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона

    Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  955–961
  56. Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  857–863
  57. Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками

    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  837–840
  58. Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов

    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  126–129
  59. Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440–470 нм

    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  96–100
  60. Эпитаксия слоев AlN с высокой скоростью роста в планетарном МОС-гидридном реакторе

    Письма в ЖТФ, 36:24 (2010),  33–39
  61. Высокоэффективные InGaN/GaN/AlGaN светодиоды с короткопериодной InGaN/GaN сверхрешеткой для диапазона 530–560 nm

    Письма в ЖТФ, 36:22 (2010),  89–95
  62. Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы

    УФН, 171:8 (2001),  857–858
  63. Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками

    УФН, 171:8 (2001),  855–857
  64. Наблюдения космического излучения с помощью фотопластинок, чувствительных к электронам

    УФН, 38:3 (1949),  452–454

© МИАН, 2026