Малеев Николай Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Однофотонное излучение в С-диапазоне в цилиндрическом микрорезонаторе с квантовыми точками InAs/InGaAs
   
   Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025),  189–193
2. Амплитудные шумы одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 89Х nm с внутрирезонаторными контактами
   
   Оптика и спектроскопия, 133:8 (2025),  847–852
3. Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  58–62
4. Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора
   
   Письма в ЖТФ, 51:5 (2025),  41–44
5. Фазовые шумы одномодовых вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
   
   Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1230–1232
6. Ширина линии излучения вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
   
   Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1226–1229
7. Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек
   
   Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024),  318–325
8. Туннельные диоды $n^{++}$-GaAs:($\delta$-Si)/$p^{++}$-Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As:(C) для соединительных элементов многопереходных лазерных фотопреобразователей
   
   Письма в ЖТФ, 50:7 (2024),  39–42
9. Ширина линии излучения одномодовых вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1486–1489
10. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор вертикально излучающих лазеров на основе квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 $\mu$m
    
    Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1095–1100
11. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами спектрального диапазона 89Х nm
    
    Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  43–46
12. Цилиндрические микрорезонаторы с квантовыми точками InAs/GaAs – моделирование и анализ оптических характеристик
    
    Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  592–598
13. Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  814–823
14. Особенности роста массивов квантовых точек InAs с низкой поверхностной плотностью методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 48:24 (2022),  42–46
15. Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  32–35
16. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин
    
    Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
17. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm
    
    ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
18. Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  890–894
19. Исследование шумовых характеристик вертикально-излучающих лазеров с ромбовидной токовой апертурой для применения в компактном квантовом цезиевом магнитометре
    
    Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  3–8
20. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  3–7
21. Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом
    
    Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  3–8
22. Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  36–38
23. Конструкция источника одиночных фотонов спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с инжекционной накачкой на основе вертикального микрорезонатора с внутрирезонаторными контактами
    
    Письма в ЖТФ, 47:5 (2021),  23–27
24. Исследование аномальной генерации вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 nm с двойной оксидной токовой апертурой при большой величине спектральной расстройки
    
    Оптика и спектроскопия, 128:8 (2020),  1151–1159
25. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1088–1096
26. Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  49–54
27. Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  21–25
28. Влияние разогрева активной области на динамические и мощностные характеристики квантовых каскадных лазеров, излучающих на длине волны 4.8 $\mu$m при комнатной температуре
    
    Оптика и спектроскопия, 127:3 (2019),  445–448
29. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин
    
    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  145–149
30. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1128–1134
31. InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  29–33
32. Гетеробарьерные варакторы с неоднородно легированными модулирующими слоями
    
    Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  51–54
33. Вертикально-излучающие лазеры с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной токовой апертурой для компактных атомных часов
    
    Квантовая электроника, 49:2 (2019),  187–190
34. Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  812–815
35. Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  133–137
36. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  98–104
37. Эпитаксиальные структуры InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов с низким током утечки
    
    Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  16–23
38. Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  17–23
39. Дизайн и новая функциональность антиволноводных вертикально-излучающих лазеров на длину волны 850 nm
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  85–94
40. Влияние конструкции резонатора на ширину линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  67–75
41. Высокоскоростные полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры для оптических систем передачи данных (Обзор)
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  7–43
42. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм на основе квантовых ям InGaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1697
43. Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1484–1488
44. Обострение оптических импульсов в вертикально-излучающих лазерах с активной областью на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  17–23
45. Прецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 43:19 (2017),  87–94
46. Поляризационные характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с внутрирезонаторными контактами и ромбовидной оксидной токовой апертурой
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1408–1413
47. Исследования диэлектрических распределенных брэгговских отражателей для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 42:20 (2016),  57–65
48. Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79
49. Исследование быстродействующих полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров на основе AlInGaAs наногетероструктур с большой спектральной расстройкой усиления
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  89–93
50. Влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1697–1703
51. Надежные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм для оптической передачи данных на скорости 25 Гбит/с
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  81–87
52. Прецизионная калибровка толщин и состава слоев эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs с вертикальным оптическим микрорезонатором
    
    Письма в ЖТФ, 40:24 (2014),  22–30
53. Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем
    
    Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  985–989
54. Влияние оптических потерь на динамические характеристики линейных матричных излучателей на основе вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  833–837
55. Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  87–91
56. Радиационно-стимулированная деградация поверхности GaAs и транзисторных структур с высокой подвижностью электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  833–844
57. Способ уменьшения паразитной емкости вертикально-излучающего лазера с селективно-окисленной апертурой
    
    Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  10–16
58. Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs–InGaAs–GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1405–1409
59. Матрицы вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 960 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  836–839
60. Технология формирования субмикронного поверхностного рельефа для эпитаксиальных структур GaAs с тонкими стоп-слоями AlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 37:24 (2011),  9–15
61. Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади
    
    Письма в ЖТФ, 36:8 (2010),  39–47
62. Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками
    
    УФН, 171:8 (2001),  855–857