|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Симметрия локального окружения атомов германия в аморфных пленках Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$
Письма в ЖТФ, 51:9 (2025), 11–13
-
Мёссбауэровское исследование примесных атомов цинка в галогенидах щелочных металлов и меди
Физика твердого тела, 66:1 (2024), 51–55
-
Исследование галогенидов натрия и меди методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе $^{67}$Zn
Письма в ЖТФ, 49:14 (2023), 43–46
-
Локальная структура аморфных пленок (GeTe)$_x$(Sb$_2$Te$_3$)
ЖТФ, 92:11 (2022), 1678–1686
-
Природа локального окружения атомов германия в аморфных пленках (GeTe)$_x$(Sb$_2$Te$_3$)
Письма в ЖТФ, 48:15 (2022), 11–14
-
Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$
Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 3–8
-
Сверхтонкие взаимодействия в узлах меди антиферромагнитных соединений, аналогов сверхпроводящих металлооксидов меди
Физика твердого тела, 62:3 (2020), 381–385
-
Сверхтонкие взаимодействия в узлах меди диэлектрических и сверхпроводящих металлооксидов меди
Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 52–54
-
Локальная структура аморфных и кристаллических пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$
Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 19–21
-
Антиструктурные дефекты в полупроводниковых стеклах Ge–Te и Ge–As–Te
Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 718–723
-
Изменение состояния примесных атомов $^{119m}$Sn в PbTe в процессе установления радиоактивного равновесия изотопов $^{119m}$Te/$^{119}$Sb
Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 640–644
-
Параметры ядерного квадрупольного взаимодействия и пространственное распределение электронных дефектов в решетках YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ и La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$
Физика твердого тела, 60:10 (2018), 1866–1873
-
Структура мессбауэровских спектров примесных атомов $^{119m}$Sn в халькогенидах свинца в условиях радиоактивного равновесия изотопов $^{119m}$Te/$^{119}$Sn
Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 560–564
-
Электронный обмен между нейтральными и ионизованными примесными центрами железа в стеклообразном селениде мышьяка
Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 472–476
-
Абсолютные заряды атомов решетки YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$, полученные методом анализа параметров ядерного квадрупольного взаимодействия
Письма в ЖТФ, 43:8 (2017), 102–110
-
Электронный обмен между примесными $U^{-}$-центрами олова в твердых растворах PbS$_{z}$Se$_{1-z}$
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 893–899
-
Электронный обмен между примесными центрами олова в халькогенидах свинца
Физика твердого тела, 57:10 (2015), 1928–1933
-
Рентгенофлуоресцентный анализ стекол Ge$_{1-x}$Se$_x$, As$_{1-x}$Se$_x$ и Ge$_{1-x-y}$As$_y$Se$_x$ с использованием электронного возбуждения
Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1397–1401
-
Определение состава многокомпонентных халькогенидных полупроводников методом рентгенофлюоресцентного анализа
Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 272–277
-
Температурная зависимость частоты двухэлектронного обмена между примесными $U$-минус центрами олова в сульфиде свинца
Письма в ЖТФ, 40:5 (2014), 22–26
-
$U^-$-центры олова, образующиеся в результате ядерных превращений в стеклообразных сульфидах и селенидах мышьяка
Физика твердого тела, 54:7 (2012), 1276–1280
-
Study of platinum impurity atom state in vitreous arsenic selenide
Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 901–904
-
Мессбауэровские исследования двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и аморфных полупроводниках (Обзор)
Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 3–23
-
Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах германия
Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011), 1399–1404
-
Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах мышьяка
Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011), 801–805
-
Состояния атомов сурьмы и олова в халькогенидах свинца
Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011), 437–440
-
Рентгенофлуоресцентный анализ халькогенидных стекол As–Ge–Se
Письма в ЖТФ, 37:6 (2011), 15–20
-
Двухэлектронные центры олова, образующиеся в стеклообразных халькогенидах мышьяка в результате ядерных превращений
Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010), 1012–1016
-
Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентгенофлуоресцентного анализа
Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 26–29
-
Тензор кристаллического ГЭП в узлах меди решеток RBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$. Коэффициент Штернхеймера для центров Cu$^{2+}$
Физика твердого тела, 34:10 (1992), 3269–3273
-
Параметры тензора кристаллического ГЭП в узлах меди решеток YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$
Физика твердого тела, 34:7 (1992), 2294–2297
-
Параметры тензора ГЭП в узлах меди решетки La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$
Физика твердого тела, 34:4 (1992), 1313–1316
-
Сравнение экспериментальных и расчетных значений параметров тензора ГЭП для примесных атомов железа в окиси меди
Физика твердого тела, 33:9 (1991), 2699–2704
-
Параметры тензора ГЭП в узлах меди и бария решетки La$_{1.9}$Ba$_{0.1}$CuO$_{4}$, определенные методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии
Физика твердого тела, 33:6 (1991), 1912–1915
-
Параметры тензора градиента электрического поля в узлах бария для YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$, определенные методом мессбауэровской спектроскопии
Физика твердого тела, 32:11 (1990), 3430–3433
-
Центры меди в полупроводниковой и сверхпроводящей фазах YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-x}$
Физика твердого тела, 32:10 (1990), 3150–3154
-
Определение параметров тензора ГЭП в узлах меди в Bi$_{2}$Sr$_{2}$CaCu$_{2}$O$_{8}$ и YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7}$ методом мессбауэровской спектроскопии
Физика твердого тела, 32:8 (1990), 2306–2310
-
Примесные атомы железа в высокодисперсной модификации $\delta$-Аl$_{2}$O$_{3}$
Физика твердого тела, 31:6 (1989), 260–263
-
Примесные центры диспрозия в аморфном гидрогенизированном кремнии
Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1552–1555
-
Механизм двухэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами олова в твердых растворах PbS$_{1-x}$Se$_{x}$
Физика твердого тела, 30:6 (1988), 1848–1851
-
Легирование железом аморфного гидрогенизированного углерода
Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1856–1859
-
Двухэлектронные центры олова в In$_{2}$S$_{3}$
Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1144–1146
-
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами
(железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 161–164
-
О легировании аморфного кремния
Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1464–1466
-
Мёссбауэровское исследование примесных атомов железа в аморфном кремнии
Физика твердого тела, 28:8 (1986), 2543–2546
-
Природа электрической неактивности примесных атомов железа
в полупроводнике In$_{2}$Te$_{3}$
Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1166–1173
-
Двухэлектронный обмен между центрами олова в твердых растворах Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se
Физика твердого тела, 26:3 (1984), 862–866
-
Мессбауэровские исследования примесных атомов
в полупроводниках (обзор)
Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1153–1172
-
Изучение фотоструктурных превращений в стеклообразном полупроводнике AsSe методом мёссбауэровской спектроскопии на примесных атомах олова
Физика твердого тела, 25:8 (1983), 2494–2496
-
Электронный обмен между ионизованными и нейтральными центрами железа в модифицированном железом аморфном селениде германия
Физика твердого тела, 25:5 (1983), 1528–1530
-
Электрические свойства аморфных пленок сплавов кремний–германий
Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1871–1873
-
Механизм примесной проводимости стеклообразного селенида мышьяка,
модифицированного железом
Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 353–355
-
Эффект Мессбауэра в изучении химических последствий ядерных превращений
Усп. хим., 40:1 (1971), 95–116
© , 2026