Путято Михаил Альбертович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Резонансное отражение света от периодической системы квазидвумерных слоев наночастиц Bi в GaAs
   
   Физика твердого тела, 67:11 (2025),  2203–2207
2. Брэгговский резонанс в системе слоев плазмонных наночастиц Bi в матрице GaAs
   
   Физика твердого тела, 67:1 (2025),  39–43
3. Формирование квазидвумерных слоев наночастиц висмута в эпитаксиальных пленках арсенида галлия
   
   Физика твердого тела, 66:9 (2024),  1514–1519
4. Трехкаскадный InGaP/GaAs/Ge фотоэлектрический преобразователь с утоненной германиевой подложкой
   
   ЖТФ, 94:5 (2024),  783–794
5. Формирование самоорганизованных квантовых точек в ходе осаждения GaSbP на поверхность AlP
   
   Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  185–191
6. Особенности микроструктуры наноразмерных преципитатов AsSb в LT-GaAsSb
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2309–2316
7. Влияние промежуточного низкотемпературного нагрева на преципитацию в нестехиометрическом GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  507–512
8. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaP$_x$As$_{1-x}$: феноменологическое описание зависимости $x$ от условий роста на подложке GaAs(001)
   
   Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  79–88
9. Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb–Al$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As$_{0.97}$Sb$_{0.03}$
   
   Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  71–76
10. Массивы квазиодномерных нанокристаллов GaAs, выращенные на окисленной поверхности гетероструктуры Si/GaAs(001): влияние толщины эпитаксиального слоя Si на строение массива
    
    Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  37–41
11. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  980–992
12. Выращивание слоев GaAs$_{1-x}$Bi$_x$ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  279–284
13. Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  139–146
14. Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1289–1295
15. Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  929–932
16. Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)
    
    Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  11–14
17. Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs
    
    ЖТФ, 89:7 (2019),  1071–1078
18. Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al$_{0.29}$Ga$_{0.71}$As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц
    
    Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019),  573–577
19. Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1167–1171
20. Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  512–519
21. Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1597–1600
22. Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1373–1379
23. Kinetics of structural changes on GaSb(001) singular and vicinal surfaces during the UHV annealing
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  525
24. Resonant optical reflection from AsSb–AlGaAs metamaterials and structures
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  471
25. Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$
    
    Письма в ЖТФ, 44:14 (2018),  19–25
26. Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра
    
    Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  19–27
27. Магнитопоглощение дираковских фермионов в бесщелевых “трехслойных” квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 106:11 (2017),  696–701
28. Interlayer current near the edge of an $\mathrm{InAs/GaSb}$ double quantum well in proximity with a superconductor
    
    Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017),  497–498
29. Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1282–1288
30. Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  40–44
31. Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)
    
    Письма в ЖТФ, 43:4 (2017),  64–71
32. Specular Andreev reflection at the edge of an InAs/GaSb double quantum well with band inversion
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:1 (2016),  24–25
33. Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1620–1624
34. Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1519–1526
35. Пространственно-коррелированные двумерные массивы полупроводниковых и металлических квантовых точек в гетероструктурах на основе GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1710–1713
36. Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb–AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1635–1639
37. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов A$^{\mathrm{III}}$P$_x$As$_{1-x}$: механизм формирования состава в подрешетке элементов V группы
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  163–170
38. Резонанс Фрёлиха в системе AsSb/AlGaAs
    
    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  1891–1895
39. Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga(Sb,P)/GaP heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots
    
    Письма в ЖЭТФ, 99:2 (2014),  81–86
40. Влияние локальных дефектов структуры на преципитацию As вблизи квантовых точек InAs в матрице GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1578–1582
41. Электронная микроскопия структур на основе GaAs с квантовыми точками InAs и As, разделенными барьером AlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1196–1203
42. Отражение света от брэгговской решетки металлических нановключений AsSb в матрице AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1043–1047
43. Novel self-assembled quantum dots in the GaSb/AlAs heterosystem
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:10 (2012),  601–603
44. Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1571–1575
45. Оптические свойства структур GaAs, содержащих периодическую систему слоев металлических нановключений AsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1314–1318
46. Напряженные пленки Ge в гетероструктуре Ge/InGaAs/GaAs: образование краевых дислокаций несоответствия на границе Ge/InGaAs
    
    Физика твердого тела, 53:10 (2011),  1903–1909
47. Электронная микроскопия структур GaAs с квантовыми точками InAs и As
    
    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1642–1645