RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Баранов Анатолий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Self-trapping of the $d$-$d$ charge transfer exciton in bulk NiO evidenced by $X$-ray excited luminescence

    Письма в ЖЭТФ, 95:10 (2012),  595–600
  2. Тонкая структура и магнетизм кубического оксидного соединения Ni$_{0.3}$Zn$_{0.7}$O

    Физика твердого тела, 53:7 (2011),  1292–1296
  3. Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия

    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1612–1624
  4. Длинноволновые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP для спектроскопии метана ($\lambda=3.2{-}3.4$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 18:22 (1992),  6–10
  5. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP и GaInAsSb для спектрального диапазона 3$-$5 мкм

    Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  50–53
  6. Генерация когерентного излучения на $n{-}n$-границе в ДГС GaInAsSb лазерах

    Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  18–24
  7. Влияние интерфейсной рекомбинации на пороговые характеристики GaInAsSb/GaSb лазеров

    Письма в ЖТФ, 17:17 (1991),  54–59
  8. Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb$-$InAs

    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1397–1406
  9. Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа GalnAsSb/GaSb

    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1056–1061
  10. Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов $p$-GaInSbAs

    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  98–103
  11. Длинноволновые светодиоды на основе гетеропереходов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}\bigr|$InAs ($\lambda=3.0{-}4.8$ мкм при 300 K) с широкозонным «окном»

    Письма в ЖТФ, 16:16 (1990),  42–47
  12. Измерение ширины линии излучения длинноволновых инжекционных лазеров на основе GaInAsSb

    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  66–70
  13. Получение твердых растворов In$_{x}{-}\text{Ga}_{1-x}{-}\text{As}_{y}{-}\text{Sb}_{1-y}$, изопериодных к CaSb, вблизи границы области несмешиваемости

    Письма в ЖТФ, 16:5 (1990),  33–38
  14. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAs/InAsSbP для спектрального диапазона 2$-$3.5 мкм

    Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  27–32
  15. Высокоэффективные светодиоды на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.8$-$2.4 мкм ($T=300$ K)

    Письма в ЖТФ, 15:18 (1989),  71–75
  16. Малошумящие лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения и умножения для области спектра 1.6$-$2.4 мкм

    Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  71–76
  17. Сверхбыстродействующий $p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм

    Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  15–19
  18. Длинноволновые лазеры на основе твердых растворов GaInAsSb вблизи границы несмешиваемости ($\lambda=2.5$ мкм, $T=300$ K)

    Письма в ЖТФ, 14:20 (1988),  1839–1843
  19. Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1671–1675
  20. Лавинный фотодиод с разделенными областями поглощения и умножения на основе GaInAsSb/GaAlAsSb

    Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  986–991
  21. Высокоэффективные светодиоды на основе GaInAsSb ($\lambda=2.2$ мкм, $\eta=4$%, $T=300$ K)

    Письма в ЖТФ, 14:9 (1988),  845–849
  22. Усиление фототока в изотипной структуре $n{-}n$ GaSb$-$GaInAsSb

    Письма в ЖТФ, 14:5 (1988),  389–393
  23. Длинноволновое оптическое поглощение в $p$-GaSb

    Письма в ЖТФ, 14:1 (1988),  64–68
  24. Поляризация излучения в квантово-размерном лазере на одном гетеропереходе

    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  332–337
  25. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев антимонида галлия, выращенных из расплавов, обогащенных сурьмой

    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1676–1679
  26. Координатная зависимость разности коэффициентов в варизонной $p{-}n$-структуре

    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  502–506
  27. Подавление природных акцепторов в $Ga\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  117–121
  28. Неоднородное умножение в лавинных фотодиодах с несоотвествием периодов решеток на гетерогранице

    Письма в ЖТФ, 10:22 (1984),  1360–1364
  29. Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения в варизонной $p{-}n$-структуре

    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  753–755
  30. Мышьяк в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$Sb$_{1-y}$As$_{y}$/GaSb: коэффициент сегрегации и распределение по толщине эпитаксиальных слоев

    Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  645–648

© МИАН, 2026