Иванов Владимир Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Irradiation of Cu(In, Ga)Se$_2$ Thin Films by 10 MeV Electrons at 77 K: Effect on Photoluminescence Spectra
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  546
2. Исследование влияния облучения ускоренными электронами на физические свойства полиэтилентерефталата
   
   Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  30–32
3. Люминесценция примесных Pr$^{3+}$-центров и дефектов в Sr$_{9}$Sc(PO$_{4}$)$_{7}$:Pr$^{3+}$
   
   Физика твердого тела, 61:5 (2019),  867–871
4. Низкотемпературная люминесценция и термостимулированная люминесценция монокристаллов BeO : Mg
   
   Физика твердого тела, 60:1 (2018),  132–144
5. Ультрафиолетовая люминесценция кристаллов Li$_6$Gd(BO$_3$)$_3$ : Ce при селективном возбуждении в области 4$d$ $\to$ 4$f$-переходов
   
   Физика твердого тела, 54:10 (2012),  1914–1924
6. Self-trapping of the $d$-$d$ charge transfer exciton in bulk NiO evidenced by $X$-ray excited luminescence
   
   Письма в ЖЭТФ, 95:10 (2012),  595–600
7. Времяразрешенная люминесценция сцинтилляционных кристаллов LaBr$_3$ : Ce при возбуждении в ультрамягкой рентгеновской области
   
   Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  15–23
8. Магнетосопротивление и зонный ферромагнетизм моносилицида железа
   
   Докл. РАН, 324:5 (1992),  994–996
9. Особенности магнитного упорядочения в монокристаллах высшего силицида марганца с несоразмерной структурой
   
   Физика твердого тела, 34:9 (1992),  2838–2843
10. Зонный ферромагнетизм моносилицида железа
    
    Докл. АН СССР, 320:5 (1991),  1097–1100
11. Оптическое поглощение триплетных автолокализованных экситонов в BeO
    
    Физика твердого тела, 32:10 (1990),  2942–2946
12. Низкотемпературная катодолюминесценция экситонов в оксиде бериллия
    
    Физика твердого тела, 30:9 (1988),  2728–2732
13. Новый парамагнитный центр в оксиде бериллия
    
    ЖТФ, 58:3 (1988),  635–637
14. Электронная структура совершенного кристалла BeO
    
    Физика твердого тела, 29:9 (1987),  2610–2615
15. Эффективность возбуждения люминесценции и спектры отражения Bi$_{4}$Ge$_{3}$O$_{12}$ в области 3$-$40 эВ
    
    Физика твердого тела, 28:5 (1986),  1479–1483
16. Расщепление компонент тонкой структуры линий в фотоэлектрических спектрах эпитаксиальных слоев GaAs в магнитном поле
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2050–2054