Стриха Максим Витальевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Механизм антигистерезисного поведения сопротивления графена на подложке сегнетоэлектрика Pb(Zr$_x$Ti$_{1-x}$)O$_3$
   
   Письма в ЖЭТФ, 95:4 (2012),  216–218
2. Обнаружение третьего уровня $(A^+)$ вакансии ртути в Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te
   
   Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  905–909
3. Упруго-напряженное состояние в узкощелевых полупроводниках: принципиальная возможность повышения квантового выхода инфракрасного излучения
   
   Письма в ЖЭТФ, 73:9 (2001),  561–564
4. Междузонные ИК переходы в одноосно деформированном узкощелевом полупроводнике
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1227–1233
5. Ударная ионизация в дырочном антимониде индия
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1117–1119
6. Ударная ионизация в антимониде индия
   
   Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1835–1840
7. Оже-рекомбинация дырок через глубокий акцептор в GaSb $n$-типа
   
   Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  942–944
8. К вопросу о примесной Оже-рекомбинации
   
   Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2313–2319
9. Оже-рекомбинация через доноры
   
   Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1715–1717
10. Примесная оже-рекомбинация в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  697–702
11. Оже-рекомбинация дырок через глубокие доноры в InSb $n$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  441–445
12. Ударная рекомбинация электронов через глубокие и мелкие акцепторы в полупроводниках $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  43–48