Шамирзаев Тимур Сезгирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1167–1171
2. Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной на подложках с ориентацией (110)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  710–717
3. Невзаимные оптические и магнитооптические эффекты в полупроводниковых квантовых ямах
   
   Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2229–2235
4. Basic requirements of spin-flip Raman scattering on excitonic resonances and its modulation through additional high-energy illumination in semiconductor heterostructures
   
   Физика твердого тела, 60:8 (2018),  1583
5. Рекомбинация и спиновая динамика экситонов в непрямозонных квантовых ямах и квантовых точках
   
   Физика твердого тела, 60:8 (2018),  1542–1555
6. Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1373–1379
7. Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1280–1285
8. Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1565–1568
9. Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1282–1288
10. Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 103:11 (2016),  785–791
11. Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1513–1518
12. Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур $p^+$-Si/НК $\beta$-FeSi$_2$/$n$-Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  519–523
13. Экситон-плазмонное взаимодействие в гибридных структурах квантовые точки–металлические кластеры, полученных методом МЛЭ
    
    Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014),  245–249
14. Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga(Sb,P)/GaP heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots
    
    Письма в ЖЭТФ, 99:2 (2014),  81–86
15. Novel self-assembled quantum dots in the GaSb/AlAs heterosystem
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:10 (2012),  601–603
16. Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1571–1575
17. Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов
    
    Письма в ЖТФ, 38:1 (2012),  27–36
18. Безызлучательный перенос экситонов по механизму Фёрстера в гибридных структурах КТ InAs/AlAs – молекулы красителя
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011),  828–831
19. Захват носителей заряда в InAs/AlAs-квантовые точки при гелиевой температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  183–191
20. Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой зоной проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  97–103
21. Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd$_{1-z}$Zn$_z$Te методом спектральной эллипсометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  62–68
22. Наблюдение эффектов обменного взаимодействия при оптической ориентации экситонов в AlGaAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:10 (2003),  664–667
23. Миллисекундная кинетика фотолюминесценции в системе прямозонных квантовых точек InAs в матрице AlAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  459–463


24. Формирование заряженных вакансий в анионной подрешетке AlAs
    
    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  225–231