Тимофеев Вячеслав Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние Ge нанослоев и квантовых точек на фотолюминесцентные свойства гетероструктур с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si
   
   Физика твердого тела, 67:9 (2025),  1642–1646
2. Фотоэлектрические свойства структур с множественными квантовыми ямами GeSiSn|Ge и релаксированными слоями GeSiSn
   
   Физика твердого тела, 66:11 (2024),  1871–1878
3. Исследование влияния отжига и состава на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Si с множественными квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  765–769
4. Колебательные и светоизлучающие свойства гетероструктур Si/Si$_{(1-x)}$Sn$_x$
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:6 (2019),  371–374
5. Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
   
   Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  409–413
6. Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия
   
   Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017),  305–310
7. Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  342–347
8. Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками
   
   Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016),  845–848
9. Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
   
   Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1610–1614
10. Начальные стадии роста тройных соединений Si–Ge–Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1630–1634
11. Тонкая структура спектров сечения неупругого рассеяния электронов и поверхностный параметр Si
    
    Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  435–439
12. Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014),  99–103
13. Процесс захвата дырок в гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1065–1069
14. Спектроскопия сечения неупругого рассеяния электронов наногетероструктур Ge$_x$Si$_{1-x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  237–241
15. Внутризонные оптические переходы дырок в напряженных квантовых ямах SiGe
    
    Письма в ЖЭТФ, 97:3 (2013),  180–184
16. Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011),  806–810