Кожухов Антон Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al$_2$O$_3$(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  734–741
2. Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  677–684
3. GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей
   
   ЖТФ, 91:11 (2021),  1727–1731
4. Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  748–753
5. Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2327–2332
6. Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24
7. Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе
   
   Физика твердого тела, 60:4 (2018),  696–700
8. Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
   
   Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1407–1413
9. Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
   
   Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  643–650
10. Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  514
11. Квантовые точки AlInAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 105:2 (2017),  93–99
12. Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  443–445
13. Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  918–920
14. Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1329–1334
15. Оптические и электрофизические свойства кремниевых нанопилларов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  961–965
16. Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  35–40
17. Изучение морфологии и оптических свойств анодных оксидных слоев на InAs(111)A
    
    Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  532–537
18. Свертка ветвей акустических фононов в направлении, перпендикулярном нанофасеткам, в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)А
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:2 (2012),  76–79
19. Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi$^2$Se$^3$
    
    Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011),  500–503